Пошуковий запит: (<.>U=В379.25$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 484
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
2. |
Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію. — 2000 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.
|
3. |
Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
4. |
Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра. — 1999 // Пробл. спец. электрометаллургии.
|
5. |
Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
6. |
Боцула О. В. К расчету переходных процессов в компенсированном арсениде галлия в условиях высокочастотной доменной неустойчивости. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
|
7. |
Величко О. И. Моделирование нелинейных процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах. — 2000 // Электрон. моделирование.
|
8. |
Куцова В. З. Температурная зависимость относительного удлинения монокристаллического кремния, легированного металлами. — 1999 // Металлург. и горноруд. пром-сть.
|
9. |
Таланчук П. М. Теорія напівпровідникових сенсорів газу. — 2-е вид., випр. і допов. — К.: КТУУ "КПІ", 2001
|
10. |
Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
|
11. |
Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
|
12. |
Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
13. |
Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
14. |
Mitin V. F. Resistance thermometers based on the germanium films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
15. |
Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
16. |
Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbI2 на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbI2 - Сu. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
17. |
Джумаев Б. Р. Исследование процесса старения пористого кремния в различных средах. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
18. |
Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hg1 - xCdxTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії . — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
19. |
Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения. — 1999 // Физика и техника высоких давлений.
|
20. |
Бурбело Р. М. Природа візуалізації епітаксійних кремнієвих структур типу p-n-переходу тепловими хвилями. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| |