Пошуковий запит: (<.>A=Данько В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 42
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Данько В. М. Шляхи формалізації процесу навчання локомотивних бригад [Електронний ресурс] / В. М. Данько // Збірник наукових праць Української державної академії залізничного транспорту. - 2013. - Вип. 136. - С. 39-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Znpudazt_2013_136_8
|
2. |
Данько В. Г. Обмежувач струму короткого замикання з надпровідною обмоткою [Електронний ресурс] / В. Г. Данько, Є. В. Гончаров // Електротехніка і електромеханіка. - 2012. - № 4. - С. 28-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/elem_2012_4_6
|
3. |
Данько В. Н. Определение информационной достаточности запасных частей при обслуживании технологического оборудования [Електронний ресурс] / В. Н. Данько // Інформаційно-керуючі системи на залізничному транспорті. - 2013. - № 3. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ikszt_2013_3_9
|
4. |
Бернадська Г. П. Cпостереження фіброматозу ясен у пацієнтів з генералізованим пародонтитом [Електронний ресурс] / Г. П. Бернадська, В. В. Данько // Современная стоматология. - 2013. - № 2. - С. 136-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ss_2013_2_34
|
5. |
Данько В. П. Визначення аберацій короткофокусних лінз сенсором Шека-Хартмана [Електронний ресурс] / В. П. Данько, Д. В. Поданчук, С. С. Піденко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2013. - Вип. 3. - С. 309-312. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2013_3_75 Експериментально досліджено метод вимірювання аберацій короткофокусних лінз, який грунтується на використанні точкового джерела світла та сенсора Шека - Хартмана з масштабуючою оптичною системою. Проведено оцінку достовірності одержаних результатів і виміряно сферичні аберації короткофокусних лінз.
|
6. |
Индутный И. З. Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se [Електронний ресурс] / И. З. Индутный, А. А. Крючин, Ю. А. Бородин, В. А. Данько, М. В. Луканюк, В. И. Минько, П. Е. Шепелявый, Э. В. Гера, В. М. Рубиш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2013. - Т. 15, № 4. - С. 3-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2013_15_4_3 Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe3. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe2) не позволяет получать микрорельефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким содержанием Se (GeSe8) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорельефных структур при записи информации на диски-оригиналы.
|
7. |
Данько А. В. Поле напряжений при прокатке листов с низким очагом деформации [Електронний ресурс] / А. В. Данько, В. М. Данько // Сборник научных трудов Донбасского государственного технического университета. - 2012. - Вып. 38. - С. 147-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntdgtu_2012_38_19 Приведены результаты сопоставления реального поля напряжений при прокатке в низком очаге деформации и общепринятых теоретических представлений об этом поле.
|
8. |
Данько В. А. Технологія виробництва голограмних дифракційних граток на основі неорганічних вакуумних фоторезисторів [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Наука та інновації. - 2014. - Т. 10, № 5. - С. 24-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/scinn_2014_10_5_4 An innovative project on development of the technological method for holographic diffraction gratings production which allows to produce high-quality diffractive elements with spatial frequencies from 600 to 3600 mm<^>-1 for spectral instruments have been carried out. The technological instructions for the implementation of this method have been developed and experimental samples are produced. It was established that the characteristics of experimental samples of the holographic diffraction gratings produced under this project meet the specifications and the state standard 3-6128-86.
|
9. |
Данько В. Г. Особливості роботи надпровідного обмежувача струму при раптовому короткому замиканні [Електронний ресурс] / В. Г. Данько, Є. В. Гончаров // Електротехніка і електромеханіка. - 2014. - № 6. - С. 30-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/elem_2014_6_6 Розглянуто обмежувач струму короткого замикання (СКЗ) індуктивного типу з високотемпературними надпровідними обмоткою та екраном. Проаналізовано основні особливості перехідного процесу у разі виникнення СКЗ.
|
10. |
Данько В. П. Солнечные коллекторы с металло-полимерным абсорбером для систем теплохладоснабжения [Електронний ресурс] / В. П. Данько // Наукові праці [Одеської національної академії харчових технологій]. - 2014. - Вип. 45(1). - С. 88-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Np_2014_45(1)__19
|
11. |
Данько В. М. Возможность применения низкотемпературной прокатки при производстве толстых листов [Електронний ресурс] / В. М. Данько, Е. В. Турский, Д. А. Боханов // Экология и промышленность. - 2014. - № 2. - С. 102-105. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2014_2_19 Рассмотрена возможность реализации низкотемпературной прокатки на толстолистовых станах. Исследовано влияние ее параметров на температуру нагрева металла при производстве толстых листов методом математического моделирования с использованием модели теплового баланса прокатки полос. Показана эффективность применения комбинированного процесса низкотемпературной и так называемой сухой прокатки.
|
12. |
Дорошенко А. В. Метало-полимерные солнечные коллекторы для многофункциональных энергетических систем [Електронний ресурс] / А. В. Дорошенко, Ясер Маршан, В. П. Данько // Холодильна техніка та технологія. - 2013. - № 2. - С. 31-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/htit_2013_2_8
|
13. |
Дорошенко А. В. Солнечные осушительно-испарительные холодильные системы на основе тепломассообменных аппаратов с подвижной насадкой. Часть II. Экспериментальное изучение процессов тепломассообмена в испарительных охладителях с подвижной насадкой [Електронний ресурс] / А. В. Дорошенко, С. Ю. Васютинский, В. П. Данько, М. А. Глауберман // Холодильна техніка та технологія. - 2013. - № 2. - С. 49-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/htit_2013_2_12
|
14. |
Вакарюк Т. Є. Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу [Електронний ресурс] / Т. Є. Вакарюк, Ю. С. Громовой, В. А. Данько, Г. В. Дорожинський, С. А. Зиньо, І. З. Індутний, А. В. Самойлов, Ю. В. Ушенін, Р. В. Христосенко, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 89-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_9
|
15. |
Бабійчук І. В. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу [Електронний ресурс] / І. В. Бабійчук, В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 36-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_6 Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов'язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.
|
16. |
Данько В. А. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 83-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_10
|
17. |
Індутний І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський, В. М. Ткач, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 49-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_7 Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричні параметри одержаних структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації одержаних структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Одержані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів.
|
18. |
Данько В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, О. Ф. Коломис, В. В. Стрельчук, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 103-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_15 З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) - <$E DELTA E sub g> - наночастинок As2S3 у матриці SiO1,5. Під час формування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш'яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 відбувається зменшення концентрації S - S- та збільшення концентрації As - As-зв'язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення <$E DELTA E sub g> (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As2S3/SiO1,5 шарах у порівнянні з суцільними As2S3 плівками. Ефект збільшення <$E DELTA E sub g> у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As2S3, які знаходяться в діелектричній матриці.
|
19. |
Литовченко В. Г. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si/SiOx структур, імплантованих іонами вуглецю [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, В. Г. Попов, Г. В. Федулов, В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 107-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_18
|
20. |
Шевченко А. Поширення на території України продукції із вмістом ГМО [Електронний ресурс] / А. Шевченко, В. Данько, К. Кузьминська // Стандартизація. Сертифікація. Якість. - 2010. - № 5. - С. 48-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ssia_2010_5_21
|
| |