Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Teteris J$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Teteris J. 
Amorphous chalcogenide semiconductor resists for holography and electron-beam lithography / J. Teteris, T. Jaaskelainen, J. Turunen, K. Jefimov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 580-584. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В343.43

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 
 Голографія 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Jefimov K. 
Electron beam recording of multilevel diffractive optical elements in amorphous As - S - Se films / K. Jefimov, M. Honkanen, P. Laakkonen, J. Turunen, T. Jaaskelainen, J. Teteris // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 569-574. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Досліджено використання аморфних плівок As - S - Se як резистів для запису дифракційних елементів за допомогою електронного променя з застосуванням органічного лужного проявника. Виявлено, що осаджені плівки As - S - Se поводяться відносно цього проявника як негативний резист, а плівки, відпалені при 190 °C - як позитивний резист. Запропоновано тепловий механізм запису. Дифракційні гратки з різними параметрами були записані в осаджених і термооброблених плівках. Виявлено лінійну залежність глибини профілю від дози, що дозволяє створювати тримірні структури з бажаною формою профілю на основі цих резистів. Продемонстровано деякі бінарні та восьмирівневі похилі гратки.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського