Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Gritsenko M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Gritsenko M. I. 
Ion induced field effect in silicon in nematic liquid crystal cell / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 129-133. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:
 Електричні властивості 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Gritsenko M. I. 
Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 154-156. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К663.7 + В379.226

Рубрики:
 Покриття металами неметалічних матеріалів 
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Gritsenko M. I. 
Micropatterning in bistable cholesteric device with Bragg's reflection / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev, P. M. Lytvyn, V. G. Tishenko, V. M. Tkach, V. B. Yelshansky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 61-64. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В333.56

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Gritsenko M. I. 
Electrooptic effect in a nematic liquid crystal due to a surface polarization at a pore of dielectric of MOS structure / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 410-412. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Запропоновано механізм нестійкості гомеотропно орієнтованого нематика з позитивною анізотропією діелектричної проникності біля пори діелектрика в МДН структурі в постійному електричному полі. Полярний електрооптичний ефект обумовлений існуванням поляризованого шару нематика біля межі підкладка - нематик на зарядженому адсорбованому шарі. Визначено енергію активації процесу десорбції.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.35

Рубрики:
 Рідкі кристали 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського