Розроблено фізичний підхід до оптимізації фотоелектричних процесів у плівкових багатошарових системах. За допомогою моделювання впливу світлових діодних характеристик на коефіцієнт корисної дії визначено, що оптимізація фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах ITO/CdS/CdTe/Cu/Au значною мірою визначається двома конкуруючими фізичними механізмами: підвищенням ефективності процесу розподілу нерівноважних носіїв заряду та зниженням ефективності процесу їх генерації в разі збільшення товщини шару сульфіду кадмію.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

We present an innovative back contact for CdTe solar cell by the application of a transparent conducting oxide, typically ITO, as a back electrical contact on CdTe/CdS photovoltaic devices that acts as a free-Cu stable back contact and at the same time allows to realize bifacial CdTe solar cells, which can be illuminated from either or both sides. The controlled insertion of a very limited amount of copper into the ITO back contact permits to have reproducible devices with high efficiencies still keeping the bifacial configuration. Thin CdTe layer solar cells with ITO back contact have been realized with efficiencies exceeding 10 %, the reduced thickness of CdTe allows to have a better performance on the back-side illumination and reduces the amount of CdTe material.

Shown in this work is the possibility to create industrial technology for production of solar cells FTO/CdS/CdTe. The technology includes annealing in freon processing step for activation of cadmium telluride base layers deposited by thermal vacuum evaporation. Solar cells with efficiency of 7 % have been obtained. Structural and morphological researches allowed to identify interrelation between photovoltaic characteristics and features of the recrystalization process in base layers after annealing in freon as compared with the standard chloride treatment.

Розглянуто теорію нелінійної взаємодії хвиль у періодичній структурі, створеній шарами нелінійного та лінійного діелектриків. Отримано рівняння зв'язку та закони синхронізму для хвиль, розповсюджуваних у такій структурі. Досліджено перетворення видимої частини спектра в інфрачервону частину у випадку, коли хвиля накачки падає з вакууму на напівобмежену оптичну надгратку. Така властивість обумовлена тим, що в періодичній структурі одночасно виконуються закони синхронізму для спектра частот за визначеного кута падіння хвилі накачки.

Представлено новий погляд на термоелектричні явища як процеси переносу нерівноважних носіїв заряду. Уперше обговорено роль рекомбінації у формуванні лінійної термоерс. Показано, що опір і термоерс біполярного напівпровідника залежать не тільки від електронної та діркової провідностей, але й від часу життя та швидкості рекомбінації на контакті. Показано, що квазірівні Фермі, які характеризують процес переносу в системі у випадку віддалення від рівноваги, можуть стати немонотонною функцією координати.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльне дослідження впливу рівня інтенсивності сонячного випромінювання на вихідні параметри та світлові діодні характеристики сонячних елементів на основі гетеросистеми CdS/CdTe з різними типами тильного контакту. Показано, що досліджувані сонячні елементи, одержані з застосуванням методу вакуумного термічного випаровування, мають максимальне значення ккд в умовах освітленості 60 % АМ1,5. Наявність максимуму зумовлена зменшенням значення коефіцієнта заповнення світлової вольтамперної характеристики за рахунок зменшення значення шунтуючого опору, на фоні зростання струму короткого замикання і напруги холостого ходу за збільшення освітленості. У разі розв'язання задачі зі зменшенням опору шунта можна очікувати, що тенденція до зростання ккд зі збільшенням рівня освітленості може бути продовжена в області концентрованого випромінювання. Показано, що не тільки матеріал зворотного контакту, а й характер міжфазової взаємодії тильного контакту з базовим шаром CdTe має визначальний вплив на залежність значення послідовного опору цих сонячних елементів, одержаних за методом вакуумного термічного випаровування, від рівня освітленості. Спостережувана немонотонна залежність густини діодного струму насичення від рівня освітленості пов'язана з двома конкуруючими фізичними механізмами. Один механізм передбачає традиційне збільшення значення діодного струму насичення за рахунок збільшення концентрації нерівноважних носіїв заряду, що генеруються під дією сонячного випромінювання, а другий визначає зменшення діодного струму насичення за рахунок заповнення пасток, що призводить до збільшення часу життя носіїв заряду.