Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Konoreva O$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14
|
| | | | |
1. |
Konoreva O. V. Degradation-relaxation processes stimulated by structural defects in green gallium-phosphide light-emitting diodes = Деградаційно-релаксаційні процеси у зелених фосфідо-галієвих світлодіодах, зумовлені дефектами структури / O. V. Konoreva, P. G. Litovchenko, V. Ya. Opylat, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 11-12. - С. 1119-1124. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Konoreva O. Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells / O. Konoreva, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 45-48. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Litovchenko P. Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures / P. Litovchenko, A. Litovchenko, O. Konoreva, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 276-279. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З85
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Hontaruk O. Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 30-35. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Konoreva O. Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes / O. Konoreva, E. Malyj, S. Mamykin, I. Petrenko, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 184-187. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.In order to estimate the role of complex defects on GaP light emitting diodes (LED) operation, luminescent and electrical characteristics of GaP LEDs irradiated with reactor neutrons have been studied. It has been stated that nonradiative levels of radiation defects affect electroluminescence quenching. From the analysis of the tunnel current, the density of dislocations in the depleted part of the p - n junction was obtained. Neutron induced disorder regions do not change the tunnel component of the direct current of red diodes, increasing the dislocation density, because the carrier flow along the ?tunnel shunts? is blocked. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Konoreva O. Peculiarities of optical absorption band-edge in irradiated GaP:Te / O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, V. Tartachnyk // Functional Materials. - 2010. - 17, № 1. - С. 80-84. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Konoreva O. V. Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons / O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3. - С. 312-316. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Konoreva O. V. Acoustic-stimulated relaxation of GaAssub1-x/subPsubx/sub LEDs electroluminescence intensity / O. V. Konoreva, M. V. Lytovchenko, Ye. V. Malyi, Ya. M. Olikh, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 34-38. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 + З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Hontaruk O. M. Low doses effect in GaP light-emitting diodes / O. M. Hontaruk, O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, O. I. Radkevych, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 2. - С. 183-187. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Zavada M. Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing / M. Zavada, O. Konoreva, P. Lytovchenko, V. Opilat, M. Pinkovska, O. Radkevych, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 2. - С. 130-133. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Vernydub R. M. Electrophysical characteristics of GaAssub1-x/subPsubx/sub LEDs irradiated by 2 MeV electrons / R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, P. Potera, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 2. - С. 201-207. - Бібліогр.: 17 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Korzhyk V. Comparing features in metallurgical interaction when applying different techniques of arc and plasma surfacing of steel wire on titanium = Порівняння особливостей металургійної взаємодії при застосуванні різних способів дугового і плазмового наплавлення сталевого дроту на титан / V. Korzhyk, V. Khaskin, A. Grynyuk, O. Ganushchak, S. Peleshenko, O. Konoreva, O. Demianov, V. Shcheretskiy, N. Fialko // Eastern-Europ. J. of Enterprise Technologies. - 2021. - № 4/12. - С. 6-17. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К644.51-1 + К644.57-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Korzhyk V. Comparing features in metallurgical interaction when applying different techniques of arc and plasma surfacing of steel wire on titanium = Анализ металлургического взаимодействия при дуговой наплавке барьерных слоев на титан для предотвращения образования интерметаллидов в соединениях "титан - сталь" / V. Korzhyk, V. Khaskin, A. Grynyuk, O. Ganushchak, V. Shcheretskiy, S. Peleshenko, O. Konoreva, O. Demianov, N. Fialko, V. Kvasnytskyi // Eastern-Europ. J. of Enterprise Technologies. - 2021. - № 5/12. - С. 69-82. - Бібліогр.: 17 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К644.77
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Vernydub R. M. Field effects in electron-irradiated GaP LEDs = Польові ефекти в опромінених електронами світлодіодах GaP / R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, O. I. Radkevych, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 179-184. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|