Пошуковий запит: (<.>U=В379.251.4<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 62
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 2. |
Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
|
| 3. |
Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 4. |
Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 5. |
Мужик Г. М. Робота виходу поруватого кремнію після термічного відпалу в умовах високого вакууму. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 6. |
Червоний І. Ф. Наукове обгрунтування і розробка технології монокристалів кремнію методом спеціальної електрометалургії (безтигельною зонною плавкою) : Автореф. дис... д- ра техн. наук : 05.16.03. — Запоріжжя, 1999
|
| 7. |
Каримов А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 8. |
Гасинець С. М. Вплив термічної передісторії на процеси неізотермічної кристалізації склоподібного та аморфного селену. — 2010 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 9. |
Яцишин Б. П. Дослідження електропровідних характеристик закристалізованих плівок ReFe2. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 10. |
Сычикова Я. А. Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда. — 2010 // Журн. нано- та електрон. фізики.
|
| 11. |
Мудрий С. І. Кристалізація аморфного сплаву Fe73,7Nb2,4Cu1,0Si15,5B7,4 під дією лазерного опромінення поверхні. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 12. |
Прокопів (мол.) В. В. Область гомогенності та квазіхімія власних точкових дефектів у тонких плівках станум телуриду, вирощених з парової фази. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 13. |
Ліщинський І. М. Процес неізотермічної кристалізації в стеклах <$E bold {roman {(As sub 0,4 Te sub 0,6 )} sub 100-x {roman Ag} sub x}> (x = 0, 5, 15 ат. %). — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 14. |
Щєнніков В. В. Термоерс компенсованих зразків Si1-xGex в умовах високого тиску. — 2011 // Термоелектрика.
|
| 15. |
Мелкозерова М. А. Природа дефектов в нанокристаллическом оксиде цинка с трубчатой морфологией частиц. — 2012 // Теорет. и эксперим. химия.
|
| 16. |
Стадник В. Й. Про новий кристал LiNH4SO4 з ізотропною точкою. — 2012 // Укр. фіз. журн.
|
| 17. |
Фреїк Д. М. Механізми зародження і росту тонкоплівкових структур телуриду кадмію на сколах слюди. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 18. |
Baranskii P. I. Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 3.
|
| 19. |
Rubish V. M. Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous films by the optical method // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 3.
|
| 20. |
Д'яченко Л. І. Система аналізу дефектів вирощування напівпровідникових кристалів // Системи оброб. інформації. - 2012. - Вип. 4, т. 1.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
