Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Ryzhikov V$<.>) | ||||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 58 Представлено документи з 1 до 20 |
||||||
| ||||||
| 1. | Grinyov B. V. Scintillation detectors and systems of radiation monitoring on their base = Сцинтиляційні детектори та системи контролю радіації на їх основі : монографія / B. V. Grinyov, V. D. Ryzhikov, V. P. Seminozhenko; Nat. acad. of sciences of Ukraine, Inst. for scintillation materials, STC "Inst. single crystals". - Kyiv : Akademperiodyka, 2010. - 342 c. - (Project "Ukrainian scientific book in a foreign language"). - англ. Розглянуто проблеми створення широкого комплексу приладів контролю радіаційного стану та пристроїв неруйнівного контролю з застосуванням методу цифрової радіографії. Наведено дані про принципи створення детекторів типу сцинтилятор-фотодіод, вимоги до електроніки для їх застосування й основні принципи її побудови. Розглянуто практичне використання приладів і систем. Описано нові можливості цифрової радіографії з застосуванням оригінальних методів мультиенергетичності та переваги таких систем на базі детекторів сцинтилятор-фотодіод з використанням ексклюзивного сцинтилятора ZnSe(Te). Індекс рубрикатора НБУВ: З42-5,021 + В381.59,021 Рубрики: Шифр НБУВ: ВС50600 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 2. | Antroshchenko L. V. Crystals Cdsub1-x/subZnsubx/subTe - a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparation, structure defectness and electrophysical properties / L. V. Antroshchenko, S. N. Galkin, L. P. Gal'chinetskii, A. I. Lalayants, I. A. Rybalka, V. D. Ryzhikov, V. I. Silin, N. G. Starzhinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 81-85. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 3. | Burachas S. F. Advanced scintillation single crystals based on complex oxides with large atomic number / S. F. Burachas, L. L. Nagornaya, G. M. Onishchenko, L. A. Piven', E. N. Pirogov, V. D. Ryzhikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 237-239. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Розроблено технологію отримання сцинтиляційних монокристалів на основі складних оксидів з великим атомним номером - германату вісмуту (ВGO), силікату гадолінію (GSO), вольфраматів кадмію (CWO) та свинцю (PWO). Сцинтилятори на їх основі мають задовільне енергетичне розділення та світловий вихід, високу ефективність реєстрації, високу радіаційну стійкість, механічну тривкість, є негігроскопічними. Це робить їх придатними для використання в якості детекторів випромінювання у фізиці великих енергій (PWO), у приладах радіаційного та радіоекологічного контролю (BGO, CWO и GSO). Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 4. | Ryzhikov V. D. Scintillators based on zinc selenide and ticor for detection of charged particles / V. D. Ryzhikov, E. A. Danshin, N. G. Starzhinski, E. A. Losseva, V. V. Chernikov, L. A. Litvinov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 233-236. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 5. | Volkov V. G. Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te) / V. G. Volkov, V. P. Gavrilyuk, L. P. Gal'chinetskii, B. V. Grinyov, K. A. Katrunov, V. D. Ryzhikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 191-194. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Отримано високоефективний сцинтиляційний детектор на основі матеріалу ZnSe(Te) у сполученні з кремнієвим фотодіодом для реєстрації beta- і низькоенергетичного gamma-випромінювання. Як сцинтилятор використано конгломерат із дрібнокристалічних зерен ZnSe(Te). Шляхом моделювання процесу світлозбирання визначено оптимальні форми зерен, відбиваючі покриття та склад дисперсного середовища. Запропоновано форми світловодів для найбільш ефективної передачі світла від сцинтилятора великої площі до фотоприймача у лічильному і спектрометричному режимах вимірів. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 6. | Koshkin V. M. Interaction of defects and radiation properties of multicomponent semiconductors / V. M. Koshkin, A. L. Zazunov, V. D. Ryzhikov, L. P. Galchinetsky, N. G. Starzhinsky // Functional Materials. - 2001. - 8, № 2. - С. 240-248. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Розглянуто вплив зон абсолютної рекомбінації та абсолютного витіснення взаємодіючих дефектів гратки. Показано, що відштовхування дефектів, так само, як їх притягання, призводить до зменшення асимптотичної концентрації радіаційних дефектів у разі великих доз опромінення і до зростання радіаційної стійкості матеріалів за малих доз. Показано, що відхилення від стехіометрії у двокомпонентних кристалах значно впливають на радіаційну стійкість, а добір термодинамічних параметрів синтезу кристалів дозволяє регулювати кількість радіаційних дефектів, зокрема, забезпечувати можливість підвищення радіаційної стійкості стосовно дефектів в обох підгратках. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 7. | Ryzhikov V. D. Studies of effects of isovalent dopants on spectral-kinetic and scintillation characteristics of ZnSe crystals / V. D. Ryzhikov, L. P. Gal'chinetskii, S. N. Galkin, E. A. Danshin, E. K. Lisetskaya, V. V. Chernikov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 794-795. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. З використанням методу Бріджмена вирощено кристали ZnSe, які містять ізовалентні домішки, вивчено їх спектрально-кінетичні та сцинтиляційні характеристики. Встановлено, що на основі кристалів ZnSe можна розробити ефективні детектори типу сцинтилятор-кремнієвий-PIN-фотодіод (Сц-Si-PIN-ФД) для реєстрації заряджених часток. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 8. | Atroshchenko L. V. Influence of the growth parameters and subsequent annealing upon strustural perfectness, optical and mechanical properties of ZnSesub1 - ix/i; /subTesub; ix/i; /sub crystals / L. V. Atroshchenko, S. N. Galkin, L. P. Gal'chinetskii, I. A. Rybalka, V. D. Ryzhikov, V. I. Silin, N. G. Starzhinskiy // Functional Materials. - 2001. - 8, № 3. - С. 455-461. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 9. | Ryzhikov V. D. Luminescence of ZnSe(Te) crystals melt grown from the charge enriched in super-stoichiometric components / V. D. Ryzhikov, N. G. Starzhinskiy, L. P. Gal'chinetskii, S. N. Galkin, V. I. Silin // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 204-208. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 10. | Ryzhikov V. D. Neutron flux measurements using "scintillator - photodiode - preamplifier" system and new types of scintillators / V. D. Ryzhikov, S. F. Burachas, V. G. Volkov, E. A. Danshin, E. K. Lisetskaya, V. M. Svishch, V. V. Chernikov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 1. - С. 166-171. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 11. | Avdeenko A. A. Photoreceivers with Schottky barrier based on doped ZnSe crystals for UV radiation parameters metering devices / A. A. Avdeenko, L. P. Gal'chinetskii, G. Leo, V. P. Makhniy, Yo. Popowski, V. D. Ryzhikov, N. G. Starzhinskiy // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 224-227. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 12. | Gavrylyuk V. P. The calculation of optimum light collection condition in fine-crystal ZnSe(Te) based detector / V. P. Gavrylyuk, L. P. Galchinetsky, B. V. Grinyov, K. A. Katrunov, V. D. Ryzhikov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 796-800. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Розглянуто способи підвищення світлового виходу сцинтиляційного детектора на основі ZnSe(Te), який складається з зернин сцинтилятора, занурених у прозору клейову композицію, розташовану на світлочутливій поверхні фотодіода. Проведено розрахунок коефіцієнта світлозбирання у формах зерен: паралелограм, паралелограм із опуклістю однієї з сторін, 4-гранна піраміда, півсфера, 2- та 6-гранні призми. Показано, що найкращим варіантом для застосування в детекторі є 4-гранна піраміда з кутом нахилу сторін до основи 60 °. Вивчено вплив системи розташування зерен у композиції на світловий вихід детектора. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 13. | Ryzhikov V. D. Thermal neutrons flux measurements using detector sup6/supLiI(Eu) - Si - PIN - PD and a charge-sensitive preamplifier / V. D. Ryzhikov, V. V. Chernikov, E. A. Danshin, E. A. Losseva, N. N. Smirnov, O. V. Zelenskaya // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1. - С. 168-169. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 14. | Ryzhikov V. D. Ti:sapphire as new scintillator / V. D. Ryzhikov, L. A. Lytvynov, E. A. Danshin, Ye. V. Kryvonosov, E. A. Losseva, V. V. Chernikov // Functional Materials. - 2001. - 8, № 1. - С. 36-38. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 15. | Naidyonov S. V. Outlook for development of a scintielectron detector with improved energy resolution / S. V. Naidyonov, V. D. Ryzhikov // Functional Materials. - 2000. - 7, № 3. - С. 390-397. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 16. | Ryzhikov V. D. 1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWOV4D, CsI(Tl), BiV3DGeV4DOV12D / V. D. Ryzhikov, S. N. Galkin, E. F. Voronkin, O. V. Zelenskaya, V. V. Chernikov, E. N. Pirogov, D. N. Kozin, E. K. Lisetskaya, V. L. Danilenko // Functional Materials. - 2004. - 11, № 1. - С. 201-204. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 17. | Ryzhikov V. Absolute light yield of ZnSe(Te) and ZnSe(Te,O) scintillators / V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, K. Katrunov, L. Gal'chinetskiy // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1. - С. 135-138. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. За методикою, що дозволяє враховувати вклад як швидких, так і повільних компонентів висвітлення, визначено абсолютний світловихід сцинтиляційних кристалів ZnSe(Te) та ZnSe(Te,O). Для порівняння використано еталонний зразок з відомим світловим виходом. Показано, що для ZnSe(Te) абсолютний світловий вихід вищий за такий у Csl(Tl) і може перевершувати його у 1,4 рази, це відповідає 76000 - 77000 фотон/МеВ. Для сцинтиляторів ZnSe(Te,O) світловий вихід становить 54000 - 56000 фотон/МеВ, що дорівнює світловому виходу сцинтилятора Csl(Tl). Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53 + К202 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 18. | Koshkin V. M. Comparative analysis of radiation-induced defect accumulation in $E bold roman {A sup II B sup VI} semiconductors / V. M. Koshkin, I. V. Sinelnik, V. D. Ryzhikov, L. P. Gal'chinetskii, N. G. Starzhinskiy // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 592-599. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 19. | Ryzhikov V. D. Effect of isovalent dopants upon spectral-kinetic characteristics of ZnSe crystals / V. D. Ryzhikov, N. G. Starzhinskiy, L. P. Gal'chinetskii, V. A. Tarasov, O. V. Zelenskaya, V. I. Silin, K. A. Katrunov, V. V. Chernikov // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1. - С. 139-142. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Подано результати стосовно методів одержання та властивостей напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) на основі кристалів селеніду цинка, ізовалентно легованих Te, O, Cd і S. Рентгенолюмінесценцію, катодолюмінесценцію та радіолюмінесценцію НПС досліджено за безперервного й імпульсного збудження. З урахуванням досліджених властивостей ці сцинтилятори, залежно від типу НПС, можуть знайти застосування в інтроскопії, для виготовлення катодолюмінесцентних екранів, в ядерній фізиці. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24 + К202 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 20. | Ryzhikov V. Effects of annealing in zinc vapor upon the electron spectrum formation of ZnSe(Te)-based scintillators / V. Ryzhikov, N. Starzhinskiy, K. Katrunov, L. Gal'chinetskii, I. Rybalka // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1. - С. 143-147. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| ||||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського