Якщо електричний струм проходить крізь рідкий метал, який вміщує чужорідні частинки, то в ньому навколо даних частинок виникають електромагнітогідродинамічні течії. Рушійною силою подібної конвективної течії є об'ємна сила Лоренця. У випадку розчинності речовини включення в рідині має місце електроконвективна дифузія, величину якої можна описати за допомогою числа Шервуда Sh. Об'єктами для опису даного явища взято дві пари, які утворюють відповідні системи: Cu(тв.)-Al(рідк.) і Ni(тв.)-Al(рідк.); і проведено розрахунки, а також наведено експериментальні дані.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3

Рубрики:

Фізика діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К209.1

Рубрики:

Вплив опромінювання на структуру і властивості металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.734.7

Рубрики:

Магнітострикція в феромагнітних металах

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5

Рубрики:

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В371.236

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З843.312

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів.

Подано огляд сучасних публікацій, присвячених питанням розробки і виготовлення фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії (сонячних елементів) на основі блочного полікристалічного кремнію (полі-Si). Розглянуто методи одержання злитків полікристалічного кремнію, механічної та хімічної обробок, характеристики полікристалічного кремнію залежно від розміру зерен і домішково-дефектного складу. Проаналізовано методи покращання параметрів полікристалічного Si (гетерування, обробки в різних середовищах, пасивувальні обробки). Розглянуто основні особливості сонячних елементів на основі полі-Si та технологічні режими їх виготовлення. Показано, що ефективність таких сонячних елементів практично наблизилась до ефективності, характерної для елементів, виготовлених на основі монокристалічного Si, отримуваного за методом Чохральського. Розглянуто деякі проблеми визначення часу життя неосновних нерівноважних носіїв заряду в полікристалічному матеріалі.

Проведен обзор современных публикаций, посвященных вопросам разработки и изготовления фотовольтаических преобразователей солнечной энергии (солнечных элементов) на основе блочного поликристаллического кремния (поли-Si). Рассмотрены методы получения слитков поликристаллического кремния, механическая и химическая обработки, характеристики поликристаллического кремния в зависимости от размера зерен и примесно-дефектного состава. Проанализированы методы улучшения параметров поликристаллического Si (геттерирование, обработка в различных средах, пассивирующие обработки). Рассмотрены основные конструктивные особенности солнечных элементов на основе поли-Si и технологические режимы их изготовления. Показано, что эффективность таких солнечных элементов практически приблизилась к эффективности, характерной для элементов, изготовленных на основе монокристаллического Si, получаемого методом Чохральского. Рассмотрены некоторые проблемы определения времени жизни неосновных неравновесных носителей заряда в поликристаллическом материале.

This review comprises modern publications devoted to problems of development and manufacturing photovoltaic solar energy converters (solar cells) based on block multicrystalline silicon (poly-Si). Methods of growing polysilicon ingots, mechanical and chemical treatment, characteristics of polysilicon depending on grain sizes and impurity-defect composition are considered. Methods of improving polycrystalline Si parameters (gettering, treatments in different ambients, passivating treatments) are analyzed. Basic design features of the poly-Si based solar cells and technological modes of their manufacturing are surveyed. It is shown that the efficiency value of such solar cells practically reaches that of similar devices manufactured using single-crystalline Si grown by the Czochralski method. Some problems of measurements of minority non-equilibrium charge carriers lifetime in polycrystalline material are surveyed.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено ріст алмазних плівок на кремнієвих підкладках за температур 180 - 360 °С, а також вплив типу джерела вуглеводнів на умови росту і якість алмазної плівки. Виконано серію експериментів для дослідження впливу температури підкладки на швидкість росту плівок та їх якість. Якість синтезованих плівок контролювалась методом комбінаційного розсіювання. Показано, що у разі використання метану як джерела вуглеводнів досягається швидкість росту до 1,5 мкм/год. Використання етану призводить до зменшення швидкості росту, але якість алмазної плівки та морфологія кристалітів покращуються. Зниження температури підкладки до 180 °С призводить до зменшення розмірів зерен та зменшення частки алмазної фази в плівці.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методами мас-спектрометрії нейтральних атомів з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоерс (який дозволяє визначити дифузійну довжину нерівноважних носіїв заряду) досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії. Досліджено гетери, утворені шаром кремнію з розвинутою поверхнею, а також комбіновані гетери (згаданий шар покривався тонкою плівкою алюмінію). Показано, що ефективність гетерування залежить від температури відпалу та характеру товщинного розподілу алюмінію, який, у свою чергу, залежить від режимів одержання структурно-розвинутого шару кремнію. Обговорено моделі гетерування, які дозволяють пояснити одержані результати.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.1

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372.8

Рубрики:

Кластери в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення.

This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined.

Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.256

Рубрики:

Дифузія і самодифузія в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ