Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання.

Описано применение пористого кремния (ПК) в различных областях полупроводниковой микроэлектроники. Рассмотрено использование ПК для создания фильтров и газовых сенсоров, для формирования высокопроводящих слоев, контактов и соединительных элементов ИС, резисторов, фотоэлектродов, волноводов, тонких пленок нитрида, оксида или карбида кремния, а также для формирования светоизлучающих структур, антиотражающих покрытий, фотоприемников и солнечных элементов, преобразователей излучения. Проанализированы механизмы электролюминесценции и проблемы, стоящие перед разработчиками оптоэлектронных приборов и возможные пути их решения.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано методику отримання однорідних тонких плівок нанокристалічного кремнію. Показано, що дана методика має гарну відтворюваність і високу технологічність і може бути використана для промислового виробництва елементів і приладів на основі нанокристалічного кремнію. Вивчено залежності люмінесцентних і структурних властивостей, а також хімічного складу плівок від режимів травлення методами фотолюмінесценції, растрової електронної мікроскопії, вторинно-іонної мас-спектрометрії й оже-електронної мікроскопії. Показано, що описана методика одержання нанокристалічного кремнію дає можливість контрольовано керувати характеристиками плівок з метою їх практичного використання в різних областях.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена з'ясуванню ролі поверхні кремнієвих кристалітів у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції пористого кремнію, одержаного анодним травленням. Показано, що існує дві ультрафіолетові та видима смуги збудження, яким відповідають різні компоненти смуги люмінесценції. Встановлено, що випромінювання може мати місце за відсутності квантоворозмірних кристалітів. Доведено, що речовини, розташовані на поверхні кремнієвих кристалітів (окисли та оксигідриди), беруть участь у процесах поглинання світла збудження. Визначено, що утворення центрів безвипромінювальної рекомбінації (поверхневі центри кремнієвих окислів) є основною причиною падіння інтенсивності люмінесценції при термообробках зразків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.271

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: ВС65232 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень трансформації структурних, оптичних, електричних та люмінесцентних властивостей напівпровідникових та діелектричних матеріалів внаслідок термічної, ультразвукової та радіаційної обробки. Описано методи виготовлення матеріалів, процеси термічної дифузії домішок та власних дефектів, їх дифузії під дією світла, дрейфу дефектів в електричному полі, взаємодії об'ємних дефектів. Розглянуто питання утворення різного типу радіаційних дефектів, процеси фазово-структурних перетворень в різних сполуках та їх твердих розчинах. Розкрито вплив цих процесів на стабільність роботи приладів на основі таких матеріалів та визначено чинники, що відповідають за процеси деградації приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.271

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331 + В379.226

Рубрики:

Фонони

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844-03 + В379.25,022

Рубрики:

Радіоапаратура (радіоелектронна апаратура)

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: РА452561 Пошук видання у каталогах НБУВ