Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Долголенко А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Долголенко А. П. Конфигурационные переходы дивакансий в кремнии и германии [Електронний ресурс] / А. П. Долголенко // Ядерна фізика та енергетика. - 2013. - Т. 14, № 2. - С. 163-171. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2013_14_2_11 Исследованы высокоомные образцы p-Si и n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 K. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состояниях в зависимости от ее конфигурации в кремнии. Рассмотрены эксперименты, которые можно объяснить как конфигурационные переходы дивакансии с большей дисторсии в меньшую и, наоборот, в кремнии и германии. Приведены значения энергетических уровней дивакансии и А-центра после их модификации фоновыми примесями.
| 2. |
Долголенко А. П. Модификация радиационных дефектов в кремнии и германии фоновыми примесями [Електронний ресурс] / А. П. Долголенко // Ядерна фізика та енергетика. - 2013. - Т. 14, № 4. - С. 377-383. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2013_14_4_13 Запропоновано модель модифікації основних рівнів відомих радіаційних дефектів у кремнії та германії. Енергія Hubbard є незалежною від числа електронів на радіаційному дефекті, але її величина залежить від фонових домішок поблизу вакансійного дефекту. Якщо поблизу вакансійного дефекту розташоване міжвузля атома кисню, то енергія негативно зарядженого акцепторного дефекту знижується на 0,06 еВ, а донорного підвищується на цю ж величину. Міжвузля атома кремнію або германію змінює рівні дефекту на 0,03 еВ. Атом вуглецю в міжвузлії змінює енергію вакансійного дефекту на 0,035 еВ, але в протилежному напрямку. Модифікація вакансійних дефектів не змінює енергію нейтрального рівня дефекту в забороненій зоні кремнію та германію.
| 3. |
Долголенко А. П. Подвижность носителей заряда при конфигурационной перестройке дивакансий в кремнии [Електронний ресурс] / А. П. Долголенко // Ядерна фізика та енергетика. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 148-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2014_15_2_8 Розглянуто температурну залежність рухливості електронів і дірок у високоомному кремнії, вирощеному за допомогою методів Чохральського та безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора. У межах уточненої моделі кластерів дефектів описано температурну залежність концентрації електронів і дірок у зразках кремнію. Показано, що зміна конфігурації дивакансій у кластерах дефектів і провідній матриці призводить до зростання висоти дрейфових бар'єрів і концентрації довгохвильових фононів у провідній матриці зразків кремнію.
| 4. |
Долголенко А. О. Реалізація операційного пристрою суматора/віднімача з плаваючою крапкою для ядра суперскалярного процесора [Електронний ресурс] / А. О. Долголенко, В. О. Яцун // Вісник Національного технічного університету України "КПІ". Інформатика, управління та обчислювальна техніка. - 2016. - Вип. 64. - С. 106-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkpi_iuot_2016_64_17 Описано операційний пристрій суматора/віднімача з плаваючою комою для ядра суперскалярного мікропроцесора та спеціалізованих апаратних засобів на ПЛІС. Суматор розроблено як набір комбінаційних схем, без використання елементів пам'яті й мікропрограмного керування. Для реконфігурації суматора на обробку операндів потрібного формату не потребується ніяких додаткових дій, крім подачі на його керуючі входи сигналу оброблюваного формату.
| 5. |
Луцький Г. М. Спосіб спрощення обчислень з плаваючою крапкою в суперскалярному процесорі [Електронний ресурс] / Г. М. Луцький, А. О. Долголенко, В. О. Сторожук // Вісник Національного технічного університету України "КПІ". Інформатика, управління та обчислювальна техніка. - 2018. - Вип. 66. - С. 74-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkpi_iuot_2018_66_14
|
|
|