Пошуковий запит: (<.>U=В379.227$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 245
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Тартачник В. П. Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В52 : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1992
|
| 2. |
Тартачник В. П. Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В52 : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1992
|
| 3. |
Тартачник В. П. Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В52 : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1992
|
| 4. |
Тартачник В. П. Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В52 : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10. — К., 1992
|
| 5. |
Блажевич С. В. Угловая структура тормозного - излучения и рассеяния релятивистских электронов при взаимодействии с монокристаллами : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.16. — Х., 1993
|
| 6. |
Блажевич С. В. Угловая структура тормозного - излучения и рассеяния релятивистских электронов при взаимодействии с монокристаллами : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.16. — Х., 1993
|
| 7. |
Блажевич С. В. Угловая структура тормозного - излучения и рассеяния релятивистских электронов при взаимодействии с монокристаллами : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.16. — Х., 1993
|
| 8. |
Блажевич С. В. Угловая структура тормозного - излучения и рассеяния релятивистских электронов при взаимодействии с монокристаллами : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.16. — Х., 1993
|
| 9. |
Воробкало Ф. М. Аномалии коэффициента Холла в нейтроннооблученном германии. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 10. |
Горбик П. П. Исследование поверхностно-барьерных структур на основе поликристаллического CdS при облучении моноэнергетическими потоками электронов. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 11. |
Kraitchinskii A. M. Primary Ragiation Defects in Silicon. Creation, Annihilation, Dissociation, Getters. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 12. |
Мармус П. Є. Рентгенодифракційні дослідження структурних змін в кристалах Si, після високоенергетичного електронного опромінення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — Чернівці, 1999
|
| 13. |
Федосов С. А. Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — Луцьк, 1999
|
| 14. |
Павлик Б. В. Радіаційно- і термостимульовані процеси агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних та напівпровідникових кристалів : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Л., 1999
|
| 15. |
Dotsenko Yu. P. Electro-physical properties of gamma-exposed crystals of silicon and germanium . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Antroshchenko L. V. Crystals Cd1-xZnxTe - a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparation, structure defectness and electrophysical properties // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 17. |
Virt І. S. Effect of thermal neutron irradiation effect on the electrophysical and photoelectrical properties of Hg0,8Cd0,2Te crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
|
| 18. |
Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
|
| 19. |
Карась М. І. Дослідження впливу радіаційних дефектів на електричні властивості нейтронно трансмутаційно легованого германію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2000
|
| 20. |
Мельник В. М. Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2000
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
