Представлены экспериментальные результаты исследования электрофизических и оптических характеристик фотопреобразователей с различной структурой поверхности. Показано, что использование пористого кремния на поверхности структуры увеличивает поглощение в кремнии менее энергетичных фотонов, которые проходят через широкозонный полупроводник и поглощаются в области пространственного заряда или вблизи нее в узкозонном полупроводнике, что способствует увеличению напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия фотопреобразователей.

Изложены основы общей и законодательной метрологии, государственные и правовые акты Украины в данной области. Определены объекты, цели и задачи метрологии полупроводников как автономного направления науки и техники. Подробно описаны параметры и критерии оценки качества полупроводниковых материалов и структур. С учетом положений метрологии рассмотрены методики выполнения измерений основных характеристических параметров полупроводников. Значительное внимание уделено явлению примесных неоднородностей и метрологии неоднородных полупроводников.

Представлены результаты анализа состояния и тенденций мировой и отечественной электроники. Охарактеризован рынок электроники и полупроводниковой продукции Украины. Рассмотрены принципиальные и технологические проблемы развития микроэлектроники, в частности, связанные с микроминиатюризацией, социально-политические и экономические аспекты нанотехнологии. Описаны новые и перспективные материалы электронной техники (монокристаллы кремния большого диаметра, аморфные и пористые полупроводники,многослойные гетероэпитаксиальные композиции с тонкими и сверхтонкими слоями, высокотемпературные сверхпроводники). Предложены концепции развития и расширения элементной базы телекоммуникационной, функциональной и энергетической электроники. Рассмотрена биомедицинская электроника как новый этап развития электроники в целом.

Предложены устройства для контроля функционального состояния водителя транспортного средства, принцип действия которых основан на регистрации колебательной активности рулевого колеса.

Представлены результаты сопоставительного анализа современного состояния технологии производства и рынка потребления оптоволоконных материалов на основе кварцевого стекла (тетрахлорида кремния, тетрахлорида германия, кремния металлургического качества) и полупроводниковых соединений (арсенида галлия и металлического галлия) на Украине и в мире.

Изложены физические основы электронного материаловедения - важнейшей составной части твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены особенности строения твердых тел, а также физические процессы в проводниках, полупроводниках, диэлектриках, магнитных материалах. Охарактеризованы некристаллические (поликристаллические и аморфные) материалы, многослойные композиции, а также новые материалы для межсоединений.

Разработана многослойная система металлизации, состоящая из слоя силицида, барьерного слоя и низкоомного верхнего контактного слоя для устранения взаимодействия с нижележащим слоем кремния в контактных "окнах".

Приведены результаты исследования систем регулирования электропривода постоянного тока и асинхронного электропривода с косвенным измерением скорости с учетом влияния обратных связей по току и напряжению на устойчивость системы. Определены условия устойчивости: системы регулирования при положительной обратной связи по току; контура регулирования с тиристорным преобразователем при цифровом сглаживании пульсаций; асинхронного двигателя как объекта регулирования. Обоснованы структурные схемы и параметры системы, обеспечивающие качественное регулирование.