A supramolecular complex of 14C-cynozepam with ?-cyclodextrin has been synthesized. The results of the comparative analysis of the pharmacokinetic parameters of cynozepam with its introduction in the form of a supramolecular complex with cyclodextrin and the substance itself allowed to reveal a number of advantages of this complex. They are the higher values of the drug's concentration in the blood plasma and brain tissues (Сmax) and the area under the "concentration - time" curve (AUC); a higher absorption degree from gastro-intestinal tract into the bloodstream.

Розглянуто методи математичного моделювання процесів формування і передачі аналогових і цифрових сигналів авіаційних радіоелектронних систем. Створено математичні моделі процесів модуляції в разі наявності різноманітних початкових даних, проведено комп'ютерне моделювання.

У наближенні ефективних мас і прямокутних потенціалів розвинено теорію електронної динамічної провідності плоскої багатошарової резонансно-тунельної структури у постійному електричному полі в моделі відкритої наносистеми та сил осциляторів квантових переходів у моделі закритої системи. На прикладі експериментально реалізованого квантового каскадного лазера з чотирибар'єрною активною зоною окремого каскаду показано, що саме теорія динамічної провідності у моделі відкритого каскаду найбільш адекватно описує процес випромінювання високочастотного електромагнітного поля під час проходження електронів крізь резонансно-тунельну структуру у постійному електричному полі.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*739.2*01*72 + Г265

Рубрики:

Загальна зоологія

Семичленні гетероцикли

Шифр НБУВ: Ж21341/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*739.2*01-642:Г2 + Г265-4 + Л616.5

Рубрики:

Загальна зоологія

Семичленні гетероцикли

Шифр НБУВ: Ж25067 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The theory of active dynamic conductivity in the three-barrier active zone of a quantum cascade laser has been developed in the model of the electron effective mass and rectangular potential in the low signal approximation. In the preceding paper, it was shown that the static charge causes an increase of the lifetime of electronic quasi-stationary states and the shift of the energy levels into the high-energy range without changing maximum values of the active dynamic conductivity. The dynamic charge causes redistribution of the partial components of the active dynamic conductivity without affecting the spectral parameters of electron. It has been set that the partial components of the dynamic conductivity caused by the passing through electron flow from nanostructures reduce, and the components of conductivity caused by the flow in the opposite direction increase, thus, the conductivity value remains constant.

Наведено дані про патогенез симптомів полінейропатії у хворих на гіпотиреоз, на підставі чого обгрунтовано шляхи патогенетичної терапії. Наведено найбільш важливі аспекти лікування полінейропатії на тлі гіпотиреозу згідно з новітніми міжнародними рекомендаціями, зазначено перспективні наукові напрямки для оптимізації надання допомоги пацієнтам із цією патологією.

У моделі пружного континууму розвинено теорію енергетичного спектра поперечних акустичних фононів, що виникають у плоских напівпровідникових наноструктурах. Для досліджуваної резонансно-тунельної структури, що може виконувати роль активного елемента квантового каскадного лазера чи детектора, розраховано спектр акустичних фононних мод. Встановлено залежності спектру акустичних фононів від геометричних параметрів досліджуваної наноструктури. Розвинену теорію може бути використано для подальшого теоретичного дослідження процесів взаємодії електронів з акустичними фононами у багатошарових наноструктурах.

З використанням моделі прямокутних потенціальних ям і бар'єрів розвинено квантово-механічну теорію спектральних параметрів і динамічної провідності електронів, взаємодіючих зі створюваним ними полем просторового заряду у відкритій плоскій резонансно-тунельній структурі з постійним електричним полем. Досліджено вплив просторового заряду на провідність експериментально реалізованої наноструктурн як активної області квантового каскадного лазера для різних концентрацій електронів в надаючому на резонансно-тунельну структуру пучку.

Використовуючи модель ефективної маси для електрона та моделі діелектричного континууму, отримано аналітичні розв'язки самоузгодженої системи рівнянь Шредінгера - Пуассона. Для експериментально створеної триямної резонансно-тунельної структури - каскаду квантового каскадного детектора розроблено квантово-механічну теорію електронних стаціонарних станів, сил осциляторів квантових переходів і метод розрахунку її потенціального профілю. Для запропонованого методу проведено порівняння з результатами інших методів та результатами експерименту. Отримано добре узгодження між розрахованою величиною детектованої енергії та її експериментальною величиною, які відрізняються не більш, ніж на 2,5 %.

У моделі прямокутних потенціальних ям та бар'єрів та моделі ефективних мас для електрона, з використанням одержаних точних розв'язків нелінійного кубічного рівняння Шредінгера, розвинено квантово-механічну теорію стаціонарного електронного спектра та сил осциляторів квантових переходів з урахуванням електрон-електронної взаємодії у наближенні Хартрі - Фока. На прикладі двоямної плоскої напівпровідникової наноструктури, що може функціонувати як активна зона квантового каскадного детектор, показано, що врахування між електронної взаємодії зменшує інтенсивність квантових переходів між першими електронними станами та зменшує величину детектованої енергії.

З використанням моделі пружного континууму одержано точні аналітичні розв'язки для рівнянь руху пружного середовища багатошарової резонансної тунельної наносистеми, що описують зміщувальні моди акустичних фононів. Одержано вирази, що задають компоненти тензора напружень, які виникають в досліджуваній наноструктурі, а також граничні умови для компонент вектора пружного зміщення та компонент тензора напружень. З використанням одержаних рівнянь руху для пружного середовища і граничних умов у пропонованій роботі для плоскої аресенідної напівпровідникової наноструктури розроблено теорію спектра і фононних мод для зміщувальних акустичних фононів. Показано, що спектр зміщувальних акустичних фононів досліджуваної наносистеми одержується з дисперсійного рівняння, що випливає з граничних умов застосуванням методу трансфер-матриці. Використовуючи умову ортогональності, одержано нормалізовані моди зсувних акустичних фононів. Для параметрів трибар'єрної наноструктури - активної зони квантового каскадного детектора - виконано розрахунок спектра акустичних фононів і його залежностей від хвильового вектора і геометричних параметрів наноструктури. Показано, що розраховані залежності спектра акустичних фононів від хвильового вектора утворюють три групи з граничними значеннями, рівними відповідним енергіям акустичних фононів в масивних кристалах. Також встановлено, що збільшення товщини внутрішнього бар'єра за постійних інших геометричних параметрах наносистеми призводить до стійкого зменшення значень енергій рівнів фононів. Розвинена теорія може бути застосованою для дослідження розсіяння електронних потоків на акустичних фононах у багатошарових резонансно-тунельних структурах.

Використовуючи метод температурних функцій Гріна та рівняння Дайсона, вперше розвинено теорію взаємодії електронів з акустичними фононами (АФ) у багатошарових нітридних AlN/GaN наноструктурах у випадку довільних температур. Отримано складові гамільтоніана, що описують систему електрона з АФ і величини зміщень спектра електрона, зумовлені електрон-фононною взаємодією. Встановлено залежності рівнів спектра електронів АФ залежно від положення внутрішнього потенціального бар'єра у досліджуваній наноструктурі. Виконано розрахунки зміщень і згасань рівнів електронного спектра для різних значень температури.

Із використанням моделей пружного та діелектричного континууму отримано систему диференціальних рівнянь, знайдені точні аналітичні розв'язки якої описують пружне зміщення середовища нітридної напівпровідникової наноструктури та п'єзоелектричний ефект, який зумовлений поперечними акустичними фононами (ПАФ). Розвинено теорію спектра ПАФ і пов'язаного з ними п'єзоелектричного потенціалу. Показано, що ПАФ взаємодіють з електронами через деформаційний потенціал, проте така взаємодія може відбуватися через п'єзоелектричний потенціал. За допомогою методу температурних функцій Гріна та рівняння Дайсона отримано вирази, які описують температурні залежності зміщень рівнів електронного спектра та їх згасання. Розрахунки спектра електронів, акустичних фононів і характеристик, що визначають їх взаємодію за різних температур, виконано на прикладі фізичних і геометричних параметрів типової AlN/GaN наноструктури, що може бути елементом окремого каскаду квантового каскадного лазера чи детектора.

З використанням точних розв'язків стаціонарного рівняння Шредінгера та рівняння руху пружного напівпровідникового середовища, на базі формалізму вторинного квантування, розвинуто теорію взаємодії електронів з акустичними фононами в арсенідній багатошаровій резонансній тунельній структурі AlAs/GaAlAs. З використанням мацубарівських функцій Гріна та рівняння Дайсона встановлено вирази, які описують температурні зміщення енергій електронних рівнів в наноструктурі і швидкості їх згасання. Безпосередні розрахунки величин, що характеризують взаємодію електронів з акустичними фононами, виконано на основі фізичних і геометричних параметрів типової наноструктури. Послідовно досліджено залежності перенормованих спектральних параметрів електрона від геометричних параметрів сумарної потенціальної ями наносистеми за різних температур. Показано, що вплив акустичних фононів спричиняє зменшення частоти квантових електронних переходів у досліджуваній наноструктурі, а цей ефект стає більш помітним з ростом температури. Встановлено, що абсолютні величини температурних зміщень електронних стаціонарних станів зменшуються зі збільшенням номера електронного стаціонарного рівня. Також ріст температури спричиняє ріст часів розсіювання електронних станів, що є ефектом дисипації, безпосередньо впливаючи на електронні процеси в наноструктурі.