Для полупроводников получены аналитические выражения для низкотемпературных <$E (T~symbol Г~4,2 roman K)> интенсивностей краевых полос люминесценции, обусловленных переходами свободных электронов на мелкие акцепторы, свободных дырок на мелкие доноры аннигиляцией связанных с ними и свободных экситонов, а также межпримесными переходами. Особое внимание уделено рассмотрению интенсивностей краевых полос люминесценции при различных рекомбинационных параметрах свободных экситонов. Приведены выражения для нормированных интенсивностей краевых полос люминесценции при различных рекомбинационных параметрах свободных экситонов, позволяющие определить зависимость концентраций мелких акцепторов и доноров в прямозонных полупроводниках от внешних воздействий F.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Глинчук Костянтин Давидович (1930–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"