Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3

Рубрики:

Фізика діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто питання впливу електромагнітної спін-орбітальної взаємодії на рух іонів у кристалах за умови нестабільної траєкторії в разі площинного квазіканалування. Показано, що спін-орбітальна взаємодія може спричинити поляризацію частинок, які розсіялися під кутами, близькими до кута дзеркального відбиття від кристалографічних площин, і залишили кристал. Запропоновано схему експериментальної перевірки ефекту. Схему випробувано та підтверджено доцільність і можливості її використання.

We generalize the central extension of the (1+1)-dimensional Poincare algebra by including fermionic charges which obey not supersymmetric algebra, but special graded algebra containing in the right hand side a central element only. We verify selfconsistency of Jacobi identities and derive the Casimir operator. Then we introduce the correspondent gauge fields and construct the classical gauge theory based on this graded algebra, present field transformations and derive the black hole mass in (1+1)-dimensions.

Проаналізовано можливості використання пружного, ядерного, резонансного, зворотного розсіяння іонів у процесі дослідження матеріалів. Розглянуто широкі резонанси, для яких у значній енергетичній області переріз розсіяння змінюється плавно. За такої умови зберігається порівняна простота одержання інформації, що є властивою методу резерфордівського розсіяння, і, разом із тим, підвищується чутливість до виявлення легких домішок. Ядерне резонансне розсіяння завжди супроводжується потенціальним і кулонівським розсіяннями. Перелічені складові є когерентними, а тому інтерферують. Така особливість даного типу ядерної реакції проявляється й у разі використання резонансного розсіяння в роботах з аналізу матеріалів. Залежно від параметрів рівня складеного ядра інтерференція може бути як конструктивною (переріз зростає), так і деструктивною (переріз зменшується). Для підвищення чутливості в першому випадку використовують розсіяння на ядрах домішки, а в другому - на ядрах основи, для зменшення фону. Фізичні принципи підтверджуються взятими з практики прикладами дослідження домішок азоту в берилії та кисню в кремнії.

За допомогою ядерних аналітичних методів резерфордівського зворотного розсіяння та індукованого частинками характеристичного рентгенівського випромінювання досліджено поверхневі наношари структури золото - кремній. Від параметрів цих шарів кардинально залежать електротехнічні властивості побудованих на їх основі електронних приладів. Вимірювання виконано на прецизійній мікроаналітичній установці "Скануючий ядерний зонд" щойно введеній в експлуатацію в лабораторії "Спектр". Експеримент показав, що товщина шару золота, напиленого на поверхню зразків, дорівнює ~ 17 нм (для одного зразка) і ~ 20 нм (для другого зразка). Неоднорідність товщини цих шарів по поверхні не перевищує 1,6 нм і не виходить за межі похибки експерименту. Під золотом, у проміжному шарі золото - кремній, виявлено значну кількість домішки. Ймовірно, що це залишок фтору після технологічної операції травлення поверхні кремнію в суміші кислот, куди входить і плавикова кислота. Показано, що кількість виявленого фтору для серії вимірів сильно корелює з величиною струму альфа-частинок на мішені під час набору спектра. Очевидно, що локальний нагрів мішені залежить від величини струму. Звідси випливає різна швидкість локальної дифузії атомів фтору з поверхні мішені.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

До типової схеми зворотного розсіяння додається монітор-переривник пучка прискорених іонів. Процедура вимірювання товщини тепер потребує набору двох спектрів. Один спектр отримується для досліджуваної мішені, а другий - для мішені, що імітує товсту підкладку. Однакові експозиції за набору обох спектрів забезпечуються монітором-переривником. Якщо підібрати підкладку з того ж самого хімічного елемента, що й досліджувана мішень, то кінцева формула для розрахунку товщини значно спрощується. Сфера застосування методу поширюється як на самопідтримуючі плівки, так і на поверхневі шари.