Досліджено процес іонізації атомів Sr електронним ударом з основного та метастабільних рівнів з застосуванням техніки перехресних атомного й електронного пучків. Визначено абсолютні величини повного перерізу іонізації атомів з основного та з метастабільних станів, які дуже відрізняються.

Монографія присвячена узагальненню досягнутого з розробки і застосування доплерівської томографії - нового методу дослідження емісії атомних частинок з поверхні твердого тіла. Викладені теоретичні основи доплерівської томографії, описаний прилад для її реалізації і результати перших робіт з вивчення цим методом диференціальних характеристик потоку частинок, що емітуються при іонному опроміненні поверхні металів.

Викладено основні емісійні явища, які мають місце на нагрітій поверхні твердого тіла і при її зондуванні електричним полем, фотонами, електронами та іонами, а також методи аналізу і дослідження мікроскопічних характеристик поверхні, які базуються на цих явищах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основні закономірності та механізми емісійних явищ, які тривають у разі нагрівання поверхні твердого тіла або дії на неї електричного поля, фотонів, електронів, іонів. Розглянуто методи аналізу та дослідження на атомному рівні мікроскопічних характеристик поверхні, які грунтуються на даних емісійних явищах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження ізотермічної екзоелектронної емісії (ЕЕЕ), зумовленої термоактивованими та тунельними електронними релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, утворюваних іонізуючим радіаційним опроміненням, і яка відбувається в процесі опромінення лужно-галоїдних кристалів, а також відразу після його припинення, супроводжуючи релаксацію збудженої поверхні. Розраховано величини температурно-залежної та температурно-незалежної компонент струму ізотермічної ЕЕЕ та характеристичні часи їх загасання. Порівняно внески термоактивованих і тунельних рекомбінацій у результуючий струм ізотермічної ЕЕЕ та встановлено, що для часів загасання, сумірних з характеристичними, температурно-залежна компонента струму, зумовлена термоактивованими релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, є переважаючою.

Решена задача о влиянии микрокапель, находящихся в двойном электрическом катодном слое, на эмиссию электронов с поверхности катода, когда ток обратных электронов мал по сравнению с током эмиссии. Результаты расчетов показывают, что при определенных условиях напряженность поля на поверхности катода и плотность термоэмиссионного тока из катода вблизи капли могут возрасти в несколько раз.

Ключ. слова: оксид цинка, фосфид галлия, полевая электронная эмиссия, квантоворазмерные эффекты, вольт-амперные характеристики
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + В377.13

Рубрики:

Нанотехнології

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж28852/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91 + В371.236 + В377.13

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрена ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3 - 5 при кпд до 11 - 13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассмотрено умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %.

Досліджено електронну та фотонну емісії з острівцевих плівок вуглецю та кремнію, а також пористого кремнію під час пропускання крізь них струму або опромінення імпульсним лазерним випромінюванням. Розглянуто вплив нанесених на поверхню наночастинок адсорбантів на процеси електронної та фотонної емісій з них. Встановлено, що адсорбовані на поверхні наночастинок молекули BaO, а також води можуть значною мірою впливати на емісійні властивості таких частинок. Отримані результати пояснено в рамках моделі розігріву електронного газу в наночастинках вуглецю та кремнію під час протікання крізь них струму або лазерного опромінювання. Результати роботи можуть знайти своє застосування у розробці нових оптоелектронних пристроїв на основі нанодисперсних систем вуглецю та кремнію.

Досліджено електронні процеси під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами за допомогою нестаціонарних імпульсних методів. Вивчено нове явище - високоефективну електронну гетерогенну акомодацію енергії хімічних реакцій. Доведено, що для електронно-збуджених твердих тіл електронний канал акомодації енергії може бути основним та визначати швидкість гетерогенних хімічних процесів. Розроблено механізми вивчених явищ. Проведено комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабільних твердих тіл в актах непружних зіткнень з атомними частками. Зроблено оцінку констант взаємодії. Описано методи дослідження твердого тіла, що дають можливість визначати енергетичну глибину електронних станів і відносну концентрацію центрів випромінювання.

  Скачати повний текст

Розроблено новий підхід до розрахунку оптимальних схем методу селективної фотоіонізації атомів та їх характеристик з іонізацією імпульсним електричним полем (скрізь рідбергівські стани) й автоіонізацією (автоіонізаційні резонанси). На підставі нового методу розрахунку штарківських і автоіонізаційних резонансів у полі одержано нові дані для резонансів у лужних і рідкоземельних атомах. Розраховано характеристики конкретних схем селективної фотоіонізації. Вперше розвинуто нові моделі розрахунку в схемах селективної фотоіонізації процесів іонізації за рахунок зіткнень, які базуються на формалізмі Т матриці зіткнень, модельній теорії збурень, методу псевдопотенціалу (схеми з асоціативною іонізацією тощо). Вперше з виколристанням числового методу реалізовано оптимізаційні моделі селективної фотоіонізації з іонізацією електричним полем, за рахунок зіткнень та автоіонізацією.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13 в641

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено фізичні основи термо- та автоелектронної, а також вторинної електрон-електронної емісій. Докладно розглянуто процес адсорбції газів і металів на поверхні твердих тіл. Розглянуто види адсорбції, природу адсорбційних сил, вплив адсорбції на електронні властивості матеріалу. Розкрито поняття адсорбційної рівноваги, описано метод вивчення процесу адсорбції за зміною роботи виходу. Увагу приділено методу контактної різниці потенціалів (КРП) для вивчення адсорбції моноатомних шарів на металах.