Представлены результаты исследований влияния травления кремния р-типа ионами аргона с энергией 3-6 кэВ на образование электрически активных дефектов (ЭАД) в приповерхностном слое полупроводника. Фоточувствительность диодов Шоттки, сформированных на ионно-травленной поверхности, возрастает, достигая максимальных значений в области ЭАД. Показано, что травление кремния ионами низких энергий является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.

Досліджено вплив травлення кремнію р-типу іонами аргону з енергією 3-6 кеВ на утворення електрично активних дефектів (ЕАД) у приповерхневому шарі напівпровідника. Фоточутливість діодів Шотки, що сформовані на іонно-травленій поверхні, зростає, і досягає максимальних значень в області ЕАД. Показано, що таке травлення кремнію є ефективним засобом модифікації електрофізичних властивостей його поверхні.

The article displays the results of investigation of influence of low energy (3-6 keV) argon ion etching of p-type silicon on electrically active defects (EAD) formation. The photosensitivity of Schottky diodes on etched silicon surface is increased, reaching maximum values in sites of EAD. The etching of silicon by low-energy ions was shown to be an effective tool for task - oriented modification of electrophysical properties of semiconductor surface.

• Попов Віктор Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Попов Віталій Миколайович (біологічні науки)
• Попов Володимир Миколайович (економічні науки)
• Попов Вадим Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"