З позиції необхідності створення нового покоління сенсорів, що відповідають вимогам істотного підвищення їх метрологічних характеристик та інтелектуалізації, розглянуто можливості використання для цієї мети акустоелектронних явищ. Проаналізовано досягнуті результати досліджень і розробок сенсорів, побудованих на основі акустоелектронних ефектів, що мають місце в разі поширення поверхневих акустичних хвиль. Наведено результати досліджень нових перспективних принципів побудови сенсорів такого класу. Описано конструктивно-технологічні рішення деяких сенсорів фізичних величин і сенсорів газу. Зазначено можливі області застосування розробок і наведено основні технічні характеристики деяких сенсорів.

Наведено та проаналізовано результати досліджень структурних, електрофізичних та адсорбційних властивостей плівок нового функціонального матеріалу - комплексної сполуки германію (КСГ) з оксиетилідендифосфоновою кислотою. Вивчено електричну провідність і надано пояснення її механізму. Розглянуто можливі застосування КСГ у ролі чутливих сенсорів газу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 в641.8

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г544.323

Рубрики:

Активність каталізаторів

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлен обзор моделей ключевых лазерно-фотоионизационных процессов и предложены соответствующие новые схемы лазерного разделения изотопов, ядерных изомеров, газов, очистки вещества на атомном уровне, базирующиеся на лазерном возбуждении атомов изотопов в ридберговы состояния и дальнейшей ионизации внешним постоянным электрическим полем. Усовершенствованные метод релятивистской теории возмущений, модель оптимального лазерного воздействия и формализм матрицы плотности использованы для численного моделирования параметров оптимальной схемы детектирования и разделения изотопов урана и других элементов.

Викладено комбінований електродинамічний і квантово-хімічний підхід в електронній теорії каталізу до моделювання електрохімічних властивостей і каталітичної активності металів, металічних сплавів і напівпровідникових матеріалів.

The review of the basic results of investigations in sensorics area is presented which were coordinated by Sensorics Section of NAS Ukraine Scientific Council on "Physics of semiconductors and semiconductor devices" for year 2008.

Впервые показана возможность разработки и создания устойчивой относительно дестабилизирующих факторов функциональной оптической схемы лазерной гетеродинной установки для исследования амплитудных и фазовых полей поверхностных акустических волн (ПАВ). Установка выполнена не отдельными оптическими элементами, а собрана из двух узлов - узла зонда и узла фотоприемника с минимальным количеством элементов. Это дало возможность уменьшить ошибку при проведении амплитудных и фазовых измерений, поскольку установка обеспечивает высокую чувствительность к малым амплитудам ПАВ и хорошую воспроизводимость результатов. Приводится оптическая схема, изложен принцип действия установки, представлены результаты некоторых исследований.

Комбінований теоретичний метод опису вібраційної структури для фотоелектронних спектрів молекул, який базується на методі функцій Гріна та теорії функціонала густини, застосовано до кількісного опису фотоелектронного спектра молекули CO.

We present the basis's of the new combined theoretical approach to vibrational structure in photoelectron spectra of molecules. The approach is based on the Green's function method and density functional theory (DFT). The density of states, which describe the vibrational structure in photoelectron spectra, is defined with the use of combined DFT-Green's-functions approach and is well approximated by using only first order coupling constants in the one-particle approximation. It is important that the calculational procedure is significantly simplified with using the DFT.

Покращений теоретичний метод опису вібраційної структури фотоелектронних спектрів молекул, який базується на методі функцій Гріна та теорії функціонала густини, включаючи синергетичні поправки, застосовано до кількісного опису фотоелектронних спектрів молекул CH, HF.

Приведена оптимальная схема лазерного разделения изотопов щелочных элементов, базирующаяся на лазерном возбуждении атомов изотопов в ридберговские состояния и дальнейшей ионизации внешним постоянным электрическим полем. Определены некоторые радиационные параметры для щелочных элементов.

Наведено результати досліджень температурних осциляцій електричної провідності сегнетокераміки системи цирконат - титанат свинцю ЦТССт-5. Пояснено ефект термоосциляцій провідності, зумовлений релаксацією 90-градусних доменів типу перовськіту та впливом рухомих заряджених точкових дефектів. Запропонований фізичний механізм осциляцій підтверджено методом акустичної емісії. Сформульовано пропозиції щодо використання ефекту в приладобудуванні.

Описано метод селективної поляризації сегнетоелектриків, які використовуються в якості звукопроводів і п'єзоелектричних перетворювачів у різних пристроях функціональної мікроелектроніки. Особливістю методу є можливість створення в монолітному керамічному звукопроводі локальних областей поляризації з різними за величиною та напрямком векторами поляризації і електрофізичними параметрами, що визначають характеристики пристроїв. Наведено приклади конкретних акустоелектронних пристроїв на поверхневих акустичних хвилях із суттєво підвищеними цим методом параметрами їх електричних характеристик, спрощеними конструкціями і високою технологічністю. Показано особливості процесу селективної поляризації, подано рекомендації з використання методу.

Наведено результати досліджень тензоефекту в елементах на поверхневих акустичних хвилях (ПАХ) з п'єзокерамічним (ПК) звукопроводом. Обгрунтовано вибір ПК матеріалу звукопровода. Подано рекомендації щодо формування структур зустрічно-штирьових перетворювачів елемента на ПАХ з ПК звукопроводом. Одержано залежності чутливості сенсора від деформуючого силового навантаження для різних товщин консольно закріпленого звукопровода. Для отимальної товщини ПК звукопровода досягнута чутливість сенсора 70 Гц/Н. Результати досліджень порівнюються з одержаними іншими авторами для монокристалічних звукопроводів. Описано конструкцію датчика тиску з тензочутливим елементом на ПАХ та показано переваги такого типу датчиків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В344.325.3

Рубрики:

Розщеплення спектральних ліній під дією електричних і магнітних полів

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2 + В379.226

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано конструкцію сенсора, яка складається з акустоелектронного елемента на поверхневих акустичних хвилях з нанесеними на робочу поверхню між зустрічно-штирьовими перетворювачами шарами матеріалів, чутливих до заданого хімічного елемента. Вибірність сенсора визначається сполучуваністю властивостей та структури матеріалів шарів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + З843.413

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

П'єзоелектрики

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ