Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Lytvyn P$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 60 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Kryshtab T. G. TiBsub2/sub/GaAs and Au - TiBsub2/sub/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment = Структурні перетворення при короткочасній термічній обробці структур TiBsub2/sub/GaAs та Au - TiBsub2/sub/GaAs / T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 73-77. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Atanassova E. D. Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures = Вплив активних дій на властивості напівпровідникових матеріалів і структур : monogr. / E. D. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, P. M.Milenin Lytvyn, V. F. Mitin, V. V. Shynkarenko; V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. - Kharkiv, 2007. - 215 p. c. - (State and Prosp. of Development for Functional Materials for Science and Technology). - англ.
Шифр НБУВ: ІВ209499 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Hrytsenko M. I. Reorientation of a nematic in the vicinity of mechanical defects of the silicon surface = Переорієнтація нематика в околі механічних дефектів поверхні кремнію / M. I. Hrytsenko, S. I. Kucheev, P. M. Lytvyn // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 12(а). - С. А51-А54. - Библиогр.: 6 назв. - англ. Досліджено переорієнтацію нематичного рідкого кристала (РК) в околі дефектів поверхні кремнію (тріщин, подряпин) у структурах типу Al/Si/нематик/ITO. Показано, що в околі типового механічного дефекту поверхні кремнію з лінійними розмірами порядку частинок мікрона формується локалізована область однорідно переорієнтованого нематика, розміри якої залежать від частоти й амплітуди напруги, а також від розміру самого дефекту. Показано, що формування домену пов'язане з процесом нестаціонарного збіднення поверхні кремнію та з формуванням високоомного приповерхневого шару, а також завищеними струмами витоку крізь межу РК - кремній, що перешкоджує формуванню в околі дефектів збідненого шару. Описано метод, який дозволяє візуалізувати тріщини на поверхні кремнію. Метод базується на індукуванні в кремнії поверхневого шару, збідненого основними носіями заряду, та на неоднорідній за площею одночасній генерації нерівноважних носіїв заряду лазерним випромінюванням. Установлено, що метод дозволяє розрізняти на поверхні кремнію тріщини глибиною порядку декількох десятків нанометрів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.35 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Kutsenko A. S. Physicochemical and nonlinear-optical properties of VV2DOV5D quantum dots and quantum rods in PVA = Фізико-хімічні та нелінійнооптичні властивості квантових точок та квантових голок VV2DOV5D в ПВС / A. S. Kutsenko, S. M. Maloletov, S. Ya. Kuchmii, V. R. Lyakhovetsky, V. I. Volkov, A. A. Borshch, P. M. Lytvyn // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 12(а). - С. А34-А41. - Библиогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Rudko G. Yu. Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires = Структурні та фотолюмінесцентні властивості нанониток ZnO / G. Yu. Rudko, I. V. Dubrovin, A. I. Klimovskaya, E. G. Gule, P. M. Lytvyn, Yu. M. Lytvyn, S. P. Turanska // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 12. - С. 1240-1244. - Библиогр.: 24 назв. - англ. Масиви нанодротів ZnO вирощено за механізмом пара - рідина - кристал на кремнієвих підкладках і досліджено за допомогою методів рентгенівської дифрактометрії, сканувальної електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії. Результати цих досліджень свідчать про те, що діаметри нанодротів варіюються в межах 50 - 300 нм, а їх довжина сягає 40 мкм. Для вирощених нанодротів є характерною інтенсивна фотолюмінесценція, в спектрі якої домінують близькокрайова смуга та одна чи дві (залежно від умов вирощування) дефектні смуги. Співвідношення інтенсивностей цих смуг відображає нестехіометричність матеріалу і залежить від температури випаровування цинку та температури в зоні росту нанодротів. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + Ж364.2 + В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Datsenko L. I. Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon / L. I. Datsenko, V. P. Klad`ko, P. M. Lytvyn, J. Domagala, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko, V. B. Molodkin, Z. V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 146-151. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Prokopenko I. V. Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I. V. Prokopenko, E. N. Kislovskii, S. I. Olikhovskii, V. M. Tkach, P. M. Lytvyn, T. P. Vladimirova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 275-281. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Рентгенівським методом повних кривих дифракційного відбиття і неруйнівними методами прямого спостереження (атомно-силової та растрової електронної мікроскопії) встановлено кількісні значення характеристик (радіуси та концентрації) основних типів дефектів у монокристалах кремнію, вирощених за Чохральським і відпалених за 750 °С. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Snopok B. A. Optical biosensors based on the surface plasmon resonance phenomenon: optimization of the metal layer parameters / B. A. Snopok, K. V. Kostyukevich, S. I. Lysenko, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, S. V. Mamykin, S. A. Zynyo, P. E. Shepeliavyi, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 56-59. - Бібліогр.: 50 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Lytvyn O. S. Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga phosphors / O. S. Lytvyn, V. S. Khomchenko, T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, I. V. Prokopenko, V. Y. Rodionov, Y. A. Tzyrkunov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 19-23. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Oberemok O. Borophosphosilicate glass component analysis by secondary neutrals mass spectrometry (SNMS) / O. Oberemok, P. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 101-105. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Методику мас-спектрометрії вторинних постіонізованих нейтральних частинок використано для кількісного аналізу борофосфосилікатних плівок, нанесених методом низькотемпературного піролізу на кремнієву підкладку. Проблему зарядження поверхні зразка вирішено застосуванням режиму високочастотного розпилювання дослідженого зразка. Показано, що режими розпилювання суттєво впливають на макро- і мікрорельєф плівки та результати пошарового аналізу структур. Скважність прикладеної до зразка напруги розпилення впливає на форму кратера. Збільшення частоти розпилення призводить до появи тонких шпилів на дні кратера. Покращання роздільної здатності методики за глибиною потребує оптимізації скважності та частоти прикладеної до зразка напруги розпилення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224в734.5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Balovsyak S. V. Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S. V. Balovsyak, I. M. Fodchuk, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 41-46. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Kaganovich E. B. Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Evtukh A. A. Electron field emission from $E bold {{roman SiO} sub x} films / A. A. Evtukh, I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, Yu. M. Litvin, V. G. Litovchenko, P. M. Lytvyn, D. O. Mazunov, Yu. V. Rassamakin, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 32-36. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Litvinov V. L. Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing / V. L. Litvinov, K. D. Demakov, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, R. V. Konakova, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 457-464. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Kladko V. P. Investigation of superlattice structure parameters by using quasi-forbidden reflections / V. P. Kladko, L. I. Datsenko, A. A. Korchovyi, V. F. Machulin, P. M. Lytvyn, A. V. Shalimov, A. V. Kuchuk, P. P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 392-396. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Досліджено можливості неруйнівного рентгенівського методу для тестування короткоперіодних напружених надграток GaAs - AlAs. Для визначення параметрів структури шарів надграток і товщини цих шарів можна використати квазізаборонені рефлекси (200). Досліджено вплив нерегулярності перехідної області надгратки на форму дифракційних кривих і пружні напруження в шарах. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.13 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Dzhagan V. N. Investigation of the optical and acoustical phonon modes in SiVI1-xDGeVIxD QD SLs / V. N. Dzhagan, Z. F. Krasil'nik, P. M. Lytvyn, A. V. Novikov, M. Ya. Valakh, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 164-168. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Konakova R. V. Ordering of lateral nonuniformity of TiBIvxD film and transition layer in the TiBIvxD - GaAs system / R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovskyi, A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, L. A. Matveeva, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 298-300. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Gritsenko M. I. Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 154-156. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Klad'ko V. P. Recrystallization processes in screen-printed CdS films / V. P. Klad'ko, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, N. M. Osipenok, G. S. Pekar, I. V. Prokopenko, A. F. Singaevsky, A. A. Korchevoy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 170-175 . - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії вивчено кінетику рекристалізаційних процесів у плівках CdS, одержаних методом трафаретного друку. Встановлено взаємозв'язок розміру й орієнтації кристалітів плівки з рівнем механічних напруг та їх залежність від температурних режимів обробки. Показано, що за оптимальних технологічних параметрів можна одержувати однофазні плівки CdS завтовшки кілька десятків мікрон з великим розміром зерен і низькими залишковими напругами, придатні для використання в сонячних елементах на основі гетеропереходу CdS/CdTe. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В372.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBVIxD and ZrBVIxD amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського