Досліджено вплив багатодолинної структури енергетичних зон напівпровідника на динаміку народження та еволюцію високопольових термодифузійних автосолітонів (АС) у нерівноважній електронно-дірковій плазмі (ЕДП) Ge. Вивчено різні типи АС: статичні, біжучі, пульсуючі, простої та складної форми, поодинокі та множинні, що виникають у зразках з різною кристалографічною орієнтацією. З рівняння балансу енергій визначено параметри плазми в гріючому електричному полі. Одержано добре узгодження експериментально спостережених параметрів АС та критеріїв їх виникнення з передбаченими загальною теорією АС.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації.

Викладено оригінальні результати експериментальних досліджень явища слабкої локалізації двовимірних носіїв у дельта-легованих структурах на основі арсеніду галію. З результатів магнето-транспортних вимірювань встановлено польову залежність температури носіїв, на підставі чого одержано кількісну інформацію про характер енергетичних втрат гарячими носіями. Запропоновано та розвинуто новий експериментальний метод фононної спектроскопії для досліджень ефектів слабкої локалізації носіїв. Доведено, що збільшення провідності дельта-легованих шарів під час поглинання потоків нерівноважних акустичних фононів обумовлено руйнуванням квантової інтерференції носіїв, що має місце у "брудному" Фермі газі. Запропоновано модель цього механізму, що полягає у підвищенні середньої температури електронів під час поглинання енергії акустичних фононів. За допомогою розвиненої моделі вдається повністю описати експериментальні результати поведінки фононопровідності у слабких електричних і магнітних полях. На підставі обчислень енергетичних спектрів носіїв у самоузгодженій квантовій ямі, притаманній дельта-легованим шарам, розраховано електрон-фононну взаємодію для різних зон просторового квантування носіїв. Шляхом обчислення показано, що левова частка поглиненої енергії акустичних фононів пов'язана зі взаємодією носіїв верхньої, менш заселеної підзони просторового квантування.