Досліджено електронні процеси під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами за допомогою нестаціонарних імпульсних методів. Вивчено нове явище - високоефективну електронну гетерогенну аккомодацію енергії хімічних реакцій. Доведено, що для електронно-збуджених твердих тіл електронний канал аккомодації енергії може бути основним та визначати швидкість гетерогенних хімічних процесів. Розроблено механізми явищ, які вивчаються. Проведено комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабільних твердих тіл в актах непружних зіткнень з атомними частками. Зроблено оцінку констант взаємодії. Описано методи дослідження твердого тіла, що дають можливість визначати енергетичну глибину електронних станів та відносну концентрацію центрів випромінювання.

  Скачати повний текст

Показано вплив модифікації, кристалічної орієнтації та хімічної чистоти поверхні на процеси пружного та непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів. Досліджено енергетичні залежності інтенсивності пружного розсіювання електронів і спектрів втрат різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованим гранями (111), (100), (110) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисленими шарами Mg. Визначено параметри об'ємних іповерхневих електронних станів досліджених об'єктів. Встановлено взаємозв'язок між особливостями в енергетичних залежностях інтенсивності пружного зворотного розсіювання електронів низьких енергій та у спектрах втрат енергії зі збудженням електронних переходів між точками, які відповідають максимумам густини об'ємних і поверхневих електронних станів у приведеній зоні Бріллюена даних об'єктів.

  Скачати повний текст

Розроблено новий підхід до розрахунку оптимальних схем методу селективної фотоіонізації атомів та їх характеристик з іонізацією імпульсним електричним полем (скрізь рідбергівські стани) й автоіонізацією (автоіонізаційні резонанси). На підставі нового методу розрахунку штарківських і автоіонізаційних резонансів у полі одержано нові дані для резонансів у лужних і рідкоземельних атомах. Розраховано характеристики конкретних схем селективної фотоіонізації. Вперше розвинуто нові моделі розрахунку в схемах селективної фотоіонізації процесів іонізації за рахунок зіткнень, які базуються на формалізмі Т матриці зіткнень, модельній теорії збурень, методу псевдопотенціалу (схеми з асоціативною іонізацією тощо). Вперше з виколристанням числового методу реалізовано оптимізаційні моделі селективної фотоіонізації з іонізацією електричним полем, за рахунок зіткнень та автоіонізацією.

  Скачати повний текст