Досліджено стаціонарні вісесиметричні процеси тепло- та масопереносу у розплаві зразка в установці Бріджмена. Для випадку великих чисел Прандтля аналітично показано відсутність стаціонарного режиму через нестійкість одержаного стаціонарного розв'язку. Для скінченних чисел Прандтля проведено числовний аналіз. Наведено вигляд відповідних стаціонарних гідродинамічних і теплових полів.

Розглянуто питання побудови статистичної моделі залежності діаметра кристала від швидкості витягування та температури розплаву в зоні кристалізації для процесу вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральского. Відзначено важливість задачі побудови узагальненої математичної моделі методу Чохральского й істотні, на сьогодні практично не переборні, труднощі її розв'язання. У зв'язку з цим для розв'язання окремих задач керування процесом доцільне використання статистичних моделей. Як базовий клас моделей запропоновано використовувати клас ARMAX-моделей. Для відшукання оцінок максимальної правдоподібності параметрів моделі використано рекурсивну RHYP-процедуру тестування гіпотез. Описано алгоритми формування множини тестованих гіпотез і визначення оцінок параметрів моделі. Перевагою використаного підходу є можливість послідовного обчислення цільової функції та оцінок параметрів за рахунок застосування стандартного послідовного методу найменших квадратів.

Приведены технологические моменты получения крупногабаритных монокристаллов из тугоплавких металлов плазменно-индукционным методом и рассмотрены приемы, позволяющие повысить степень чистоты металла в процессе плавки.

Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4 + В372.33

Рубрики:

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Тверді розчини

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов.

  Скачати повний текст

Проведен сравнительный синтез робастных регуляторов для управления кристаллизацией. Показано, что метод формирования контура обеспечивает более высокие качество управления и подавление низкочастотных возмущений по сравнению с методом смешанной чувствительности.

Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4

Рубрики:

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У межах інформаційно-екстремальної інтелектуальної технології розглянуто категорійну модель і алгоритм навчання системи підтримки прийняття рішень (СППР) для керування вирощуванням монокристалів із розплаву. З метою підвищення достовірності та оперативності розпізнавання функціональних станів системи керування у разі збільшення потужності алфавіту класів розпізнавання в процесі навчання СППР здійснювалася побудова ієрархічної структури класів розпізнавання. У ході цього оптимізація системи контрольних допусків на ознаки розпізнавання та геометричних параметрів контейнерів класів розпізнавання здійснювалася на кожному ярусі бінарного дерева рішень.

Предложен механизм периодической, дискретной кристаллизации расплава при выращивании монокристаллов, в котором скорость перемещения фронта кристаллизации в пределах одного цикла значительно превышает скорость вытягивания. Исследовано влияние термокапиллярной силы на устойчивость границы раздела фаз и кинетику формирования пилообразной формы полос роста периодичностью в несколько десятков микрон. Проведены количественные оценки времени кристаллизации и остывания, величины термокапиллярной силы и других параметров. Главными факторами, определяющими диаметр и морфологию поверхности выращиваемых кристаллов, являются угол сопряжения фаз и кинетические процессы, происходящие на фронте кристаллизации.

Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4 + В375.147 + В379.2

Рубрики:

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4 + З849-047 + В379.22

Рубрики:

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана модель специализированной системы поддержки принятия решений для коррекции процесса выращивания монокристаллов. Структура системы содержит модели - источники данных для мониторинга процесса и иерархическую модель поиска решений.

Приведены результаты оптимизации управления многомерным процессом выращивания крупногабаритных монокристаллов на основе оптимального размещения множества собственных значений замкнутой системы, декомпозиции модели исходной системы и взаимосвязи модального и оптимального подходов к синтезу обратной связи в целях обеспечения заданных требований качества и устойчивости переходных процессов управления.

Приведены результаты синтеза модального управления многомерным процессом выращивания крупногабаритных монокристаллов. Оптимизация системы управления проведена путем параметризации, на основании обобщенного подхода Ван дер Воуда. Получен стабилизирующий регулятор по выходу, который обеспечивает в замкнутой системе высокое динамическое качество управления для инерционных объектов, каким является процесс выращивания.

Наведено опис створеного експериментального устаткування та способів одержання малих обсягів кристалічних матеріалів за допомогою методу лазерної плавки п'єдесталу і з використанням золь-гель технології. Висвітлено перші результати дослідження оптичних характеристик одержаних кристалічних матеріалів на основі тугоплавких оксидів, активованих рідкісноземельними іонами.

Порівняно дані з зневоднювання йодиду натрію за допомогою термічного нагріву та вакуумної НВЧ-сушки. Показано, що застосування НВЧ-енергії дозволяє збільшити ефективність зневоднювання за умови скорочення енерговитрат. Визначено діапазон робочих тисків, у разі яких процес зневоднювання відбувається найбільш ефективно.

Показано, що основною причиною коливання концентрації активатора в об'ємі різних монокристалів однакового діаметра є зміна об'єму фронту кристалізації. Встановлено, що причиною, яка призводить до даного ефекту, є променистий транспорт тепла від кристала до елементів верхньої частини тигля та наступна локальна зміна теплових умов в околі фронту кристалізації. Виявлено, що мінімально необхідна температура бічного нагрівача, що забезпечує плавлення сировини за різної довжини злитка,є різною. Розроблено алгоритм керування процесом вирощування, який передбачає стабілізацію температури у периферичній кільцевій ємності на етапі зростання злитка в довжину, що дозволяє відтворювано одержувати монокристали з рівномірним розподілом активатора.

Уперше експериментально виявлено динаміку відводу тепла від кристала, що вирощується, до внутрішньої поверхні водоохолоджуваної стінки ростової печі на прикладі вакуумної установки серії "РОСТ" у процесі вирощування монокристалів CsI(Na) діаметром 320 мм. Обговорено еволюцію температурного поля на різних стадіях вирощування, а також роль конденсату розплаву, що осаджується на стінках ростової печі. Встановлено можливі джерела та геометричне розташування структурних дефектів у кристалах, що обумовлені активізацією теплообміну між кристалом, що вирощується, та навколишнім середовищем, а саме стінками ростової печі.

Індекс рубрикатора НБУВ: К203.4 + В379.223 + В375.147

Рубрики:

Вирощування монокристалів металів і сплавів

Тверді розчини напівпровідників

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ