Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Vlaskina S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 19
Представлено документи з 1 до 19
      
Категорія:    
1.

Oleksenko P. Ph. 
Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films = Дослідження електрофізичних характеристик СВД на основі GaN епітаксійних плівок / P. Ph. Oleksenko, G. A. Sukach, P. S. Smertenko, S. I. Vlaskina, A. B. Bogoslovskaya, I. O. Spichak, D. H. Shin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 112-115. - Библиогр.: 12 назв. - англ.


Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:
 Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Vlaskina S. I. 
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC / S. I. Vlaskina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 152-155. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.

Сильно леговані азотом монокристали 6H-SiC перетворено на 3C-SiC. Процес перетворення у 3C-SiC був повністю завершеним, коли 6H-SiC відпалювалися у вакуумі за присутності парів кремнію протягом однієї години за температури 2180 K або 4-х годин за температури 2080 K. Вивчено механізм твердотільного перетворення. З вимірів ефекту Хола та спектрів ЕПР розраховано концентрації некомпенсованої донорної та азотної домішок і показано зменшення концентрації азоту у перетворених кристалах 3C-SiC. Експериментальні дані свідчать про появу нових дефектів - донорного й акцепторного типу, які перетворюють домішку азоту на електрично й оптично неактивну. Ці дефекти супроводжують процес перетворення.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379

Рубрики:
 Фізика напівпровідників та діелектриків 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Boltovets N. S. 
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBVIxD and ZrBVIxD amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Vlaskina S. I. 
Silicon carbide LED / S. I. Vlaskina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 71-75. - Бібліогр.: 2 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З861.1-04

Рубрики:
 Волоконна оптика 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Vlaskina S. I. 
Boron, aluminum, nitrogen, and oxygen impurities in silicon carbide / S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, S. A. Podlasov, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 21-25. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Vlaskin V. I. 
Flexible electroluminescent panels / V. I. Vlaskin, S. I. Vlaskina, O. Yu. Koval, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 16-20. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В342.8 + В345.4

Рубрики:
 Окремі види оптичних приладів 
 Електролюмінесценція 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Vlaskin V. 
Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps / V. Vlaskin, S. Vlaskina, L. Berezhinsky, G. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 2. - С. 173-177. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В345.4 + В341

Рубрики:
 Електролюмінесценція 
 Експериментальні методи та апаратура оптики 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Vlaskina S. I. 
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 432-436. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3 + В379.24

Рубрики:
 Фотолюмінесценція 
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Lee S. W. 
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC / S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 24-29. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Vlaskina S. I. 
Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. W. Lee // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 2. - С. 132-135. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:
 Структура напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Vlaskina S. I. 
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, L. V. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 155-159. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Vlaskina S. I. 
Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4. - С. 380-383. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.226

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Vlaskina S. I. 
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 4. - С. 448-451. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.24

Рубрики:
 Напівпровідникові наноструктури 
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Vlaskina S. I. 
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 62-66. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and thin films with in-grown defects during phase transformations have been studied. On the deep-level(DL)-spectra, as an example, their characteristics and behavior were investigated. It has been shown that all DL spectra have the same logic of construction and demonstrate identical behavior of the thin structure elements.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
15.

Vlaskina S. I. 
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 2. - С. 209-214. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Vlaskina S. I. 
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 3. - С. 273-278. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:
 Сонячні батареї 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Vlaskina S. I. 
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 3. - С. 344-348. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В345.3

Рубрики:
 Наноструктури 
 Фотолюмінесценція 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
18.

Vlaskina S. I. 
Nano silicon carbide's stacking faults, deep level's and grain boundary's defects = Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен / S. I. Vlaskina, G. S. Svechnikov, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, V. V. Lytvynenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 5. - С. 05021-1-05021-6. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

Проаналізовано фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають під час вирощування. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектра відображають закономірності політичної структури SiC. Аналіз спектра нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і границь зерен в фотолюмінесцентному спектрі надає змогу контролювати процеси фазових перетворень під час вирощування кристалів та плівок, а також у разі проведення технологічних операцій. Більш того, це також надає змогу в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь у фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 Ангстрем (або 1,075 меВ).


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В379.22

Рубрики:
 Наноструктури 
 Структура напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
19.

Vlaskina S. I. 
Characterization of nano-bio silicon carbide = Характеристика нанобіокарбіду кремнію / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, I. L. Shaginyan, P. S. Smertenko, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 4. - С. 346-354. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.2

Рубрики:
 Напівпровідникові наноструктури 
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського