Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення.

Предложен метод оценки задержек временных сигналов в переключательных МОП-цепях, не требующий (в отличие от известных) проведения временного анализа проектируемой схемы и учитывающий особенности функционирования МОП-транзисторов в переключательных цепях. Приведено описание основных этапов реализации метода и экспериментальные данные, подтверждающие его практическую ценность.

Рассмотрен метод расчета заряда емкостного накопителя энергии со схемой преобразователя - обратноходного однотактного импульсного инвертора напряжения. Данный метод повысит точность расчета при проектировании подобных устройств.

An analysis of switching actions in self-excited transistor converter carry out. Formulae are derive for determination of the duration switching action, addition dissipated by the transistor power and real efficiency of the converter. That formulae are nacessary for determination maximal operating frecuency of the self-excited transistor converter and optimization parameters power transformer of the converter.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено метод аналізу транзисторних інверторів інваріантних перетворювачів електроенергії з трапецеїдальною формою вихідної напруги.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:

Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Сформульовано вимоги до форм колекторного струму та напруги, за яких досягається максимальний ККД транзисторного підсилювача НВЧ потужності (ТПП) з максимальною вихідною потужністю. Доведено, що такі форми будуть єдиними. Проведено оцінку внеску у зріст ККД ТПП НВЧ параметричних ефектів трансформації енергії вищих гармонік колекторного струму та напруги в енергію основної гармоніки на нелінійній ємності колекторного переходу.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами.

Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення.

Рассмотрены схемные особенности построения импульсных генераторов для импульсного возбуждения ультразвуковых пьезоэлектрических преобразователей на современных полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET-транзисторы). Приведены две практические схемы генераторов, дано описание выбора основных элементов электрической схемы.

Висвітлено основні питання фізики напівпровідників, принципи побудови та функціонування напівпровідникових діодів, біполярних, польових транзисторів, інтегральних цифрових та аналогових мікросхем, тиристорів, приладів із зарядним зв'язком і оптронів. Розглянуто характеристики, параметри, схеми вмикання, еквівалентні схеми та особливості використання даних приладів.

Розглядаються характеристики та особливості сигналів у електронних ланцюгах, електронні ключові схеми, генератори імпульсних сигналів. Описуються параметри сигналів, методи дослідження електронних ланцюгів, перехідні та частотні характеристики імпульсних ланцюгів. Характеризуються різновиди ключових каскадів на біполярних транзисторах, очікуючі мультивібратори, транзисторні тригери та ін.

Цифрова схемотехніка є одним з новітніх розділів радіоелектроніки, який набуває дедалі все більшого значення. Цифрові пристрої і цифрові методи подання і передачі інформації знаходять широке застосування у техніці зв'язку, звукозапису, телебаченні, телеметрії і автоматиці, а найголовніше - лежать в основі усієї сучасної електронно-обчислювальної техніки. В основі роботи усіх цифрових пристроїв лежить ключовий режим роботи транзисторів, який розглядається у першому розділі книги. Далі йдуть розділи про логічні елементи і мікросхеми, комбінаційні пристрої (арифметичні і логічні), елементи пам'яті (тригери, регістри, лічильники, запам'ятовуючі пристрої) та перетворювачі аналогової і цифрової інформації. Наприкінці, на основі усього викладеного вище матеріалу, розглядаються принципи роботи мікропроцесорів і малих електронно-обчислювальних машин.

Наведено результати розробки та дослідження одноключового силового модуля на базі МДП-транзистора для електропривода двигуна занурювального насоса. Модуль вміщує формувач керуючих сигналів із оптронною розв'язкою інформаційних та силових ланцюгів, схему демпфірування, суміщену із формувачем напруги живлення модуля, пристрої захисту від коротких замикань й перегрівання.

Досліджено вплив динамічних втрат у транзисторах на ККД та оптимальне навантаження транзисторного інвертора з індуктивно-ємнісним перетворювачем і визначено ступінь цього впливу.

Розглянуто вимоги до елементів напівпровідникових мікросхем, їх технологічні та конструкторські особливості. Висвітлено питання розрахунку елементів напівпровідникових мікросхем, а також вибір фізичної структури, розрахунок діодів, транзисторів, конденсаторів і резисторів. Описано основні правила проектування топології напівпровідникових мікросхем та вимоги до конструкторської документації. Відображено питання проектування схем на структурах метал - діелектрик - напівпровідник. Наведено велику кількість довідкового матеріалу та числові приклади розрахунків.

Изложена методология системотехнического подхода при постановке экспериментальных исследований на новом уровне, соответствующем современным техническим средствам, с целью повышения эффективности и методического уровня проведения лабораторных работ по электротехническим дисциплинам (ЭТД). Рассмотрены новые возможности моделирования реальных электротехнических объектов (ЭТО) на ЭВМ, современные алгоритмы оценивания параметров математических моделей ЭТО, а также вопросы планирования оптимальных экспериментов, автоматизированного проведения экспериментов в системе "компьютер - АЦП - ЦАП - универсальный стенд по ЭТД". Приведены математические модели некоторых элементов электрической цепи - резистора, транзистора RLC-двухполюсника.

Представлены результаты научных исследований в области механики, кораблестроения и энергетики. Информируется о корректности вывода тождеств и уравнений Лагранжа, о повреждениях в случае сложных напряженных состояний, об уточнении реологических моделей твердого тела. Рассматриваются модульные методы и принципы проектирования малых морских судов, предложена разработка математической модели определения основных характеристик корпуса полупогружных плавучих сооружений, схемное моделирование экстремальных режимов судовых электростанций постоянного тока, определение частоты транзисторного преобразователя напряжений. Анализируются основные отказы в замкнутых водоциркуляционных системах охлаждения жидкости, состояние и пути совершенствования электроэнергетики Украины и др.