Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kras'ko M$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||||
| 1. | Kras'ko M. M. Effect of doping by lead on the formation of thermal defects in silicon with increased carbon concentration = Вплив ізовалентної домішки свинцю на термічне дефектоутворення в кремнії з підвищеним вмістом вуглецю / M. M. Kras'ko, V. V. Voitovych, V. B. Neimash, A. M. Kraitchinskii // Укр. фіз. журн. - 2004. - № 7. - С. 691-694. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Neimash V. B. Investigations by capacitance methods of $E bold n-Si irradiated by electrons at 450 $E bold symbol РC = Дослідження ємнісними методами $E n-кремнію, опроміненого електронами при 450 $E symbol РC / V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, A. G. Kolosyuk, V. V. Voitovych, E. Simoen, J. -M. Rafi, C. Claeys, J. Versluys, P. Clauws // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 8. - С. 779-784. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Kraitchinskii A. M. Study of light scattering processes in silicon single crystals with nonhomogeneous distribution of impurities = Дослідження процесів розсіювання світла в кристалах кремнію з неоднорідним розподілом домішок / A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, V. V. Tishchenko, V. V. Voytovych // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 2. - С. 146-151. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Neimash V. B. Influence of doping by the isovalent lead impurity on the parameters of InD-silicon = Вплив легування ізовалентною домішкою свинцю на параметри InD-кремнію / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, M. M. Kras'ko, V. M. Popov, A. P. Pokanevych, M. I. Gorodys'kyi, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots', O. M. Kabaldin // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 492-496. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Neimash V. B. Formation of radiation-induced defects in InD-Si with lead and carbon impurities = Радіаційне дефектоутворення в InD-Si з домішками свинцю і вуглецю / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, O. M. Kabaldin, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots' // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 11. - С. 1273-1277. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Kras'ko M. M. Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated IBnD-Si / M. M. Kras'ko // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 3. - С. 243-248. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Neimash V. B. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of an accelerated diffusion of oxygen in silicon / V. B. Neimash, O. O. Puzenko, A. M. Kraitchinskii, M. M. Kras'ko, S. Putselyk, C. Claeys, E. Simoen // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 11-14. - Бібліогр.: 17 назв. - англ. Після попередньої термообробки за 800 °С кристалів кремнію енергія активації відпалу термодонорів зростає від 1,7 до 2,5 еВ. Припускається, що це відбувається внаслідок розчинення кисневих мікрофлуктуацій, які є джерелом внутрішніх пружних напружень. Можливе локальне прискорення дифузії в зоні дії таких напружень розглядається як причина зниження енергії активації дифузійно лімітованих процесів генерації та відпалу термодонорів у кремнієвих кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Rudenko R. M. Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin / R. M. Rudenko, V. V. Voitovych, M. M. Kras'ko, A. G. Kolosyuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Makara // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 8. - С. 769-772. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського