Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (3)

Пошуковий запит: (<.>A=Мазинов А$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5

Категорія:

Мазинов А. С.
Влияние концентрации водорода в магнетронной камере на гидрирование кремниевой аморфной пленки / А. С. Мазинов, Е. В. Лисовец, А. В. Каравайников // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка. - 2004. - № 10. - С. 101-106. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Ключ. слова: аморфний кремній, гідрування плівок, магнетронне осадження
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2-2

Рубрики:
Силіцій (кремній)

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Быков М. А.
Исследование физических процессов в аморфных кремниевых пленках при различной концентрации водорода в плазме / М. А. Быков, А. М. Быков, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка. - 2008. - № 1. - С. 176-180. - Библиогр.: 5 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Слипченко Н. И.
Модель токопереноса носителей в тонких фотопреобразующих пленках на основе a-Si:H / Н. И. Слипченко, М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, В. А. Бахов // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка. - 2008. - № 2. - С. 151-156. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Описаны физико-математическая модель и методика численных исследований токопереноса фотоносителей в тонких пленках аморфного гидрогенизированного кремния. Приведены результаты расчетов зависимости фототока от толщины пленки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.39

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали за консистенцією

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Бахов В. А.
Детализация локализованных уровней неупорядоченных полупроводниковых структур / В. А. Бахов, А. С. Мазинов, Л. Д. Писаренко // Электроника и связь. - 2010. - № 1. - С. 12-16. - Библиогр.: 12 назв. - рус.

Приведен способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. На основании упрощенного представления построения дефектной решетки материала, введена функциональная зависимость энергетического спектра, дающая распределения локальных уровней в хвостах запрещенной зоны. Показана возможность объяснения структурных построений аморфной матрицы исходя из технологических режимов получения полупроводникового слоя. Предложены параметры, определяющие степень разупорядоченности материала.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мазинов А. С.
Асимметричность плотности распределения объемного неcкомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода / А. С. Мазинов, А. И. Шевченко, М. А. Быков // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2012. - 4, № 3. - С. 03026. - Библиогр.: 14 назв. - рус.

Рассмотрены особенности формирования мелкозалегающего перехода и его расчета для создания фотогальванического элемента на основе монокристаллического кремния с фронтальным легированным бором. Показана неоднозначность расчетных профилей перекомпенсирующей примеси, которая зависит от точности определения констант диффузионных уравнений.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ