Охарактеризовано електронні процеси в полікристалічних оксидних напівпровідниках. Висвітлено електронні явища в полікристалічних напівпровідникових матеріалах, описано структурно-технічні та електричні властивості, конструктивні особливості застосування варисторів, терморезисторів і позисторів. Розглянуто проблеми аналізу властивостей полікристалічних напівпровідникових структур.

Охарактеризованы электронные процессы в поликристаллических оксидных полупроводниках. Освещены электронные явления в поликристаллических полупроводниковых материалах, описаны структурно-технические и электронные свойства, конструктивные особенности применения варисторов, терморезисторов и позисторов. Рассмотрены проблемы анализа свойств поликристаллических полупроводниковых структур.

Розглянуто засади побудови, функціонування та програмування цифрових пристроїв (ЦП) і мікропроцесорів. Розкрито арифметичні засади обчислювальної техніки, логічні засади ЦП. Охарактеризовано функціональні вузли комбінаційного (перетворювачі кодів, шифратори та дешифратори, компаротори, мультиплексори та демультиплексори) та послідовного (тригерні пристрої, регістри, лічильники) типів. Проаналізовано особливості використання програмованих структур для розв'язання задач обробки інформації.

Рассмотрены основы построения, функционирования и программирования цифровых устройств (ЦУ) и микропроцессоров. Раскрыты арифметические основы вычислительной техники, логические основы ЦУ. Охарактеризованы функциональные узлы комбинационного (преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы, компароторы, мультиплексоры и демультиплексоры) и последовательного (тригерные устройства, регистры, счетчики) типов. Проанализированы особенности применения программированных структур для решения задач обработки информации.

Висвітлено основні відомості про будову, функціонування та програмування мікроконтролерів найбільш поширених типів. За базовий варіант прийняті швидкісні та багатофункціональні мікроконтролери сімейства AVR. Питання, які пов'язані із програмуванням мікроконтролерів, моделюванням і вивченням роботи діючих на їх базі пристроїв, оформлено у вигляді лабораторних робіт. Наведено детальні відомості про апаратні та програмні засоби поширених мікроконтролерів інших серій.

Изложены основные сведения о строении, функционировании и программировании микроконтроллеров наиболее распространенных типов. За базовый вариант приняты скоростные и многофункциональные микроконтроллеры семейства AVR. Вопросы, связанные с программированием микроконтроллеров, моделированием и изучением работы действующих на их основе устройств, оформлены в виде лабораторных работ. Представлены детальные сведения об аппаратных и программных средствах распространенных микроконтроллеров других серий.

Ключ. слова: оксид цинку, спирт, пари, газочутливість, математична модель, електропровідність
Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.7-106 + В379.2

Рубрики:

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження композитів поліетилен - графіт, які свідчать про визначальний вплив на їх електропровідність проходження електронів крізь поліетиленовий прошарок між графітовими зернами. Показано, що модель тунельного електропереносу за участю локалізованих станів у зазначеному прошарку, яка враховує його розширення з ростом температури, дозволяє задовільно описати статичну вольт-амперну характеристику таких композитних матеріалів.

Наведено відомості про побудову, функціонування та програмування мікроконтролерів найбільш поширених типів, зокрема, швидкісних та багатофункціональних мікроконтролерів AVR. Описано генератор тактових сигналів, аналоговий компаратор, аналого-цифровий перетворювач, універсальний синхронний та асинхронний приймач, послідовний периферійний інтерфейс SPI та двопроводовий інтерфейс TWI. Розглянуто питання розробки програм для мікроконтролерів і моделювання роботи пристроїв на їх основі.

Описано методи електричних вимірювань та контролю властивостей та якості структурно неоднорідних виробів та матеріалів. Проаналізовано вплив форми частинок на діелектричну проникність матричної системи, поверхневої провідності на діелектричні явища та плівковий ефект. Визначено електропровідність систем з провідниковою фазою, електронні явища в міжкристалічних потенціальних бар'єрах, властивості напівпровідникового кристаліта, ізольованого міжкристалічною фазою, у змінному електричному полі, а також властивості полікристалічних напівпровідникових структур. Висвітлено особливості неоднорідних структур зі стрибковим електропереносом. Визначено параметри неоднорідних елементів електронних приладів: оксидні варисторні структури, композиційні фоторезистивні шари, керамічні газочутливі елементи, позисторні композити типу поліетилен-графіт. Увагу приділено питанням застосування електричних вимірювань для неруйнівного контролю матеріалів, контролю порошкоподібних матеріалів, використання системи метал - склоподібний напівпровідник.

Описаны методы электрических измерений и контроля свойств и качества структурно неоднородных изделий и материалов. Проанализированы влияние формы частиц на диэлектрическую проницаемость матричной системы, поверхностной проводимости на диэлектрические явления и пленочный эффект. Определены электропроводимость систем с проводниковой фазой, электронные явления в межкристаллических потенциальных барьерах, свойства полупроводникового кристаллита, изолированного межкристаллической фазой, в переменном электрическом поле, а также свойства поликристаллических полупроводниковых структур. Освещены особенности неоднородных структур со скачковым электропереносом. Определены параметры неоднородных элементов электронных приборов: оксидные варисторные структуры, композиционные фоторезисторные шары, керамические газочувствительные элементы, позисторные композиты типа полиэтилен-графит. Внимание уделено вопросам применения электрических измерений для неразрушающего контроля материалов, контроля порошкообразных материалов, использования системы металл - стеклообразный полупроводник.

Наведено результати моделювання впливу міграції іонів у напівпровідникових кристалітах оксиду цинку за тривалого протікання робочого електричного струму на вольтамперні характеристики (ВАХ) варисторних структур і визначення умов та параметрів, придатних для контролю процесу їх незворотної деградації. Встановлено, що більш схильна до змін (накопичення приповерхневої концентрації донорів, зменшення висоти й товщини) складова міжкристалітного потенціального бар'єра, яка утворюється областю просторового заряду кристаліта, є зворотно зміщеною під час протікання деградаційного струму. У процесі деградації варисторна ділянка прямої (стосовно струму деградації) гілки ВАХ більше зміщується в область менших напруг, а струм витоку більше зростає для слабонелінійної ділянки зворотної гілки ВАХ. Показано відповідність тенденцій зміни основних варисторних параметрів (зниження класифікаційної напруги, зменшення коефіцієнта нелінійності та збільшення струму витоку), котрі одержані з аналізу розвинутої моделі, відомим експериментальним даним і можливість оцінки коефіцієнта дифузії заряджених донорів та використання цього параметра у контролі працездатності виробів на основі варисторних оксидно-цинкових структур з тунельною ВАХ.

Розкрито основи мікропроцесорної техніки, зокрема базові поняття, принципи її побудови та функціонування. Викладено головні відомості з арифметичних основ цифрових пристроїв, побудови і функціонування основних функціональних вузлів та мікропроцесорів та їх інтерфейсу на прикладі мікропроцесорного комплекту КР580.

Викладено уявлення про частотні залежності комплексної діелектричної проникності однорідних діелектриків та формальні моделі, які застосовуються для їх аналізу. Охарактеризовано сучасний стан вивченості діелектричних властивостей гетерогенних двокомпонентних діелектриків. Подано відомості про механізми електропереносу через міжкристалітні потенціальні бар'єри в неоднорідних структурах та методи моделювання їх вольтамперних характеристик. Подано теоретичні уявлення про діелектричні властивості неоднорідних діелектриків із напівпровідниковими включеннями та фізичні основи діелектричної релаксаційної спектроскопії як методу дослідження локалізованих електронних станів у неоднорідних структурах.

Проведено оцінку придатності алгоритму на основі моделі розтягнутої експоненціальної функції для обробки даних кінетики відгуку резистивних газових сенсорів з метою різширення функціональних властивостей відповідних інформаційно-вимірювальних технологій і практичного застосування. Апробація алгоритму на зразках газових сенсорів на основі керамічного оксиду цинку показала його ефективність для моделювання кінетики спаду відгуку після впливу активного газу (метану). Визначено параметри: статичне значення відгуку; середній час релаксації та його розподіл.

Проаналізовані наявні уявлення про причини появи локальних областей з підвищеною температурою ("гарячих плям") в панелях сонячних батарей та методи й засоби їх запобігання. Відмічені перспективи додаткових блокувальних елементів для ізоляції температурних і струмових перевантажень та перенапруг у фотоелектричних елементах та їхніх модулях на основі недорогих елементів сучасної функціональної електроніки, зокрема, самовідновлювальних запобіжників типу "Polyswith".

Надано інформацію про фактори, що ведуть до відмов фотоелектричних компонентів сонячних батарей. Наведено схемотехнічні методи та засоби, що дозволяють тією чи іншою мірою вирішувати проблеми забезпечення їх надійності. Особливу увагу приділено сучасним уявленням про причини появи ''гарячих плям'' і новим підходам до їх запобігання. Обговорено можливості застосування елементів сучасної функціональної електроніки, зокрема, самовідновлюваних запобіжників для протидії струмовим перенавантаженням та ізоляції ''перегрітих'' фотоелектричних елементів.