Синтезовано плівки ZnS за допомогою методу хімічного поверхневого осадження з водного розчину солі цинк сульфату на скляні підкладки. Досліджено оптичні властивості, морфологію поверхні, ступінь кристалічності плівок ZnS залежно від умов осадження.

За допомогою методу хімічного осадження з ванн синтезовано тонкі плівки ZnS на скляних підкладках. Як комплексоутворювач використано натрій гідроксид. Досліджено структуру, морфологію поверхні, оптичні, електричні властивості одержаних плівок. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації натрій гідроксиду на масу цинку в плівках ZnS. Одержані результати мають добру сходимість із результатами профілометричних вимірювань. Показано характер упаковки та зміну розмірів зерен на поверхні плівок ZnS за різних кількостей комплексоутворювача.

Тонкі плівки цинку селеніду (ZnSe) синтезовано з водного розчину натрію гідроксиду на скляних підкладках. За допомогою методу інверсійної вольтамперометрії встановлено вплив концентрації вихідної цинк-вмісної солі, комплексуючого реагенту натрію гідроксиду, іонів селену та гідразину гідрату на масу цинку в плівках ZnSe за різної тривалості та температури осадження. На підставі одержаних даних оптимізовано умови синтезу тонких плівок цинку селеніду. Досліджено структуру, оптичні властивості, морфологію поверхні, атомний склад, товщину одержаних плівок ZnSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.511

Рубрики:

Системи метал-метал

Шифр НБУВ: Ж28852/х. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Тонкі плівки гідраргерум сульфіду (HgS) синтезовано на скляних підкладках з водного розчину, що містив сіль гідраргеруму, тіокарбамід та тринатрій цитрат. Встановлено, що отримані покриття є однофазними та містять гідраргерум сульфід у структурі кіновару. Визначено параметри її елементарної комірки (a = 0,41523(4) нм, c = 0,94813(12) нм). Досліджено вплив pH середовища на товщину, оптичні характеристики, ширину забороненої зони, морфологію поверхні та атомний склад отриманих плівок HgS. Встановлено, що оптимальним для синтезу покриттів гідраргерум сульфіду є рН робочого розчину у межах 6,8 - 7,2.

Розглянуто основні аспекти синтезу тонких плівок гідраргерум (II) сульфіду (HgS) і гідраргерум (II) селеніду (HgSe) методом хімічного осадження. Проаналізовано основні параметри синтезу плівок (природа і концентрація реагентів, температура, час осадження, природа та попередня підготовка підкладки, умови відпалу); розглянуто та підсумовано їхній вплив на фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості плівок. Увагу приділено аналізу та порівнянню фізико-хімічних властивостей HgS та HgSe залежно від умов синтезу, вибору підкладки, її попередньої підготовки та умов відпалу.

Методом хімічного осадження синтезовано тонкі напівпровідникові плівки цинк сульфіду та цинк селеніду з водних розчинів цинк-вмісної солі. Структурні, оптичні, морфологічні властивості, товщину плівок ZnS і ZnSe досліджено рентгенівською дифракцією, оптичною спектроскопією, скануючою електронною й атомно-силовою мікроскопією, профілометрією. Встановлено, що метод хімічного осадження дозволяє одержувати напівпровідникові тонкі суцільні плівки цинк сульфіду та цинк селеніду стехіометричного складу на підкладках великої площі за низьких температур. Використано метод інверсійної вольтамперометрії для визначення маси цинку у напівпровідникових тонких плівках ZnS і ZnSe та встановлено оптимальні умови їх синтезу. Кінетику швидкості реакцій синтезу ZnS і ZnSe досліджено методом молекулярно-абсорбційного аналізу та визначено ефективні енергії активації. Створено плівкові тверді розчини та композиційні структури на основі хімічно осаджених плівок цинк сульфіду та цинк селеніду. Досліджено фазовий склад, оптичні та морфологічні властивості одержаних плівкових твердих розчинів і структур та показано, що використання хімічного осадження дає змогу значно спростити та здешевити процес їх виготовлення, що може стати основою для масового виробництва фоточутливих елементів. Проведено квантово-хімічне моделювання процесу синтезу цинк сульфіду та цинк селеніду з різними комплексоутворюючими реагентами, яке дозволило встановити хімізм процесу осадження плівок.

Проведено огляд основних фізичних і хімічних методів синтезу тонких плівок цинк сульфіду (ZnS) і цинк селеніду (ZnSe). Розглянуто кристалографічні характеристики цих сполук. Проаналізовано особливості виконання методів, їхні переваги та недоліки. Показано основні параметри отримання (температура, час осадження) плівок ZnS і ZnSe, їхні структурні, морфологічні властивості та товщину залежно від вибраного способу їхнього синтезу. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Аргументовано вибрано оптимальний метод хімічного осадження для одержання тонких плівок ZnS та ZnSe, які можна використати для заміни кадмійвмісних покриттів у буферних шарах фоточутливих елементів.

Розглянуто основні методи синтезу тонких плівок кадмій сульфіду (CdS) і кадмій селеніду (CdSe). Проаналізовано умови синтезу та властивості тонких плівок CdS та CdSe і фоточутливих гетероструктур на їх основі. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Увагу приділено аналізу та порівнянню морфологічних та оптичних властивостей плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду, отриманих фізичними, хімічними та комбінованими методами. Здійснено аргументований вибір оптимального методу хімічного поверхневого осадження для одержання тонких плівок CdS і CdSe, які можна використати як буферні шари у сонячних елементах.