РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (167)Журнали та продовжувані видання (1)Автореферати дисертацій (22)
Пошуковий запит: (<.>U=В379.25$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 484
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
2.

Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію. — 2000 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.
3.

Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока. — 2000 // Укр. фіз. журн.
4.

Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра. — 1999 // Пробл. спец. электрометаллургии.
5.

Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
6.

Боцула О. В. К расчету переходных процессов в компенсированном арсениде галлия в условиях высокочастотной доменной неустойчивости. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
7.

Величко О. И. Моделирование нелинейных процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах. — 2000 // Электрон. моделирование.
8.

Куцова В. З. Температурная зависимость относительного удлинения монокристаллического кремния, легированного металлами. — 1999 // Металлург. и горноруд. пром-сть.
9.

Таланчук П. М. Теорія напівпровідникових сенсорів газу. — 2-е вид., випр. і допов. — К.: КТУУ "КПІ", 2001
10.

Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
11.

Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
12.

Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films. — 2001 // Укр. фіз. журн.
13.

Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
14.

Mitin V. F. Resistance thermometers based on the germanium films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
15.

Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
16.

Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbI2 на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbI2 - Сu. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
17.

Джумаев Б. Р. Исследование процесса старения пористого кремния в различных средах. — 2000 // Укр. фіз. журн.
18.

Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hg1 - xCdxTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії . — 1999 // Укр. фіз. журн.
19.

Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения. — 1999 // Физика и техника высоких давлений.
20.

Бурбело Р. М. Природа візуалізації епітаксійних кремнієвих структур типу p-n-переходу тепловими хвилями. — 2000 // Укр. фіз. журн.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського