Представлено огляд даних дослiджень впливу генерацiї пiд дiєю рiзних доз gamma-опромiнення радiацiйних дефектiв на електрофiзичнi властивостi електронного кремнiю i германiю. Розглянутi наслiдки виникнення в забороненiй зонi Si i Gе глибоких рiвнiв радiацiйного походження, що при певних дозах gamma-опромiнення приводить до значного зростання градiєнтiв питомого опору, обумовлених неоднорiдною компенсацiєю мiлких донорних центрiв. Наведено характеристики енергетичних рiвнiв радiацiйного походження, якими визначаються електрофiзичнi властивостi напiвпровiдникiв i, зокрема, тензорезистивнi властивостi. Вiдмiчено бiльш високу радiацiйну стiйкiсть нейтронно легованого n-Si(Р) в порiвняннi з кремнiєм, який легується фосфором пiд час вирощування. Пiдкреслюється актуальнiсть дослiджень впливу опромiнення частинками високих енергiй на змiну електрофiзичних властивостей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"