Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-03<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
|
| 1. |
Попов В. М. Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 2. |
Александрюк Т. Ю. Фотоэлектрические свойства диодов на основе монокристаллического теллурида кадмия с модифицированной поверхностью. — 2008 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 3. |
Скрипник М. В. Властивості фоточутливих діодних структур на основі монокристалічного телуриду кадмію : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — Чернівці, 2009
|
| 4. |
Сидор О. М. Дослідження фоточутливих поверхнево-бар'єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук. — Чернівці, 2006
|
| 5. |
Вітусевич С. О. Явища переносу в квантово-розмірних гетероструктурах на основі елементів ІІІ - V груп : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук. — К., 2006
|
| 6. |
Герман І. І. Фотоприймач на основі телуриду ртуті-індію для кварцового оптичного волокна. — 2006 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
| 7. |
Грушко Є. В. Характеристики тонкоплівкової Au/n-CdTe діодної структури як сонячного елемента. — 2006 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
| 8. |
Boltovets N. S. Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
| 9. |
Venger Ye. F. Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au - Mo - TiBx - GaAs // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 10. |
Fenenko L. 1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 1.
|
| 11. |
Демиденко М. Г. Магніторезистивні та оптичні властивості спін-вентильних систем на основі Co, Fe, Cr і Cu та наночастинок оксидів Fe : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01. — Суми, 2012
|
| 12. |
Кайдаш М. В. Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна // Радиофизика и электроника. - 2013. - 4, № 2.
|
| 13. |
Мельник В. В. Оптоелектронні властивості діодних структур на основі сульфоселенідів цинку : Дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 1995
|
| 14. |
Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе соединений АШВV с гетеропереходом на катодном контакте : Дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.03; 01.04.10. — Х., 1996
|
| 15. |
Мельник В. В. Оптоелектронні властивості діодних структур на основі сульфоселенідів цинку : Дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 1995
|
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
