Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Книжкові видання та компакт-диски - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (7)Реферативна база даних (57)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20
...
1.
ІВ203073
Paszkiewicz, Regina.
Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Text] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys. - Бібліогр.: s. 137-153. - ISBN 83-7085-726-4

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 
 З844.1 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 
 Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка 


Видання зберігається у :

2.
РА382237
Батареєв, Віктор Володимирович.
Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощуваних по методу Чохральс[ь]кого з рідинною герметизацією [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареєв Віктор Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. - Кременчук, 2011. - 20 с.

Рубрикатор НБУВ:
 В379.251,022 
 З843.33 
Тематичні рубрики:
 Дисертації < Фазові рівноваги. Фазові перетворення > 
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського

Видання зберігається у :
Основний фонд

3.
ДС127678
Батареев, Виктор Владимирович.
Повышение структурного совершенства монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, выращиваемых по методу Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареев Виктор Владимирович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2010. - 136 л. : рис. - Бібліогр.: арк. 120-129.

Рубрикатор НБУВ:
 В379.251,022 
 З843.33 
Тематичні рубрики:
 Дисертації < Фазові рівноваги. Фазові перетворення > 
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления

Видання зберігається у :
Основний фонд

4.
РА310225
Даниленко, Світлана Григорівна.
Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ- техніки [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 15 с.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд

5.
ДС66866
Даниленко, Світлана Григорівна.
Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 198 арк. - арк. 175-186

Рубрикатор НБУВ:
 з843.33 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд

6.
РА296884
Дмитрієва, Любов Борисівна.
Дослідження поверхнево- контактних явищ та перехідних процесів у мікроелектронних композиціях на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитрієва Любов Борисівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 21 с.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 с 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет

Видання зберігається у :
Основний фонд

7.
ДС55016
Дмитриева, Л. Б..
Исследование поверхностно- контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе арсенида галлия [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитриева Л. Б. ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 99 с.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 с 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Запорожская государственная инженерная академия

Видання зберігається у :
Основний фонд

8.
РА340947
Доросинец, Владимир Адамович.
Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.

Рубрикатор НБУВ:
 В379.2,022 
 З843.332 
Тематичні рубрики:
 Дисертації < Фізика напівпровідників > 
 Галій та його сполуки 


Дод. точки доступу:
Белорусский гос. университет имени В. И. Ленина

Видання зберігається у :
Основний фонд

9.
РА343400
Драпак, Степан Іванович.
Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Драпак Степан Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.
На 3 арк. обкладинки рецензія.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича

Видання зберігається у :
Основний фонд

10.
РА342132
Журавлев, Константин Сергеевич.
Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе [Текст] : автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Журавлев Константин Сергеевич. - Новосибирск, 2006. - 35 с.

Рубрикатор НБУВ:
 В379.2,022 
 З843.33-06 
Тематичні рубрики:
 Дисертації < Фізика напівпровідників > 
 Індій, галій та їхні сполуки 


Видання зберігається у :
Основний фонд

11.
ДС122609
Ластівка, Галина Іванівна.
Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства [ім. І. М. Францевича]. - Чернівці, 2010. - 156 арк. : рис. - Бібліогр.: арк. 140-156.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 
 З852-03 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 
 Матеріали для напівпровідникових приладів 


Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича; Інститут проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича. Чернівецьке відділення

Видання зберігається у :
Основний фонд

12.
РА374896
Ластівка, Галина Іванівна.
Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2010. - 20 с.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33 
 З852-03 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 
 Матеріали для напівпровідникових приладів 


Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Видання зберігається у :
Основний фонд

13.
ДС152191
Лозінський, Володимир Борисович.
Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 125-140.

Рубрикатор НБУВ:
 З842.312 
 З843.332 
 З85-06 
УДК:
 621.315.59 
 621.38:658.51 
Тематичні рубрики:
 Галій та його сполуки 
 Технологія виробництва електронних приладів 


Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)

Видання зберігається у :
Основний фонд

14.
РА396148
Лозінський, Володимир Борисович.
Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.

Рубрикатор НБУВ:
 З842.312 
 З843.332 
 З85-06 
УДК:
 621.315.59 
 621.38:658.51 
Тематичні рубрики:
 Галій та його сполуки 
 Технологія виробництва електронних приладів 


Дод. точки доступу:
Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського

Видання зберігається у :
Основний фонд

15.
ДС106514
Мазницкая, Оксана Викторовна.
Усовершенствование технологии получения металлического мышьяка с пониженным содержанием кислорода для производства монокристаллов GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницкая Оксана Викторовна ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2008. - 137 л.: рис., табл. - Библиогр.: л. 118-124

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33-06 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления

Видання зберігається у :
Основний фонд

16.
РА356046
Мазницька, Оксана Вікторівна.
Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницька Оксана Вікторівна ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2008. - 20 с.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.33-06 
Тематичні рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління; Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління

Видання зберігається у :
Основний фонд

17.
РА421863
Притчин, Сергій Емільович.
Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.

Рубрикатор НБУВ:
 З843.332 
 З852-03 
Тематичні рубрики:
 Галій та його сполуки 
 Матеріали для напівпровідникових приладів 


Дод. точки доступу:
Харківський національний університет радіоелектроніки

Видання зберігається у :
Основний фонд

18.
РА313246
Сєліверстова, Світлана Ростиславівна.
Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.

Рубрикатор НБУВ:
 з843.332 
Тематичні рубрики:
 Галій та його сполуки 


Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет

Видання зберігається у :
Основний фонд

19.
ДС69492
Селиверстова, Светлана Ростиславовна.
Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис. - Библиогр.: л. 131-140

Рубрикатор НБУВ:
 з843.332 
Тематичні рубрики:
 Галій та його сполуки 


Дод. точки доступу:
Херсонский государственный технический университет

Видання зберігається у :
Основний фонд

20.
ВА735056
Сычикова, Яна Александровна.
Формирование пористой структуры фосфида индия с заданными свойствами [Текст] : монография / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач. - Донецк : Юго-Восток, 2010. - 230 с. : рис. - Бібліогр.: с. 218-229. - 300 прим. - ISBN 978-966-374-583-1

Рубрикатор НБУВ:
 В379.2,021 
 З843.33 
Тематичні рубрики:
 Монографії < Фізика напівпровідників > 
 Індій, галій та їхні сполуки 


Дод. точки доступу:
Кидалов, Валерий Витальевич; Сукач, Георгий Александрович

Видання зберігається у :
Основний фонд

...
 
Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського