Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Rogozin I$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||
| 1. | Glazko G. V. Mutational hotspots in the p53 gene revealed by classification analysis = Классификационный анализ "горячих" сайтов мутаций гена p53 / G. V. Glazko, I. B. Rogozin, V. I. Glazko // Эксперим. онкология. - 2002. - 24, № 1. - С. 32-37. - Библиогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14160 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride / I. V. Rogozin // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2004. - Вып. 13. - С. 76-78. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332 + В379.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Rogozin I. V. Radical-beam geterising epitaction in technology of $E bold {A sup roman II~-~B sup roman VI} semiconductors / I. V. Rogozin // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 62-66. - Библиогр.: 4 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Rogozin I. V. Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy / I. V. Rogozin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 79-82. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Kotlyarevsky M. B. Photoluminescence and electrophysical properties of IpD-type ZnO layers implanted with V Group elements / M. B. Kotlyarevsky, I. V. Rogozin, O. V. Marakhovsky // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 616-621. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Rogozin I. V. Optical Properties of Nitrogen-Doped Epitaxial ZnO Layers / I. V. Rogozin // Ukr. J. Phys. Optics. - 2006. - 7, № 4. - С. 159-163. - Бібліогр.: 28 назв. - англ. Epitaxial nitrogen-doped ZnO (ZnO:N) films are obtained by the method of radical beam gettering epitaxy. Their optical properties are examinated by means of transmission and photoluminescence (PL) spectroscopy. The as-grown ZnO:N films show high transmittance (about 90%) in the visible range. A peak at 3.31 eV is seen in the low-temperature PL spectrum of the N-doped ZnO films, which is probably due to a neutral acceptor-bound exciton NO. Post-thermal annealing is performed on ZnO:N films in the atomic oxygen conditions. The PL of the annealed samples shows a strong response improvement, when compare with the non-annealed samples. The nature of the donor-acceptor band located at 3.23 eV and the 'green' band at 2.56 eV is discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Kidalov V. V. ZnO growth on macroporous Si substrates by HF magnetron sputtering = Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення / V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, Yu. Yu. Bacherikov, I. V. Rogozin, Vitali V. Kidalov // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03016-1-03016-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського