Проведен анализ многослойной структуры, содержащей один или несколько полупроводниковых слоев. Получены основные математические соотношения, позволяющие предъявить требования к основным параметрам многослойных структур, обеспечивающим управление их отражательными характеристиками.

Проанализирован комплексный коэффициент отражения многослойной структуры, содержащей полупроводниковый слой, в миллиметровом диапазоне длин волн. Сформулированы требования к основным параметрам многослойных структур, обеспечивающим повышение эффективности управления их отражательными характеристиками.

Рассчитаны параметры системы постановки пассивных помех высокоточному оружию с оптическими и тепловыми головками самонаведения, позволяющие повысить энергетические характеристики сигнала от ложной цели при использовании голографического метода размножения изображений объектов в оптическом диапазоне длин волн.

Проведен сравнительный анализ вероятности наведения высокоточного оружия на малоразмерный стационарный объект в отсутствие и при наличии ложных целей, создающих помеховый фон для высокоточного оружия с тепловыми и оптическими головками самонаведения. Показано, что для различных условий помехового воздействия вероятность наведения высокоточного оружия может быть существенно уменьшена.

Предложен метод защиты малоразмерных объектов от высокоточного оружия с лазерными головками самонаведения на основе использования голографических отражателей. Природные свойства голограммы позволяют решить ряд задач, которые являются проблемными для других типов покрытий. В частности, к ним относят: возможность формирования с помощью одного голографического покрытия сигнала в направлении головки самонаведения, инвариантного к ее координатам в определенном секторе углов. Показано, что при использовании зеркальных голографических отражателей появляется возможность существенного повышения энергетических характеристик поля, излучаемого ложной целью в направлении головки самонаведения высокоточного оружия.