Наведено результати досліджень можливостей нанесення захисних карбідохромових покриттів на внутрішні поверхні виробів із сталі ХВГ. Дослідження проведено на лабораторній установці, розробленій з цією метою. Осадження покриттів проведено з газової фази хроморганічної рідини "БАРХОС". Установлено, що запропонована конструкція установки дозволяє осаджувати покриття зі швидкістю 5 мкм/хв за високої ефективності використання реагенту, що застосовують. Нерівномірність товщини покриття вздовж виробу є істотно нижчою за технологічні допуски виготовлення виробів. Проведені дослідження показали, що дані покриття мають високу корозійну та ерозійну стійкість і дозволяють згладжувати сильно розвинутий рельєф поверхні, на яку їх наносять.

Вивчено вплив окисно-відновного потенціалу середовища вирощування та відпалу на механічні характеристики монокристалів корунду. Досліджено характер крихкого руйнування поверхні кристалів під час мікроіндентування, а також стійкості кристалів до ударних навантажень і стирання у процесі шліфування. Оцінено роль активаторно-вакансійних комплексів під час механічного руйнування кристалів. Запропоновано спосіб підвищення стійкості активованих монокристалів корунду та лейкосапфіру до зносу.

Досліджено процес електрохімічного осадження Re із фторвмісних електролітів. Установлено, що швидкість електроосадження світлих металевих ренієвих покриттів є у 3 - 4 рази вищою, ніж у відомих сульфатних електролітах. Товщина покриттів, одержаних за один цикл електроосадження - відпал, складає 3 - 5 мкм у порівнянні з 1 - 2 мкм із сульфатних. Покриття можна наносити на мідь, ковар, молібден, нержавіючі сталі тощо. Є можливість одержати чорні ренієві покриття оксидно-гідроксидного типу з високим коефіцієнтом світлопоглинання - 96 - 97 %, що можуть застосовуватися як антиемісійні.

Розглянуто вплив дії потужного лазерного імпульсу на умови лазерної обробки поверхні матеріалу з урахуванням нелінійності поглинання імпульсу в об'ємі матеріалу. Одержано точний аналітичний розв'язок відповідної задачі теплопровідності у вигляді просторово-часового розподілу температури. На базі цього розв'язку розглянуто динаміку температури на поверхні, яка визначає вищезазначені граничні умови. Показано, що урахування нелінійності об'ємного поглинання з використанням дворівневої моделі завжди призводить до підвищення порога руйнування матеріалу.

Досліджено процеси тепломасопереносу та кінетики кристалізації під час вирощування нанорозмірних епітаксійних шарів методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву. Спектри фотолюмінесценції одержаних гетероструктур, які містять квантову яму, та легованих надграток на основі арсеніду галію пов'язано з оптичними переходами в межах квантово-розмірного шару, а в надгратках, окрім того, і з рекомбінацією крізь непряму в реальному просторі заборонену зону.

На поведінку бульбашки газу біля фронту кристалізації впливають термокапілярна конвекція Марангоні, а також зміни теплового поля та гідродинамічного потоку розплаву внаслідок близькості межі розділу фаз. З'ясовано, що біля фронту кристалізації термокапілярна течія послаблюється, а сила Марангоні, що діє на бульбашку, зменшується.

Досліджено вплив деяких зовнішніх факторів на ефект взаємодії напівпровідників з фотоемульсією. Показано, що вплив жевріючого розряду на хемографічну активність напівпровідника обумовлено не прямою дією іонів на його поверхню, а молекулами, які народилися в середовищі жевріючого розряду та можуть виступати каталізаторами окиснювальних процесів на поверхні Si.

Запропоновано конструкцію сенсора, яка складається з акустоелектронного елемента на поверхневих акустичних хвилях з нанесеними на робочу поверхню між зустрічно-штирьовими перетворювачами шарами матеріалів, чутливих до заданого хімічного елемента. Вибірність сенсора визначається сполучуваністю властивостей та структури матеріалів шарів.

Проведено дослідження та аналіз вольт-амперної характеристики контактів пошарово травлених GdBaCuO-плівка/Si-підкладка структур залежно від типу провідності Si, рівня його легування та температури. GdBaCuO плівки нанесено магнетронним розпорошенням безпосередньо на Si без використання будь-яких буферних шарів. У процесі послідовного селективного травлення структури було виявлено силікатні та силіцидні шари, що утворились внаслідок взаємодії між кремнієм і GdBaCuO-плівкою стехіометричного складу. Проведено дослідження їх електропровідності та на основі цього запропоновано модифіковану зонну діаграму таких контактів. Головну роль під час переносу струму в ній відіграють механізми переносу заряду за перехідним шаром. Проведено порівняльний аналіз цих механізмів з механізмами переносу заряду в структурах високотемпературний напівпровідник - плівка - іонно-імплантований кремній.

Наведено результати вивчення корозійної стійкості поверхні монокристалів корунду залежно від методу їх вирощування, кристалографічної орієнтації, структурної досконалості та способу механічної обробки. Використано метод пошарового травлення монокристалів конденсованою фосфорною кислотою з наступним атомно-абсорбційним визначенням алюмінію, який перейшов у розчин.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено можливість отримання градієнтних функціональних матеріалів методом спікання продуктів термолізу водних розчинів солей. Осадженням термолізних часток на металевих і керамічних підкладках отримано газонепроникні електролітні шари зі стабілізованого діоксиду цирконію кубічної модифікації. Показано, що термолізна передісторія забезпечує фазову та температурну однорідності часток, що осаджуються; незначну тривалість (~1 мс) твердофазного синтезу кубічної модифікації стабілізованого діоксиду цирконію та спікання контактуючих матеріалів внаслідок розвитку ефективної об'ємної дифузії за температур часток і підкладок близьких до 1900 - 2100 К. Розглянуто можливість застосування методу для отримання твердих оксидних електролітів для паливних елементів.

Запропоновано шляхи розв'язання проблеми якісного та кількісного аналізів рентгенофлуоресцентного спектра у межах єдиної математичної задачі повнопрофільного аналізу. За базис для розкладання спектра обрано апроксимовані сплайнами експериментальні форми профілів однокомпонентних еталонів. Показано, що межа виявлення накладених ліній визначається точністю апроксимації форми профілю і може бути знижена шляхом різницевої обробки.

Індекс рубрикатора НБУВ: К390.45-18

Рубрики:

Гаряче пресування. Спікання металевих порошків і металокерамічних сумішей

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К93

Рубрики:

Матеріали у приладобудуванні

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43

Рубрики:

Голографія

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 + К230.21

Рубрики:

Дефекти

Структура монокристалів кольорових металів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.541.2 + В374.9 + К232.502.1

Рубрики:

Люмінесценція твердих тіл. Люмінесценція кристалів (кристалолюмінесценція)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ