Розглянуто еволюцію фізичних уявлень про природу головних чинників, під впливом яких формується енергетична структура напівпровідникових кристалів, і, відповідно, їх основні електрофізичні, оптичні, термоелектричні та навіть механічні властивості. До переліку цих чинників необхідно, в першу чергу, віднести: легувальні та залишкові домішки, власні точкові дефекти, протяжні дефекти (типу дислокацій), а також електрично активні термодонори та інші комплекси, які не є результатом прямої домішко-домішкової чи домішко-дефектної взаємодій.

Оптико-поляризаційним методом із застосуванням поляризаційної модуляції виміряно величини механічних напружень, генеровані поверхневим натягом у зразку монокристалічного кремнію. Досліджено розподіл оптичної анізотропії вздовж нормалі до поверхні зразка за різних станів поверхні, що залежать від її обробки. Встановлено, що наявність у кристалі поверхневого шару, який відрізняється за фізичними властивостями від об'єму, спричиняє протяжний розподіл напружень в однорідній частині кристала.

Досліджено спектри термостимульованої деполяризації (ТСД) поруватого кремнію (ПК) у температурному діапазоні 77 - 450 К. Виявлено ряд широких максимумів струму ТСД різної величини, що відповідають різним типам заряджених дефектів ПК. Проведено порівняльні дослідження спектрів ТСД шару поруватого кремнію та плівок діоксиду кремнію на монокристалічній кремнієвій підкладці. Встановлено ідентичність низькотемпературних (77 - 300 К) частин таких спектрів. Розраховано енергії активації дефектів і заповнення центрів захоплення ПК. Ідентифіковано низькотемпературні дефекти як іони воднево-кисневого типу. Встановлено вплив інфрачервоного та рентгенівського випромінювань на спектри ТСД поруватого кремнію. З урахуванням зміни спектрів ТСД запропоновано енергетичну схему іонного перенесення зарядів у ПК. Досліджено температурні зміни планарних вольт-амперних характеристик і частотної дисперсії ємності гетероструктур ПК - кремнієва підкладка. Аномальний характер залежностей пояснено особливостями іонного переносу зарядів у ПК.

Сучасні голографічні захисні елементи, що використовуються як емблеми проти підробки, повинні бути більш складними, для того щоб протистояти наступу кримінального світу. Райдужні голограми типу 2D, 3D та інші прості дифракційні структури виявляються недостатніми для захисту від копіювання важливих документів, банкнот і коштовних виробів. Останні досягнення в технології оптично варійованих пристроїв дозволяють світовим лідерам у цій галузі створювати більш розвинуті захисні елементи: кінеграми, ексельграми, піксельграми, кінеформи. Ці вироби використовуються для захисту найбільш конфіденційних документів і банкнот, але сьогодні навіть їх рівень секретності вимагає удосконалення. Крім того, їх автоматична ідентифікація потерпає від нестабільності. Розроблено нові візуальні захисні пристрої, що базуються на використанні сучасної технології виготовлення комбінованих оптико-цифрових секретних елементів. Ця технологія поєднує цифрові й аналогові методи синтезу та запису візуальних захисних пристроїв. Аналогові методи містять у собі техніку оптичної голографії з використанням шарів халькогенідних напівпровідників як неорганічних резистів для фотолітографії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.349

Рубрики:

Люмінесценція діелектриків

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14

Рубрики:

Когерентна оптика. Лазерна оптика, лазерна поляриметрія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів pi-A - діаграм, еліпсометрії та контактної різниці потенціалів досліджено умови виготовлення та поверхневий потенціал плівок Ленгмюра - Блоджет каліксаренів, модифікованих за верхнім кільцем макроциклу фосфорильними групами. Показано ленгмюрівський характер плівок, перенесених на кремнієві підкладки. Для всіх досліджених сполук виміряно поверхневий потенціал і молекулярну концентрацію. Визначено нормальні складові дипольних моментів розглянутих каліксаренів у ленгмюрівських плівках. У мономолекулярних структурах вони виявились додатними як для молекули в цілому, так і для окремих фрагментів.

С помощью методов измерения pi-A - диаграмм, эллипсометрии, контактной разности потенциалов исследованы способы получения и поверхностный потенциал пленок Ленгмюра - Блоджетт каликсаренов, модифицированных по верхнему кольцу макроцикла фосфорильными группами. Показан ленгмюровский характер пленок, перенесенных на кремниевые подложки. Для всех соединений, которые были исследованы, определены поверхностный потенциал и молекулярная концентрация. Определены нормальные составляющие дипольных моментов данных каликсаренов в ленгмюровских пленках. В мономолекулярных структурах они оказались положительными как для молекулы в целом, так и для отдельных фрагментов.

pi-A - diagrams, ellipsometry and contact potential difference measurements were used to study the preparation and surface potential of calixarenes LBFs modified with phosphorylated groups at upper molecular rim (see text). The Langmuir nature of the obtained films on the silicon substrates has been proved. The surface potentials and molecular concentrations have been measured for all the compounds under investigation. Normal components of the dipole moments were analyzed for observed calixarenes. In monolayered structures they appeared to be positive for the molecules as a whole as well as for their parts.

Досліджено залежності електронної провідності, концентрації та рухливості від розміру пор та їх концентрації для двовимірних макропористих кремнієвих структур. Електронна провідність і концентрація електронів у двошарових структурах, а також у матриці макропористих шарів мали максимум для об'єму пор V = 0,3 - 0,4. У цьому випадку рухливість електронів зменшувалась монотонно. Експериментальні результати пояснено за допомогою моделі, що грунтується на існуванні навколо пор збідненої на електрони області завтовшки D approx 1 мкм, утвореної внаслідок електрохімічної або хімічної обробок стінок макропор.

Исследованы зависимости электронной проводимости, концентрации и подвижности от размера пор и их концентрации для двухмерных макропористых кремниевых структур. Электронная проводимость и концентрация электронов в двухслойных структурах, а также в матрице макропористых слоев имели максимум для объема пор V = 0,3 - 0,4. При этом подвижность электронов уменьшалась монотонно. Экспериментальные результаты объяснены с помощью модели основанной на существовании вокруг пор обедненной электронами области толщиной D approx 1мкм, образованной вследствие электрохимической или химической обработки стенок макропор.

The dependencies of electron conductivity, concentration and mobility on pore size and concentration were investigated for 2D macroporous silicon structures. The electron conductivity and concentration in two-layer structures of macroporous silicon, and also in a matrix of macroporous layers have a maximum for a macropore volume of V = 0,3 - 0,4. Thus the electron mobility decreases monotonically. The experimental results were explained by a model based on the existence of electron-enriched regions around pores, with thickness D approx 1mu m formed after electrochemical and chemical treatment of the macropore walls.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.226

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Е0*715.9

Рубрики:

Загальна біологія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ