Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | РА291375сл Фидря, Николай Александрович. Исследование диссипации энергии поверхностных электромагнитных волн в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Фидря Николай Александрович ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1990. - 16 с. Для сл. пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Академия наук Украинской ССР (Киев); Институт полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
2. | РА340947 Доросинец, Владимир Адамович. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Белорусский гос. университет имени В. И. Ленина
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
3. | РА280777сл Шутов, Станислав Викторович. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 22 с. - Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский индустриальный институт
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
4. | РА281406сл Чабаненко, Елена Ивановна. Закономерности разряда-ионизации индия и его электрохимическое рафинирование до высокой чистоты [Текст] : автореф.дис.канд.хим.наук:02.00.05 / Чабаненко Елена Ивановна ; АН Украины, Ин-т общ. и неорган. химии. - К., 1993. - 20 с. - Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Академия наук Украины (Киев); Институт общей и неорганической химии (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
5. | ДС40409сл Шутов, Станислав Викторович. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 136 с. - Библиогр.:с.126-136 Для сл.пользованияРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский индустриальный институт
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
6. | РА296884 Дмитрієва, Любов Борисівна. Дослідження поверхнево- контактних явищ та перехідних процесів у мікроелектронних композиціях на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитрієва Любов Борисівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 21 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
7. | ДС55016 Дмитриева, Л. Б.. Исследование поверхностно- контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе арсенида галлия [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитриева Л. Б. ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 99 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
8. | РА313246 Сєліверстова, Світлана Ростиславівна. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
9. | РА310225 Даниленко, Світлана Григорівна. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ- техніки [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 15 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
10. | ДС69492 Селиверстова, Светлана Ростиславовна. Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис. - Библиогр.: л. 131-140Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Херсонский государственный технический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
11. | ДС66866 Даниленко, Світлана Григорівна. Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 198 арк. - арк. 175-186Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
12. | ІВ203073 Paszkiewicz, Regina. Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Text] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys. - Бібліогр.: s. 137-153. - ISBN 83-7085-726-4Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
|
13. | РА343400 Драпак, Степан Іванович. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Драпак Степан Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис. На 3 арк. обкладинки рецензія.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
14. | РА332436 Янчук, Олександр Іванович. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Янчук Олександр Іванович ; НАН України, М-во освіти і науки України, Ін-т термоелектрики. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут термоелектрики (Чернівці)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
15. | ДС87568 Янчук, Олександр Іванович. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Янчук Олександр Іванович ; Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства НАН України. - Чернівці, 2004. - 141 арк.: рис. - Бібліогр.: арк. 131-141.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут проблем матеріалознавства. Чернівецьке відділення
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
16. | ДС99615 Чернюк, Олександр Сергійович. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Житомирський держ. ун-т ім. Івана Франка. - Житомир, 2006. - 193 арк.: рис., табл. - арк. 178-193Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Житомирський державний університет імені Івана Франка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
17. | РА342132 Журавлев, Константин Сергеевич. Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе [Текст] : автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Журавлев Константин Сергеевич. - Новосибирск, 2006. - 35 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
18. | РА347090 Чернюк, Олександр Сергійович. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Львівський національний ун-т ім. Івана Франка. - Л., 2006. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Львівський національний університет імені Івана Франка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
19. | РА356046 Мазницька, Оксана Вікторівна. Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницька Оксана Вікторівна ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2008. - 20 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління; Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
20. | РА358607 Шуригін, Федір Михайлович. Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Шуригін Федір Михайлович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2008. - 18 с.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| |