The multiangular ellipsometric measurements were performed at two wavelengths 435 and 579 nm on the system that contains cadmium telluride film deposited onto the monocrystalline silicon substrate. The refractive index and the film thickness as well as their distribution over the sample area were determined. It has been shown that the refractive index of the film (2,15 - 2,35) is less than the refractive index of the monocrystalline cadmium telluride (~3) that can testify the porous structure of the film or about roughness of the film surface. Obtained dependences of values of the film optical parameters from the angle of incidence testify weak heterogeneity of film properties along its depth. It was detected that there are the false decisions of the ellipsometric equation for each angle of incidence.

Properties of cadmium telluride films on silicon substrate, distribution of thickness and refraction index over the sample area were investigated by the ellipsometric method. It was ascertained that the refraction index of cadmium telluride films on a silicon substrate was considerably less than that of monocrystalline CdTe and depends on the film thickness, increasing with the thickness growth.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л434.206.7

Рубрики:

Одержання тонких плівок на склі

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У спектральній області 366 - 579 нм виміряно головний кут та еліптичність світлової хвилі, відбитої від поверхні монокристалічного кремнію, вкритою плівкою телуриду кадмію (ТК). Представлено комп'ютерну графічну програму обробки еліпсометричних вимірів, за допомогою якої знайдено оптичні сталі та розподіл товщини плівки по площі зразка. Одержані значення показника заломлення (ПЗ) плівки ТК є значно меншими за ПЗ монокристалічного CdTe, що пояснюється пухкою структурою плівки.

На довжині світлової хвилі 632,8 нм проведено еліпсометричні дослідження поверхні монокристалічного телуриду кадмію, витриманого протягом тривалого часу за кімнатної температури у контакті з атмосферним повітрям. Досліджено поверхні (111) із виходом назовні атомів Cd або Те, поверхню (110) сколів та поверхню зразків, протравлених після тривалого витримування на повітрі в 3 %-ому розчині Br в HBr. Встановлено, що найкраще описує еліпсометричні дані двошарова модель відбиваючої системи, яка включає внутрішній шар в припущенні вільного телуру з товщиною від одного до двох моноатомних шарів та зовнішній шар оксиду можливо кадмію чи телуру з товщиною від 5 до 10 нм залежно від часу витримування на повітрі.