Ключ. слова: аморфные сплавы, атомная структура, структурная релаксация, gamma-облучение, радиационные дефекты, магнитные свойства
Індекс рубрикатора НБУВ: К297.091

Рубрики:

Вплив опромінювання на структуру і властивості аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.24

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4 + В372.7

Рубрики:

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено експериментальне дослідження впливу електронного та гамма-опромінення на структуру та магнітні властивості аморфних і нанокристалічних сплавів системи Fe - Si - B. Показано, що динаміка змін структурного фактора аморфних сплавів даного виду під дією електронного та гамма-опромінення якісно однакова. На базі одержаних результатів обгрунтовано два механізми впливу опромінення на структуру аморфних металевих сплавів: радіаційно-стимульовану релаксацію та розупорядкування. Встановлено, що величина та напрям змін висоти першого максимуму структурного фактора, температури Кюрі та кристалізації сплавів Fe - Si - B під дією опромінення істотно залежать від концентрацій кремнію та бору в їх складі. Показано, що відмінність впливу опромінення на ближній порядок і процес кристалізації в аморфних сплавах Fe - Si - B імовірно пов'зана з різними механізмами радіаційно-стимулювальної дифузії атомів кремнію та бору. Встановлено, що в результаті легування сплавів Fe - Si - B нікелем і молібденом відбувається зменшення радіаційної чутливості структурного фактора, температури Кюрі та кристалізації, а також збільшення чутливості - магнітної проникності. Запропоновано якісну модель впливу легування даними елементами на радіаційно-стимульовані структурні зміни в аморфних сплавах на основі Fe - Si - B. Доведено вплив електронного опромінення за кімнатної температури на подальшу кристалізацію аморфно-кристалічного сплаву на основі Fe - Si - B, яка відбувається за механізмом зростання кристалів. Встановлено, що радіаційна чутливість магнітних характеристик нанокристалічних сплавів на базі системи Fe - Si - B - Cu - Nb

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.275

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На підставі аналізу способів визначення термічного поперечного перерізу захоплення дефектом носіїв заряду зі спектрів DLTS розкрито можливі причини суттєвих похибок при визначенні даного параметра. Окреслено межі застосовності кожного зі способів за рядом критеріїв - характеристики досліджуваної напівпровідникової структури, термічна залежність поперечного перерізу захоплення, тощо. Сформульовано вимоги до апаратної частини та запропоновано схему DLTS спектрометра, здатного реалізувати один з прямих способів визначення поперечного перерізу захоплення носіїв.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.251.4

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены перспективы использования суперконденсаторов в качестве элементов спутниковой системы энергообеспечения. Проведена серия лабораторных экспериментов по влиянию гамма- и электронного облучения на характеристики суперконденсаторов. Установлено, что суммарная эквивалентная доза радиации, способная ухудшить основные технические характеристики источника энергии, может быть накоплена на околоземных орбитах за время, которое значительно превышает время жизни самого спутника. Показано, что наиболее чувствительным к действию ионизирующей радиации элементом конструкции суперконденсаторов является электролит.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.251.4 + В379.224

Рубрики:

Структура напівпровідників

Кристалізація

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив компонентного складу, умов гідратації та електронного опромінення на механічні, оптичні, дифузійні та гідрофільні властивості радіаційно-зшитих гідрогелів на основі системи полівініловий спирт-поліетиленгліколь з точки зору їх застосування у виготовленні медичних пов'язок для лікування опіків та ран. Експериментально виявлено та проаналізовано значний вплив інтенсивності електронного опромінення і температури розчинів на процеси радіаційного зшивання високомолекулярних полімерів. Показано переважну залежність гідрофільності зшитих гідрогелів від дози опромінення над залежністю від композиційного складу. Визначено діапазони оптимальності режимів опромінення та концентрації полімерів, що забезпечують вимоги до радіаційно-зшитого гідрогелю як матеріалу для медичних пов'язок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.21

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р281.812/813 + В371.21

Рубрики:

Антисептичні засоби

Наноструктури

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В379.222

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено закономірності впливу попереднього опромінення високоенергетичними електронами (ВЕЕ) водного розчину натрію хлориду (фізіологічного розчину - ФР) на оптичні та цитотоксичні/цитостатичні властивості розчиненого в ньому доксорубіцину. На культурі пухлинних клітин карциноми легені Льюїс було показано, що попереднє опромінення розчинника ВЕЕ з енергією 1 МеВ перед розчиненням у ньому доксорубіцину, призводить до посилення цитотоксичної/цитостатичної дії препарату, найбільш вираженого в діапазоні низьких концентрацій доксорубіцину. Величина поглиненої фізіологічним розчином дози опромінення становила від 4 до 80 кГр. При цьому максимальні зміни в коливальних спектрах доксорубіцину спостерігаються після його розчинення в хлориді натрію, опроміненого дозою 10 кГр. Обговорено можливі причини ефектів, які спостерігаються.