Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів.

У роботі запропоновано узагальнену дифузійну модель голографічного запису в фотополімерних матеріалах. Теоретичний опис процесу формування голограм базується на уявленні про перерозподіл об'єму, який утворюється внаслідок локальної усадки полімеру, і застосуванні узагальненого дифузійного рівняння. Запропонована теорія дозволяє врахувати вплив неоднорідності розподілу мономеру в процессі запису і величини усадки на кінетику формування голограми в фотополімерному носії. Продемонстровано визначний вплив співвідношення швидкостей полімеризаційного та дифузійного процесів на властивості голограм. Запропонована модель дозволяє також описати процес формування рельєфу на поверхні реєструючого середовища.

Вивчено вплив періодичних наноструктур-надграток, що створюються когерентними світловими пучками (КСП), на оптичні властивості феромагнітних напівпровідників (ФМН). Показано, що в результаті дифракції падаючої електромагнітної хвилі на надгратці концентрації електронів вона розщеплюється на дві хвилі, в яких має місце періодичне перекачування енергії від однієї хвилі до другої. Розраховано коефіцієнт відбивання електромагнітної хвилі зовнішньою поверхнею ФМН. Показано, що змінюючи величину зовнішнього електричного поля, кута падіння та параметрів ФМН, можна керувати оптичними властивостями ФМН, переходячи від випадку практично повного поглинання до повного відбивання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.4 + К206.34

Рубрики:

Оптичні властивості металів (металооптика)

Оптичні властивості металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У цьому сенсорі використано триангуляційний метод вимірювання переміщень. Розроблено метод калібровки сенсора шляхом вимірювання відстаней з використанням інтерферометрії. Дослідження лінійності та роздільної здатності сенсора виконані для різних наборів параметрів приймально-передавальної головки сенсора. Точність вимірювання переміщень залежить від параметрів пучка, освітлюючого змішувану поверхню, параметрів позиційно-чутливого детектора та від відношення сигнал-шум для аналогового сигналу вимірювального пристрою. Наведено також результати дослідження похибок, обумовлених зміщенням направляючих верстата.

Описано метод селективної поляризації сегнетоелектриків, які використовуються в якості звукопроводів і п'єзоелектричних перетворювачів у різних пристроях функціональної мікроелектроніки. Особливістю методу є можливість створення в монолітному керамічному звукопроводі локальних областей поляризації з різними за величиною та напрямком векторами поляризації і електрофізичними параметрами, що визначають характеристики пристроїв. Наведено приклади конкретних акустоелектронних пристроїв на поверхневих акустичних хвилях із суттєво підвищеними цим методом параметрами їх електричних характеристик, спрощеними конструкціями і високою технологічністю. Показано особливості процесу селективної поляризації, подано рекомендації з використання методу.

Метод інтерференційної електронної мікроскопії застосовано для вимірювання коерцитивної сили, магнітного насичення та залишкової намагніченості ізольованих нікелевих частинок. Нікелеві частинки правильної сферичної форми радіусом від 10 до 100 мм одержували безпосередньо в інтерференційному електронному мікроскопі шляхом вибуху дротинки, який викликано проходженням через неї імпульсу струму. У разі зменшення розмірів ізольованих частинок автори спостерігають зменшення магнітного насичення і зростання коерцитивної сили. За наявності поблизу інших частинок, із зменшенням віддалі до них, величина коерцитивної сили має більш плавну залежність від розмірів і менше абсолютне значення. Це спостереження вказує на внесок міжчастинкової взаємодії.

Розвинуто мікроскопічний підхід, що дозволяє отримати точний розв'язок самоузгодженого рівняння для типу Ліппмана-Швінгера. Головна ідея підходу полягає в точному підсумовуванні нескінченного ряду ітераційної процедури для самоузгодженого інтегрального рівняння за допомогою діаграмної техніки. Запропонований метод дозволяє обчислювати картину розподілу ближнього поля для скануючої мікроскопії ближнього поля. А саме, цей метод може бути корисним при обчислюванні ближнього поля системи, що складається з об'єкту та малого зонду. Тоді зонд можна вважати квазі нуль-вимірним об'єктом. Таке припущення дозволяє брати до уваги процеси багаторазового розсіювання тільки всередині об'єкту та при взаємодії між об'єктом та зондом. Точний розв'язок для самоузгодженої системи рівнянь отримано в термінах ефективної сприйнятливості системи. Обговорюється застосування методу для розгляду програми визначення орієнтації великих молекулярних комплексів.

Побудовано математичну модель п'єзоелектричної реєстрації фотоакустичного ефекту в оптично напівпрозорих і термічно товстих твердотільних об'єктах із підповерхневою неоднорідністю для випадку вільного кріплення п'єзодатчика в фотоакустичній комірці фотоакустичного мікроскопу. Модель дозволяє оцінити вплив підповерхневих дефектів на фотоакустичний сигнал, а також врахувати внесок цього фактора у вихідний сигнал досліджуваних об'єктів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.8

Рубрики:

Органічні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-03

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + К234.104.011.1

Рубрики:

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.24

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.715.1 + К232.402 с116

Рубрики:

Термоелектричні явища

Кристалічна будова свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.271

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ