In the frames of a diffusion model modified by mechanical and deformation effects, a method of impurity stationary profile is proposed. The presence of stressed layers in heterosystems is shown to result in the redistribution of impurities. In particular, impurities are stored in the stressed layers of a heterostructure, which consequently leads to a decrease in the concentration of impurities in the non-deformed part of a crystal. In stressed layers with tension deformation, the impurity concentration is reduced, but it increases in the non-deformed part of a heterostructure.

На основі розв'язку рівняння вимушеної дифузії та самоузгодженого розв'язку системи рівнянь, що описує електрон-деформаційну взаємодію, досліджено розподіл інтеркальованих (дифундуючих) атомів у шаруватому кристалі. У даному випадку враховано механічні напруження в кристалічній матриці, спричинені інтеркалянтом, та викликану ними електронну складову напруження. Показано, що електронна підсистема протидіє поширенню інтеркалянту вглиб кристала.

Розвинуто мікроскопічну теорію електронного стану кристалів з дислокаціями. З урахуванням електрон-деформаційної взаємодії в межах цієї моделі розраховано заповнення електронних станів кристала з поодинокою краєвою прямолінійною дислокацією і зі стінкою дислокацій.

У рамках моделі деформаційного потенціалу з врахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано спектр електрона, локалізованого поблизу крайової дислокації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.2

Рубрики:

Електронна теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 + К208

Рубрики:

Вакансії і домішки

Вплив легувальних елементів і домішок на структуру і властивості металів і сплавів. Теорія легування. Леговані сплави

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У межах самоузгодженої електрон-деформаційної моделі розраховано поверхню електронної густини в околі дислокаційної стінки в напруженій гетеросистемі ZnSe/GaAs і досліджено зміну її форми залежно від середнього значення концентрації електронів провідності та відстані між дислокаціями невідповідності (ДНВ). Показано, що в напрямку, паралельному лінії розміщення ДНВ, форма поверхні електронної густини є синусоподібною, а в напрямку, перпендикулярному до неї, - гаусоподібною.

Побудовано нелінійну модель самоорганізованого перерозподілу точкових дефектів у тришарових гетеросистемах GaAs/InAs/GaAs, ZnTe/CdTe/ZnTe. Показано, що залежно від ширини внутрішнього напруженого шару та середньої концентрації точкових дефектів їх концентраційний профіль може суттєво змінюватися.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3 + В371.236

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В376

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.21 + В377.1

Рубрики:

Структура монокристалів кольорових металів

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Побудовано алгоритм розв'язку рівняння Пуассона - Фермі - Дірака для квантових точок сферичної та циліндричної геометрій, який описує з урахуванням деформаційного потенціалу розподіл електростатичного потенціалу та напруженості електричного поля в квантовій точці, що оточена матрицею.

Побудовано теоретичну модель процесу частотної модуляції (ЧМ) випромінювання під час рекомбінаційного переходу між основними станами електрона та дірки в гетероструктурі InAs/GaAs з квантовими точками InAs за допомогою акустичної хвилі (АХ). Встановлено характер залежності амплітуди ЧМ від частоти АХ.