Проведено аналіз літературних даних стосовно домішково-дефектної структури та огляд пов'язаних з нею фізичних властивостей монокристалів CdTe:Cl, що визначають детекторні характеристики матеріалу для реєстрації іонізуючого випромінювання.

Наведено результати досліджень переносу електронів і дірок біля поверхні напівпровідників - як ефектів, зумовлених рухом і розсіюванням поверхневих носіїв заряду одного знака, так і ефектів, до яких приводить одночасне існування поблизу поверхні електронів і дірок (нерівноважної електронно-діркової плазми). Розглянуто випадки власної плазми напівпровідників та електричної і світлової інжекції електронів і дірок. Концентрація плазми змінювалась у широких межах - від гранично малої до такої, що забезпечує формування електронно-діркової рідини. Поряд з традиційними для цієї області електрофізичними методами використано оптичні методи (фотолюмінесценцію (ФЛ), оптичне підсилення тощо).

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В огляді розглянуто питання, пов'язані з теорією випромінювання світла в кремнієвих нанокристалах (НК), а саме - з механізмом випромінювальних екситонних переходів. Проаналізовано випадок, коли під дією лазерного збудження в нанокристалах генеруються електронно-діркові пари, які потім зв'язуються в екситони. Продемонстровано важливу роль ефекту "діелектричного підсилення" в кремнієвих НК, що знаходяться в оболонці з діоксиду кремнію. Показано, що поряд з енергією екситонних переходів залежним від розміру НК є і характеристичний час випромінювальної екситонної рекомбінації, причому ця залежність має немонотонний характер. Одержано співвідношення між нерівноважними концентраціями екситонів та електронно-діркових пар у кремнієвих НК. Розглянуто механізм оже-рекомбінації екситонів у кремнієвих НК з участю поверхневих центрів, що дає змогу пояснити лінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ) в кремнієвих наноструктурах (НС) від інтенсивності збудження. Показано, що особливості, які спостерігаються в експериментально одержаних спектрах ФЛ пористого кремнію та кремнієвих структур з квантовими точками, можна пояснити, враховуючи такі ефекти: ефект квантового обмеження, що призводить до квантування енергетичного спектра НК; ефект, пов'язаний з непрямозонністю вихідного кремнієвого матеріалу, який призводить до виникнення осциляцій на залежності випромінювального часу життя екситонів від розміру НК; квантовий мезоскопічний ефект, який призводить до сильного розширення області оптичних переходів в енергетичному спектрі кремнієвих НК найменших розмірів (~ 1 - 2 нм).

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто модель сферичної напівпровідникової квантової точки (КТ) у діелектричному середовищі. Знайдено енергетичний спектр електрон-діркових пар у таких нанокристалітах і характеристичний час їх випромінювальної рекомбінації. Розрахунок проведено в наближенні ефективної маси та параболічних законів дисперсії для носіїв заряду з урахуванням як скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єра для носіїв заряду, так і проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромежі може призвести до значного збільшення (а в деяких випадках зменшення) внеску кулонівської енергії взаємодії в повну енергію електрон-діркового переходу в КТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З852.2

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виконано експериментальні та теоретичні дослідження водних колоїдних розчинів нанокристалів CdTe, поверхня яких пасивована тіогліколевою кислотою. Продемонстровано можливість пасивації телюрових граней нанокристала CdTe молекулами води. Побудовано енергетичну діаграму нанокристалів з врахуванням поверхневих станів, що виникають внаслідок пасивації поверхні. Вперше виявлено низькоенергетичний зсув максимуму фотолюмінесценції нанокристалів CdTe в околі фазового переходу рідина - лід, який пояснюється зростанням поверхневого заряду і пов'язаного з ним електричного поля при замерзанні розчину. Запропоновано модель, яка дозволяє якісно пояснити цей ефект.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З843.31

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Германій, кремній та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.21 + В377.1

Рубрики:

Структура монокристалів кольорових металів

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надграток (НГ) GaAs/AlAs I-го та II-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НГ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) і бар'єрів (AlAs). За високих рівнів збудження у квазіпрямозонних НГ формується електронно-діркова плазма (ЕДП), концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання ЕДП у НГ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.24

Рубрики:

Одержання плівок

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено температурні залежності спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) квантових точок (КТ) CdTe у полімерній матриці, виготовлених шляхом перенесення їх з водного колоїдного розчину. Встановлено бімодальний розподіл за розмірами КТ CdTe у полімерній матриці в результаті їх тривалої витримки. Визначено енергії активації температурного гасіння смуг фотолюмінесценції КТ CdTe, інкорпорованих у полімерну матрицю, що відповідають смугам ФЛ квантових точок різних розмірів. Встановлено екситонний механізм фотолюмінесценції досліджуваних зразків, який підтверджується температурною залежністю положення максимуму ФЛ та залежністю інтегральної інтенсивності ФЛ від інтенсивності оптичного збудження.

Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.8

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В379.227

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.34

Рубрики:

Оптичні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-06

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd-СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга-Рис) от времени облучения.

Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd-СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Рис) в залежності від часу опромінення.

High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity distribution over crystal. It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of ClTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VCd–ClTe) defect centers at which excitons are bound. Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in CdTe:Cl single crystals made it possible to determine the Huang-Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5?1017 cm–3 and 5?1019 cm–3 that the Huang-Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor-acceptor spacing. Itis shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate cadmium vacancies VCd because of formation of (VCd-ClTe) defect centers at which excitons are bound.