РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Книжкові видання та компакт-диски (14)
Автореферати дисертацій (2)
Пошуковий запит:
(<.>U=З843.332$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
15
Представлено документи
з 1 до 15
1.
Федосюк В. М.
Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия
. — 2000 //
Металлофизика и новейшие технологии
.
2.
Ковтун Г. П.
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
. — 2006 //
Технология и конструирование в электрон. аппаратуре
.
3.
Rogozin I. V.
Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride
. — 2004 //
Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб
.
4.
Zhirko Yu. I.
Excitons in layered
p
-gase crystals with two-dimension hole gas
. — 2004 //
Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб
.
5.
Ptashchenko O. O.
Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in
p - n
-junctions on GaP
. — 2005 //
Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб
.
6.
Миленин В. В.
Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs
. — 2006 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
7.
Власкина С. И.
Высокоэффективные солнечные элементы на основе арсенида галлия
. — 2005 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
8.
Устинов А. И.
Особенности формирования пористой структуры хрома при его осаждении из паровой фазы в присутствии паров галогенидов щелочных металлов
. — 2006 //
Металлофизика и новейшие технологии
.
9.
Чернюк О. С.
Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами <$Eroman bold {HNO sub 3~-~HHal}>-органічна кислота
: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01. — Л., 2006
10.
Сєліверстова С. Р.
Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs
: Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — Херсон, 2000
11.
Хозя П. О.
Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів
: автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2009
12.
Венгер Є. Ф.
Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
//
Доп. НАН України
. - 2007. - № 7.
13.
Фомовський Ф. В.
Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2013
14.
Лозінський В. Б.
Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням
: автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2013
15.
Притчин С. Е.
Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки
: автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06. — Харків, 2016
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського