РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
Пошуковий запит: (<.>A=Глинчук К$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
1.

Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
2.

Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
3.

Глинчук К. Д. Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
4.

Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
5.

Глинчук К. Д. Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
6.

Глинчук К. Д. Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
7.

Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей обусловленных углеродом полос люминесценции в GaAs от температуры и интенсивности возбуждения. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
8.

Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей краевых полос люминесценции в CdTe и GaAs от интенсивности возбуждения. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
9.

Глинчук К. Д. Особенности определения концентраций мелких акцепторов и доноров в прямозонных полупроводниках из анализа низкотемпературных спектров краевой люминесценции. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
10.

Глинчук К. Д. Влияние легирования различными примесями на спектрометрические характеристики кристаллов <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}> (x = 0,1), используемых для изготовления детекторов ядерного излучения. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
11.

Глинчук К. Д. О люминесцентном методе оценки качества кристаллов <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}>, используемых для создания эффективных детекторов ядерного излучения. — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
12.

Глинчук К. Д. Вплив <$E bold gamma>-опромінення на фотолюмінесценцію кристалів <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}>. — 2010 // Укр. фіз. журн.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського