Исследована зависимость раскрытия вершины поверхностной трещины в сварном соединении магистрального газопровода от геометрических и физико-механических параметров трубы. Предположено, что прочностные характеристики материала в зоне термического влияния и основного материала трубы различны. Предложена упрощенная формула для определения раскрытия поверхностной трещины.

Запропоновано математичну модель, яка дозволяє звести задачу про напружений стан і граничну рівновагу циліндричної анізотропної пружнопластичної оболонки з внутрішньою тріщиною до системи нелінійних сингулярних інтегральних рівнянь з розривними функціями в правих частинах. Побудовано алгоритм числового розв'язування таких систем сумісно з умовами пластичності та обмеженості напружень біля тріщини. Для трансверсально-ізотропної оболонки виконано числовий аналіз залежності розкриття фронту внутрішньої тріщини вiд навантаження, геометричних і механічних параметрів.

У роботі з використанням ключових рівнянь для плоского шару з залишковими деформаціями отримано розв'язок осесиметричної задачі у випадку, коли поле високоградієнтних технологічних деформацій описується нульовим тензором. Проведено числовий аналіз і компоненти тензора напружень співставлені з відповідними компонентами напружень, отриманими з використанням рівнянь уточненої теорії пластин.

Розглянуті основні фізичні явища, що складають зміст функціональної мікроелектроніки, такі, як термоелектричні, гальваномагнітні, оптоелектронні, зарядового зв'язку від'ємного диференційного опору, магнітоелектронні, акустоелектронні, індуктивного ефекту, надпровідності, тунельно-резонансні, а також конструкції і принципи роботи різноманітних приладів і пристроїв на основі цих явищ. Показано перспективні напрямки розвитку функціональної мікроелектроніки, а також ті невирішені проблеми, які стоять перед нею.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Визначено напрями формування та основні елементи інфраструктури ринку продукції олійних культур.

З використанням методу узагальнених задач спряження запропоновано розрахункову схему дослідження перерозподілу температурних напружень у кусково-однорідній циліндричній оболонці, зумовленого поздовжньою тріщиною. Основу цієї схеми становлять системи інтегральних рівнянь, частина з яких є сингулярними, для визначення невідомих стрибків інтегральних характеристик збуреного температурного поля та переміщень і їх похідних на лінії тріщини та на поверхні поділу, а також значень похідних цих інтегральних характеристик за поздовжньою координатою на поверхні поділу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.640.9

Рубрики:

Середовища анізотропні. Середовища неоднорідні. Середовища багатошарові < Оболонки >

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Охарактеризовано теоретичні та фізичні принципи роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на підставі оптоелектронних приладів. Розглянуто особливості дослідження відкритої некогерентної лінії зв'язку, роботи фотодіодного оптрона в імпульсному режимі. Наведено статичні характеристики напівпровідникових фоторезисторів і фотодіодів, описано інжекційні світлодіоди, напівпровідникові лазери.

Охарактеризованы теоретические и физические принципы работы волокнисто-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных устройств. Рассмотрены особенности исследования открытой некогерентной линии связи, работы фотодиодного оптрона в импульсном режиме. Приведены статистические характеристики полупроводниковых фоторезисторов и фотодиодов, описаны инжекционные светодиоды, полупроводниковые лазеры.

Ключ. слова: радиоизмерительный преобразователь, давление, частота, функция преобразования, чувствительность.
Індекс рубрикатора НБУВ: З842-5

Рубрики:

Радіотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження мікроелектронних частотних перетворювачів на базі транзисторних структур з від'ємним опором. Проаналізовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники, а також роботу генератора електричних коливань як основного елемента перетворювачів. Наведено вольт-амперні характеристики, описано функції перетворення частотних перетворювачів фізичних величин.

Приведены результаты исследования микроэлектронных частотных преобразователей на основе транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Проанализированы влияние температуры, оптического излучения, давления, магнитного поля на полупроводники, а также работа генератора электрических колебаний как основного элемента преобразователей. Представлены вольт-амперные характеристики, описаны функции преобразования частотных преобразователей физических величин.

Описано фізичні принципи роботи конструкцій сучасних сенсорів тиску та магнітного поля з амплітудним вихідним сигналом. Викладено основи побудови, наведено електричні схеми та результати експериментальних досліджень основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів тиску та магнітного поля на базі магніто- та тензочутливих транзисторних структур. Проаналізовано вплив магнітного поля на властивості напівпровідників та їх електропровідність.

Описаны физические принципы работы конструкций современных сенсоров давления и магнитного поля с амплитудным исходящим сигналом. Изложены основы построения, приведены электрические схемы и результаты экспериментальных исследований основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров давления и магнитного поля на основе магнито- и тензочувствительных транзисторных структур. Проанализировано влияние магнитного поля на свойства полупроводников и на их электропроводность.

Висвітлено історію господарського освоєння Дніпра - головної водної артерії України. Охарактеризовано гідроелектростанції та водосховища Дніпровського каскаду. Зроблено екологічну оцінку екосистеми річки, а також радіологічної ситуації в поверхневій і підземній гідросфері. Проаналізовано позитивні та негативні наслідки створення Київського водосховища, а також можливого його спуску. Запропоновано шляхи поліпшення екологічного стану водосховищ Дніпровського каскаду, які є єдиною господарською та водно-екологічною системою.

Освещена история хозяйственного освоения Днепра - главной водной артерии Украины. Охарактеризованы гидроэлектростанции и водохранилища Днепровского каскада. Осуществлена экологическая оценка экосистемы реки, а также радиологической ситуации в поверхностной и подземной гидросфере. Проанализированы позитивные и негативные последствия создания Киевского водохранилища, а также возможного его спуска. Предложены пути улучшения экологического состояния водохранилищ Днепровского каскада, являющихся единой хозяйственной и водно-экологической системой.

На підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів проаналізовано основи побудови мікроелектронних частотних перетворювачів температури й оптичного випромінювання. Виконано розрахунки функцій перетворення та рівняння чутливості оптичного перетворювача з активним індуктивним елементом, а також повного опору; з урахуванням транзисторної структури базового елемента перетворювачів наведено експериментальні параметри генератора. Розглянуто принципи побудови й електричні схеми основних параметрів температурних та оптичних перетворювачів, надано оцінку похибок перетворення, а також метрологічних характеристик генератора. Висвітлено теорії фотореактивного ефекту в біполярних і польових транзисторах, наведено математичну модель теплових режимів мікроелектронних частотних перетворювачів.

Розглянуто принципи роботи та конструкції сучасних сенсорів вологості. Описано конструкції, схеми сенсорів вологості газів, принципи побудови, електричні схеми. Наведено результати дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів вологості на основі реактивних властивостей вологочутливих транзисторних структур.

Рассмотрены принципы работы и конструкции современных сенсоров влажности. Описаны конструкции, схемы сенсоров влажности газов, принципы построения, электрические схемы. Приведены результаты исследования основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров влажности на основе реактивных свойств влажночувствительных транзисторных структур.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследования зависимости полного сопротивления транзисторных структур от воздействия температуры, света, давления и магнитного поля. Показано, что зависимости реактивной составляющей от воздействия вышеуказанных факторов являются существенными, что создает предпосылки построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей. Рассчитаны и экспериментально исследованы функции преобразования и чувствительности. Приведены рекомендации по проектированию преобразователей.

In work theoretical and experimental investigations thermoreactive, photoreactive, tenzoreactive and magnitoreactive effects are considered. This effect presents the dependence of the full resistance of the transistor structures from action of the temperature, light, pressure and magnetic field. Is shown that dependences reactive part from action above indicative factors are substantial that make conditions of production of the microelectronic radiomeasuring transducers. The circuits of transducers are active oscillators oscillation system which consists with capacitive part of full resistance of the transistor sensetive element and passive or active inductance. The functions conversation and sensetive are calculated and experimental are investigated.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2я73-1

Шифр НБУВ: ВА643224 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано особливості розробки моделей і методів розрахунку граничної рівноваги однорідних та неоднорідних оболонок з дефектами структури (наскрізними і ненаскрізними тріщинами, дислокаціями та дисклінаціями) за їх пружного та пружно-пластичного деформування. Розглянуто вплив залишкових напружень на коефіцієнти інтенсивності напружень в однорідній циліндричній оболонці з тріщиною.

Проанализированы особенности разработки методов и моделей расчетов предельного равновесия однородных и неоднородных оболочек с дефектами структуры (сквозными и несквозными трещинами, дислокациями и дисклинациями) по упругому и упруго-пластическому деформированию. Рассмотрено влияние остаточных напряжений на коэффициенты интенсивности напряжений в однородной цилиндической оболочке с трещиной.

Висвітлено теоретичні та фізичні особливості роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на основі оптоелектронних приладів. Розглянуто питання поширення електромагнітного випромінювання в речовинах. Визначено параметри сучасних промислових одномодових волокон, фотоприймальних пристроїв. Описано фізичні властивості напівпровідникових матеріалів, лазерів, світловипромінювальних діодів.

Освещены теоретические и физические особенности работы волоконно-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных приборов. Рассмотрены вопросы распространения электромагнитного излучения в веществах. Определены параметры современных промышленных одномодовых волокон, фотоприемных устройств. Изучены физические свойства полупроводниковых материалов, лазеров, светоизлучающих диодов.

Висвітлено можливості побудови мікроелектронних перетворювачів температури з частотним виходом на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором. Наведено результати дослідження імпедансу структури метал - діелектрик - напівпровідник (МДН). Проаналізовано та визначено фізичні явища, які відповідають за реактивні властивості біполярних і МДН-транзисторів. Описано принципи побудови, електричні схеми та експериментальні дослідження основних параметрів перетворювачів температури.

Освещены возможности построения микроэлектронных преобразователей температуты с частотным выходом на основе реактивных свойств транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Приведены результаты исследования импеданса структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Проанализированы и определены физические явления, отвечающие за реактивные свойства биполярных и МДП-транзисторов. Описаны принципы построения, электрические схемы и экспериментальные исследования основных параметров преобразователей температуры.