Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана физическая модель операций бесконтактного химико-механического полирования и химической резки. Получены аналитические выражения, связывающие геометрию образованной поверхности и скорость обработки с физическими параметрами протекающих процессов, что позволяет использовать результаты работы при разработке травящих растворов и выборе оптимальных технологических режимов операций бесконтактного безабразивного передела слитков для получения полупроводниковых подложек.

The physical model for the non-contact operations of chemo-mechanical polishing and chemical cutting which are used in a process engineering of manufacture of semiconductor substructures was developed The analytical expressions which are connecting geometry of a formed surface and a velocity of handling to physical parameters of flowing past processes was obtained. It was established that a macro-relief of the treated surface was depended only on a speed of relative moving of the tool and a treated specimen, a distance between the pad and the specimen and a diffusion coefficient of active component in etching solution. The velocity of shaping essentially depends on concentration of an active component of an etchant, chemical reaction, physical properties of substance of the sample and etchant. The theoretical and experimental dependencies was revealed the potentially large reserves of a raise of a velocity polishing and chemical cutting. The comparison of experimental dependencies of treated samples InSb, HgCdTe with theoretical expressions has shown their qualitative and good quantitative co-ordination. It is allows to use outcomes of work by development an etchant and choice of optimum technological conditions for the operations of non-contact treatment of ingots for manufacture of semiconductor substructures.

Досліджено питання навчання курсантів-пілотів веденню радіообміну англійською мовою на міжнародних повітряних трасах для підвищення надійності професійної діяльності майбутніх пілотів за екстремальних ситуацій. Визначено етапи навчання льотної експлуатації повітряних суден на міжнародних авіалініях: аудиторну, передпольотну підготовку, моделювання реальних польотів на міжнародних повітряних трасах з використанням пілотажно-навігаційних приладів і систем літака, із заходженням на посадку на незнайомому аеродромі у різних клімато-географічних зонах земної поверхні, а також польотів з передумовами до авіаційних пригод та тих, які закінчилися катастрофами, на комплексній електронній тренажерній системі Ан-24. Розроблено методику навчання курсантів-пілотів веденню радіообміну у процесі льотної експлуатації повітряних суден на даних авіалініях (організаційну структуру, мету, завдання, принципи, зміст, методи, форми організації та інші компоненти). Доведено, що застосування даної методики навчання сприяє покращенню якості підготовки майбутніх пілотів.

Удосконалено систему захисту троянди та гвоздики від основних шкідників за умов закритого грунту у Центральному Лісостепу України. Визначено видовий склад основних шкідників троянди та гвоздики, розглянуто особливості їх біології, динаміку чисельності популяцій домінуючих видів фітофагів залежно від абіотичних умов і деяких прийомів алготехніки. Надано оцінку ефективності застосування проти шкідників сучасних пестицидів. Досліджено стійкість до шкідників сортів троянди, що вирощуються у закритому грунті. Виявлено два сорти троянди Джакаранда та Фламінго, що заселяються павутинним кліщем у 3,5-4 рази менше та на 50-55 діб пізніше, ніж інші сорти. Розроблено рекомендації щодо раціонального застосування біологічних і хімічних засобів захисту рослин проти основних шкідників троянди та гвоздики у закритому грунті.

Індекс рубрикатора НБУВ: К675.7-1

Рубрики:

Травлення металів

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Визначено мету профільного навчання та завдання курсу "Основи дизайну". Розкрито: зміст поняття "дизайн"; метод втілення змісту програми курсу; очікувані результати. Запропоновано: загальний тематичний план. Х - ХІІ класи; програму для Х класу; список літератури; критерії оцінювання навчальних досягнень учнів Х - ХІІ класів за рівнями - початковий, середній, достатній, високий.

Індекс рубрикатора НБУВ: К637.400.86-1

Рубрики:

Хіміко-механічне полірування металів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено методику колоїдного синтезу монодисперсних нанокристалів (НК) з високою стабільністю, вузькими смугами фотолюмінесценції (ФЛ) і високим квантовим виходом. Процес колоїдного синтезу відбувався при кімнатній температурі і для пасивації НК застосовували різноманітні поверхнево-активні речовини. Проведено модифікацію поверхні НК CdTe методом впровадження їх в матрицю: органічну або кристалічну. В нашому випадку матрицею був пористий кремній (ПК), тобто виникала композитна структура на основі матриці і НК напівпровідника. Отримано нанокомпозитні структури ПК - НК CdTe шляхом впровадження в твердотільну матрицю ПК колоїдних розчинів НК CdTe і подальшою обробкою при певному температурному режимі. Досліджено ФЛ властивості композитної системи, в якій матрицею є мікрокристалічний ПК, а другим компонентом - нанокристалічний CdTe, осаджений з колоїдного розчину НК CdTe. Особливістю даної системи є те, що обидва компоненти володіють ФЛ різної інтенсивності. Велика різниця інтенсивностей ФЛ і різне положення смуг випромінювання дозволило, порівнюючи спектри ФЛ колоїдного розчину НК CdTe, ПК і системи НК CdTe - ПК на різних етапах впровадження наночастинок CdTe в пористу поверхню Si, ідентифікувати процес взаємодії і взаємовпливу двох матеріалів, що становлять композитну систему. Як основний недолік методу можна вказати його відносну новизну, що призводить до необхідності емпіричного підбору деяких параметрів синтезу. Планова зміна властивостей ПК і колоїдних розчинів НК CdTe шляхом варіації технологічних прийомів синтезу і методів обробки дозволить в широкій області управляти фізичними властивостями даної композитної системи і використовувати для розробки нових принципів проєктування та створення сенсорних приладів нового покоління.