Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (11) | Реферативна база даних (7) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Козярський І$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Козярський І. П. Механізми розсіяння носіїв заряду в кристалах (3HgS)0,5(Al2S3)0,5, (3HgS)0,5(In2S3)0,5, (3HgSe)0,5(In2Se3)0,5, легованих марганцем або залізом [Електронний ресурс] / І. П. Козярський, П. Д. Мар’янчук, Е. В. Майструк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2011. - Т. 1, Вип. 1. - С. 81-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2011_1_1_18 | ||
| 2. | 
Майструк Е. В. Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 [Електронний ресурс] / Е. В. Майструк, І. П. Козярський, Д. П. Козярський, П. Д. Мар’янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2018. - № 5-6. - С. 50-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2018_5-6_10 | ||
| 3. | 
Курищук С. І. Вплив товщини плівки графіту на електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів типу діодів Шотткі графіт/n-Si [Електронний ресурс] / С. І. Курищук, А. І. Мостовий, І. П. Козярський, М. М. Солован // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2022. - Т. 19, № 3. - С. 30-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2022_19_3_5 Виготовлено діоди Шотткі графіт/n-Si методом електронно-променевого випаровування графіту на підкладки кремнію n-типу провідності. Досліджено вплив товщини плівок графіту на фотоелектричні та електричні властивості даних діодів. Визначено, що виготовлені діоди Шотткі можна буде використовувати у якості фотодіодів та сонячних елементів. Досліджено температурні залежності шунтуючого та послідовного опорів діодів. При прямому та зворотному зміщенні були визначені домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані діоди. Також було обчислено чутливість та детективність виготовлених діодів Шотткі графіт/n-Si. Досліджувані гетеропереходи володіють яскраво вираженими діодними характеристиками з коефіцієнтом випрямлення для структури із тоншою плівкою RR = 5 x 10<^>2 | ||
| 4. | 
Курищук С. І. Структурні, електричні і оптичні властивості плівок графіту нарисованих олівцями різної твердості [Електронний ресурс] / С. І. Курищук, Т. Т. Ковалюк, І. П. Козярський, М. М. Солован // East European journal of physics. - 2022. - No 3. - С. 91-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2022_3_14 | ||
| 5. |
Козярський І. П. Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si [Електронний ресурс] / І. П. Козярський, М. І. Ілащук, І. Г. Орлецький, Д. П. Козярський, Л. А. Миронюк, Д. В. Миронюк, А. І. Євтушенко, І. М. Даниленко, Е. В. Майструк // Технологія та конструювання в електронній апаратурі. - 2023. - № 1-2. - С. 3-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2023_1-2_3 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |