Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Gaidar G$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 16 Представлено документи з 1 до 16 |
||||
| 1. | Dolgolenko A. P. Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in IBnD-Si (FZ, Cz) = Концентрація дефектів у кластерах, утворених швидкими нейтронами реактора в InD-Si (FZ, Cz) / A. P. Dolgolenko, G. P. Gaidar, P. G. Litovchenko // Ядер. фізика та енергетика. - 2007. - № 4. - С. 89-93. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Dolgolenko A. P. Influence of growing and doping methods on radiation hardness of InD-Si irradiated by fast-pile neutrons / A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko, M. D. Varentsov, V. F. Lastovetsky, G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 8-15. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Dolgolenko A. P. Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of IBpD-Si by fast-pile neutrons / A. P. Dolgolenko, M. D. Varentsov, G. P. Gaidar, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 9-14. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Dolgolenko A. P. The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium / A. P. Dolgolenko, G. P. Gaidar, M. D. Varentsov, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 1. - С. 4-12. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Gaidar G. P. Changes in Hall parameters after $E bold gamma-irradiation ($E bold {nothing sup 60 roman Co}) of IBnD-Ge / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 294-297. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Gaidar G. P. On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4. - С. 324-327. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Gaidar G. P. The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon / G. P. Gaidar, A. P. Dolgolenko, P. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 213-221. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Baranskii P. I. Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 3. - С. 218-222. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Gaidar G. P. Features of piezoresistance in heavily doped IBnD-silicon crystals / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 1. - С. 80-83Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Gaidar G. P. Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and $E bold gamma-irradiation ($E bold {nothing sup 60 roman Co}) on electrophysical parameters of $E bold {n- roman {Ge~symbol ... Sb symbol ъ}} / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 25-28. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Gaidar G. P. Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge As single crystals under the influence of thermoannealings / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 53-56. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Baranskii P. I. Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 39-43. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Gaidar G. P. Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 1. - С. 123-128. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Gaidar G. P. Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in gamma-irradiated (sup60/supCo) n-Si crystals / G. P. Gaidar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 1. - С. 48-53. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Gaidar G. P. Modification of the defective structure of silicon under the influence of radiation = Модифікація дефектної структури кремнію під впливом радіації / G. P. Gaidar, M. V. Pinkovska, M. I. Starchyk // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2019. - 11, № 3. - С. 03010-1-03010-6. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Досліджено особливості дефектоутворення у поверхневих і приповерхневих шарах Si під впливом опромінення пучками високоенергетичних іонів газів різних мас і показано перспективи використання таких іонних пучків для технології радіаційного легування напівпровідників. Встановлено, що ступінь пошкодження Si як в області пробігу іонів, так і в області їх гальмування збільшується і ускладнюється зі збільшенням енергії і маси іонів. Найбільші порушення структури спостерігалися в області гальмування іонів, де концентрація дефектів була максимальною. Виявлено, що структура області пробігу після опромінення протонами суттєво не змінювалася, на відміну від сильно пошкодженої структури після опромінення альфа-частинками. Більш впорядковані та вузькі лінії напружень, пов'язані з дефектами, спостерігалися в Si, опроміненому протонами, а їх кількість і розташування щодо гальмівної лінії залежали від інтенсивності пучка іонів. Встановлено для Si, опроміненого альфа-частинками, що область їх гальмування складається з порожнеч різних розмірів і форм, витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих кластерів, що супроводжуються дислокаційними петлями, які утворилися. З'ясовано, що складна структура смуги гальмування дейтронів у кремнії зумовлена наявністю дислокацій у вихідному Si, їх рухом і взаємодією з радіаційними дефектами за опромінення. Остаточна картина формування і впорядкування дефектів визначається взаємодією ростових і радіаційних дефектів і температури під час опромінення. Виявлено зміни ширини витравленої смуги гальмування в межах від 20 до 200 мкм залежно від маси іонів. Мінімальну ширину гальмівної смуги для всіх типів опромінення одержано на краю опромінюваної області, де температура зразка була нижчою внаслідок охолодження, а максимальну - в центрі опромінюваної області. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Gaidar G. P. Effect of different heat treatment regimes on electrical properties and microstructure of n-Si = Вплив різних режимів термічної обробки на електричні властивості та мікроструктуру n-Si / G. P. Gaidar, P. I. Baranskii // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 4. - С. 04003-1-04003-5. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. Виявлено особливості змін електричних властивостей і мікроструктури монокристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору за різними методами (через розплав і з використанням методу ядерної трансмутації), залежно від умов термічних обробок, які широко використовуються в дослідженнях з напівпровідниками і під час створення приладів на їх основі. Метод ядерної трансмутації базується на перетвореннях ізотопів кремнію у разі захоплення ними теплових нейтронів. Принципова відмінність цього методу від металургійного способу легування полягає в тому, що легуючі домішки не вводяться у вихідний матеріал ззовні, а утворюються у процесі опромінення безпосередньо з атомів матеріалу, який легують. За допомогою трансмутаційного легування можна одержувати високу однорідність розподілу домішок, що забезпечується випадковим розподілом ізотопів, рівномірністю нейтронного потоку і невеликими перерізами захоплення нейтронів, а також високу точність легування, внаслідок пропорційності концентрації введених домішок часу опромінення (за сталого нейтронного потоку). Встановлено, що ступінь дефектності відпалених кристалів n-Si залежить не тільки від часу високотемпературного відпалу, а й від швидкості охолодження зразків. Виявлено, що тривалий високотемпературний відпал зразків n-Si, незалежно від способу легування, сприяє генерації глибоких донорних центрів у разі як повільного, так і швидкого охолодження, і знижує концентрацію носіїв заряду в зразках, легованих через розплав, у 1,5 - 2 рази, а в трансмутаційно легованих - у 1,5 - 3,5 разу, причому в останньому випадку ефект сильніше виражений у разі швидкого охолодження. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-106 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського