Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (2)
Пошуковий запит: (<.>A=Kochelap V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15

      
Категорія:    
1.

Demidenko A. A. 
Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well = Підсилення конфайних акустичних хвиль електронами, що дрейфують в квантовій ямі / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 11-24. - Библиогр.: 32 назв. - англ.

Одержано рішення рівняння теорії пружності у вигляді локалізованих хвиль поблизу шару, в якому є електрони, а пружні властивості відрізняються від пружних властивостей оточуючого середовища. Для товщин шару, малих порівняно з довжиною хвилі звуку, одержано аналітичне рішення рівняння дисперсії. Для електронів в середині шару побудовано електронні стани для випадку, коли поздовжній рух квазікласичний, а поперечний квантується (квантова яма). Одержано рішення кінетичного рівняння Больцмана для двовимірних електронів при наявності поздовжнього електричного поля. Розв'язано одержану замкнену систему рівнянь при електрон-фононній взаємодії через деформаційний потенціал, одержано дисперсійне рівняння для змішаних локалізованих акусто-зарядних хвиль. Проаналізовано умови підсилення акустичної хвилі дрейфом електронів для квантової та класичної ями. В останньому випадку поперечний рух електронів розглядається як квазікласичний. Проведено порівняння з підсиленням об'ємних хвиль.


Ключ. слова: локалізація акустичних хвиль, підсилення акустичних хвиль, дрейф електронів.
Індекс рубрикатора НБУВ: В371.32

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Datsyuk V. V. 
Effects of the mutual influence of electronic and vibrational relaxations in the excimer kinetics = Ефекти взаємного впливу електронної і коливальної релаксацій в кінетиці ексимерних молекул / V. V. Datsyuk, I. A. Izmailov, V. A. Kochelap // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 5. - С. 550-557. - Библиогр.: 40 назв. - англ.

Вивчено взаємний вплив електронної і коливальної релаксацій ексимерних молекул. Обговорюється прояв цієї кінетичної кореляції під час вимірювання кінетичних параметрів. Досліджено явища відхилення коливальних розподілів від больцманівського типу, кінетику імпульсної люмінесценції, динаміку наносекундного відновлення коефіцієнта підсилення світла в імпульсному лазері, вплив коливальної релаксації на константи швидкості гасіння люмінесценції.


Індекс рубрикатора НБУВ: В345

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Kochelap V. A. 
Switching-on and -off dynamics of MQW structures with bistable electro-optical absorption = Динаміка включення та виключення БКЯ структур з бістабільним електрооптичним поглинанням / V. A. Kochelap, L. L. Bonilla, C. A. Velasco // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 50-56. - Библиогр.: 18 назв. - англ.


Ключ. слова: optical bistability, multiple quantum well heterostructures
Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + З973.5-044

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Demidenko A. A. 
Generation of coherent confined acoustic phonons by drifting electrons in quantum wire / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 432-437. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В323.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Demidenko A. A. 
Piezoelectrically active acoustic waves confined in a quantum well and their amplification by electron drift / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 427-431. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В325.5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
6.

Vitusevich S. A. 
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures / S. A. Vitusevich, S. V. Danylyuk, B. A. Danilchenko, N. Klein, S. E. Zelenskyi, E. Drok, A. Yu. Avksentyev, V. N. Sokolov, V. A. Kochelap, A. E. Belyaev, M. V. Petrychuk, H. Luth // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 66-69. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Korotyeyev V. V. 
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN / V. V. Korotyeyev, G. I. Syngayivska, V. A. Kochelap, A. A. Klimov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4. - С. 328-338. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В279.271 в641.0

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Kochelap V. A. 
Professor Solomon Isaakovich Pekar (to 100-th anniversary of his birthday) / V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 1. - С. 102-104. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Professor Solomon Isaakovich Pekar belongs to the pleiad of outstanding physicists-theorists whose works have been made considerable contribution to the fundamentals of the modem theory of solids. Being of a great profundity and lucidity, Pekar's works prove to be the principal in a number of scientific directions. His name is tightly bound with several the most important discoveries in physics of solids, including theory of rectifiers and autolocalized states of electrons that were named by him as "polarons", the Pekar's waves, prediction of the zero-phonon line in spectra of crystals and many others. These achievements are considered as classical results in physics, and up to date they serve as a source of new physical ideas.


Індекс рубрикатора НБУВ: В31 д(4УКР)

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Vinoslavskii M. M. 
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells / M. M. Vinoslavskii, P. A. Belevskii, V. M. Poroshin, O. S. Pilipchuk, V. O. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3. - С. 256-262. - Бібліогр.: 36 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В345.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Korotyeyev V. V. 
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization / V. V. Korotyeyev, V. O. Kochelap, S. V. Sapon, B. M. Romaniuk, V. P. Melnik, O. V. Dubikovskyi, T. M. Sabov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3. - С. 294-306. - Бібліогр.: 33 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
11.

Syngayivska G. I. 
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields / G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 4. - С. 325-335. - Бібліогр.: 42 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Korotyeyev V. V. 
Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling / V. V. Korotyeyev, Yu. M. Lyaschuk, V. A. Kochelap, L. Varani, D. Coquillat, S. Danylyuk, S. Brose, S. A. Vitusevich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 2. - С. 237-251. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
13.

Lyaschuk Yu. M. 
Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range = Особливості амплітудних та фазових спектрів напівпровідникових структур у ТГц діапазоні частот / Yu. M. Lyaschuk, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 121-136. - Бібліогр.: 49 назв. - англ.

Розглянуто головні особливості амплітудних і фазових спектрів пропускання/відбивання декількох модельних напівпровідникових структур, у тому числі діелектричну підкладку, тонкий провідний шар, розміщений між двома діелектричними середовищами, тонкий провідний шар, розміщений на діелектричній підкладці, і гібридну плазмонну структуру з тонким провідним каналом під металевою граткою. Аналіз було здійснено з використанням аналітичних виразів, одержаних у результаті розв'язків рівнянь Максвелла при нормальному падінні плоскої електромагнітної хвилі. Показано, що специфічна поведінка амплітудних та фазових спектрів у ТГц діапазоні може бути використана для визначення базових параметрів 2D-електронного газу, включаючи концентрацію вільних електронів та їх рухливість, у межах експериментальних методик ТГц спектроскопії з розділенням у часі. Авторами запропоновано ефективний фазовий модулятор ТГц випромінювання з електричним контролем робочих параметрів, що грунтується на ефекті 2D-плазмонного резонансу в гібридних плазмонних структурах зі просторово-модульованим профілем концентрації у тонкому провідному шарі.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
14.

Kochelap V. A. 
To 95-th birthday of Professor E. I. Rashba (looking back ones again) = До 95-річчя від дня народження професора Е. І. Рашби (знову оглядаючись назад) / V. A. Kochelap, A. E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 3. - С. 235-239. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.

Теорія спін-орбітальної взаємодії, розроблена Е. І. Рашбою більше 30 років тому, стимулювала бурхливий розвиток нової дисципліни - спінтроніки - фізики процесів і пристроїв, основаних на управлінні спінами. У роботі узагальнено досягнення професора Рашби на ранньому етапі його наукових досліджень, зокрема тих, що проводилися в Україні. Серед них - передбачення електричного дипольного спінового резонансу (Е08К), фазових переходів у спін-орбітальних зв'язаних системах, викликаних зміною топології поверхні Фермі, сили гігантського осцилятора домішкових екситонів і співіснування вільних і самозахоплених екситонів. Фізика твердого тіла є основою сучасної електроніки та оптоелектроніки. Різні електронні, оптичні, акустичні та інші ефекти і процеси у твердому тілі визначають характеристики сучасних твердотільних пристроїв. Багато груп і тисячі дослідників залучено до відкриття, вивчення та використання відповідних нових явищ. Серед них професор Еммануїл Рашба з його видатними результатами у фізиці кристалів розглядається (підноситься) як глибока особистість. Його внесок у майже всі галузі фізики твердого тіла неможливо перебільшити, деякі з його результатів знайшли важливе застосування. Проф. Е. І. Рашба відомий як один із провідних теоретиків в Україні, в Радянському Союзі, потім він продовжив успішну кар'єру в США. Хоча минуло вже багато років, наукова громадськість України пам'ятає професора Е. І. Рашбу і з вдячністю оцінює його вплив на становлення досліджень конденсованого стану в нашій країні. Даний стислий текст присвячено професору Е. І. Рашба і написано з нагоди його дня народження.


Індекс рубрикатора НБУВ: З85 + В334.212 д(4УКР) Рашба

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія: Фізика   
15.

Kochelap V. A. 
Rotating bi-electron in two-dimensional systems with mexican-hat single-electron energy dispersion = Бі-електрон, що обертається, у двовимірних системах з одноелектронною енергією типу мексиканського капелюха / V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 3. - С. 240-253. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.

Ряд нових двовимірних матеріалів і наноструктур демонструє складну залежність одноелектронної енергії від імпульсу, яка подібна мексиканському капелюху. У роботі проаналізовано взаємодію пари електронів з такою енергетичною дисперсією. Показано, що відносний рух електронної пари має дуже своєрідний характер. Наприклад, траєкторії в реальному просторі, які відповідають електрон-електронному розсіюванню, можуть мати три точки розвороту, точки розвороту при ненульовому радіальному імпульсі та інші незвичайні особливості. Незважаючи на відштовхувальну кулонівську взаємодію, два електрони можуть з'єднуватися, утворюючи складну квазічастинку - бі-електрон. Бі-електрон відповідає збудженим станам двоелектронної системи. Оскільки бі-електронні зв'язані стани існують у континуумі вільних станів електронної пари, ці стани є квазі-резонансними та мають скінченний час життя. Виявлено, що бі-електрон, який обертається, є овгоіснуючою складною квазічастинкою. Обертові бі-електрони можуть перебувати в русі. Для повільного руху бі-електронів визначено кінетичну енергію та ефективну масу. Через сильно непараболічну дисперсію енергії поступальний рух бі-електрона є пов'язаним з його внутрішнім рухом. Це призводить до того, що ефективна маса залежить від квантових станів бі-електрона. У роботі властивості бі-електрона проілюстровано на прикладі біграфену, до якого прикладено поперечне електричне поле. Зазначено, що дослідження обертових бі-електронів, що утворюються при одноелектронній дисперсії енергії подібної до мексиканського капелюха, можуть виявити нові цікаві ефекти у фізиці двовимірних кристалів за низьких температур.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В377.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського