Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Журнали та продовжувані видання (3) |
Пошуковий запит: (<.>A=Melnik V$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 32 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Romanyuk B. Mechanisms of silicon amorphization at the ultrasound action during ion implantation = Механізми аморфізації кремнію при дії ультразвуку під час іонної імплантації / B. Romanyuk, D. Kruger, V. Melnik, V. Popov, E. Borshchagovski, Ya. Olikh, V. Soroka // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 191-195. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Bezrodna T. Temperature dependence of phosphorescence for titanium dioxide - benzophenone heterogeneous system = Температурна залежність спектрів фосфоресценції гетерогенної системи оксид титану - бензофенон / T. Bezrodna, G. Puchkovska, V. Melnik, V. Shimanovska, V. Vorob'ev // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 11. - С. 1030-1034. - Библиогр.: 25 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Gamov D. Influence of nitrogen impurity on photoluminescence of silicon nanoclusters in SiOVB2D matrix = Вплив домішки азоту на фотолюмінесценцію кремнієвих нанокластерів в матриці SiOV2D / D. Gamov, I. Khatsevich, V. Litovchenko, V. Melnik, O. Oberemok, V. Popov, B. Romanyuk, V. Yukhimchuk // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 4. - С. 413-417. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Dzyadevych S. V. Four-channel biosensor-analyzer of saccharides = Чотирьохканальний біосенсорний аналізатор сахаридів / S. V. Dzyadevych, A. P. Soldatkin, A. A. Soldatkin, V. N. Peshkova, A. D. Vasilenko, V. G. Melnik, A. A. Mikhal, L. N. Semenycheva, M. P. Rubanchuk // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2009. - № 3. - С. 47-53. - Библиогр.: 12 назв. - англ. The problems of realization of highly sensitive and precise conductometric biosensor systems are considered. Composition, structural schemes, software functions of multisensor analyzer of saccharides are described, general view is presented. Preliminary experimental research testifies that the system suggested allows separate determination of concentrations of saccharose, glucose, lactose and maltose with commercially necessary sensitivity. It can be a basis for development of modern analytical equipment for efficient concurrent measurement of concentrations of several saccharides in food industry. Індекс рубрикатора НБУВ: Е. с5 Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Davydova N. A. Different polymorphic modifications of phenyl salicylate / N. A. Davydova, V. I. Melnik, V. V. Nesprava, V. Ya. Reznichenko // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 2. - С. 140-144. - Библиогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Melnik V. AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation / V. Melnik, V. Popov, D. Kruger, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 81-85. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + В372.6 + К235.160.26 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Rozhin A. G. Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation / A. G. Rozhin, N. I. Klyui, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, Y. P. Piryatinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 44-47. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon / B. Romanjuk, Z. Kruger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 15-18. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Khatsevich I. Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiOVB2D matrix / I. Khatsevich, V. Melnik, V. Popov, B. Romanyuk, V. Fedulov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 352-355. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Bunak S. V. Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 241-246. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Bunak S. V. Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiOVB2D grown by high temperature annealing technology of SiOVBXD layer, $E bold roman {X~~2} / S. V. Bunak, A. A. Buyanin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin, V. P. Melnik, I. M. Khacevich, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 12-18. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Oberemok O. S. Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers / O. S. Oberemok, V. G. Litovchenko, D. V. Gamov, V. G. Popov, V. P. Melnik, O. Yo. Gudymenko, V. A. Nikirin, I. M. Khatsevich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 269-272. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Saiapina O. Ya. Application of ammonium-selective zeolite for enhancement of conductometric bi-enzyme biosensor for L-arginine detection / O. Ya. Saiapina, N. J. Matsishin, V. M. Pyeshkova, O. P. Soldatkin, V. G. Melnik, A. Walcarius, N. Jaffrezic-Renault, S. V. Dzyadevych // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2012. - 3, № 4. - С. 49-66. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Gamov D. V. Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions / D. V. Gamov, O. I. Gudymenko, V. P. Kladko, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9. - С. 881-887. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Belyavsky A. V. Impurity studies in 1000 year old Antarctic ice / A. V. Belyavsky, V. I. Bogillo, V. F. Grishchenko, N. N. Kovalyukh, G. M. Kruchenitsky, N. D. Kurmey, T. I. Makarenko, G. N. Melnichenko, V. I. Melnik, V. A. Pokrovsky, G. A. Puchkovskaya // Functional Materials. - 2000. - 7, № 3. - С. 495-500. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Davydova N. A. Relation of phosphorescence spectra with structure transformation in benzophenone / N. A. Davydova, V. I. Melnik, K. I. Nelipovitch, M. Drozd // Functional Materials. - 2000. - 7, № 3. - С. 532-534. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. На основі досліджень фазових перетворень, виконаних методом диференціальної скануючої калориметрії, вперше повідомлено про спостереження нової gamma-модифікації кристалічного бензофенону. Обговорено зв'язок особливостей у спектрах фосфоресценції beta-бензофенону з наявністю gamma-модифікації. Індекс рубрикатора НБУВ: Г262.551.1 Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Artamonov V. V. Study of subsurface Si layers with a latent SiOsub2/sub layer / V. V. Artamonov, M. Ya. Valakh, N. I. Klyui, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, V. A. Yukhimchuk // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 551-554. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Grinyov B. V. Crystal shape variation as a way to improve the axial directionality of scintillation gamma detectors / B. V. Grinyov, V. I. Melnik, V. Yu. Pedash // Functional materials. - 2002. - 9, № 3. - С. 467-470. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Розглянуто вісеспрямовані сцинтиляційні детектори гамма-випромінювання. Досліджено вплив геометрії сцинтиляційного кристала на діаграму спрямованості детектора. Наведено результати моделювання циліндричних і біконічних кристалів. Виявлено, що біконічна форма є оптимальною під час сканування радіоактивного ізотопу, розподіленого на площині. Запропоновано новий спосіб визначення роздільної здатності. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Valakh M. Ya. Strain relaxation in thin $E bold {{roman Si} sub 1-x-y {roman Ge} sub x {roman C} sub y} layers on Si substrates / M. Ya. Valakh, D. V. Gamov, V. M. Dzhagan, O. S. Lytvyn, V. P. Melnik, B. M. Romanjuk, V. G. Popov, V. O. Yukhymchuk // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1. - С. 79-84. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Limarchenko O. Parametric oscillations of liquid with a free surface in reservoir of conic shape = Параметричні коливання рідини з вільною поверхнею в резервуарі конічної форми / O. Limarchenko, V. Melnik // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології : наук. зб. - 2015. - Вип. 21. - С. 134-138. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Розглянуто задачу про параметричні коливання рідини з вільною поверхнею в резервуарі конічної форми (задача Фарадея). Рідина вважається ідеальною, нестисливою, резервуар - абсолютне тверде тіло конічної форми. Дослідження виконується на основі нелінійної моделі сумісного руху рідини та резервуара з поданням руху рідини в вигляді розкладу за формами власних коливань. Розв'язувальну математичну модель одержано у вигляді нелінійної системи звичайних диференціальних рівнянь щодо параметрів руху резервуара й амплітуд збурення форм коливань вільної поверхні рідини. Показано як нахил стінок резервуара та початкові умови впливають на розвиток динамічних процесів. Індекс рубрикатора НБУВ: В251.649.603.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж72935 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського